sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。

Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响

采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。

AZO透明导电薄膜的结构与光电性能

采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度。x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10–4Ω.cm。随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV。

一种降压型开关电源芯片电路的研究与设计

设计了一款PWM控制模式降压式(buck)直流-直流转换器芯片。该芯片为电压反馈控制模式,内部补偿使得反馈控制有很好的线性和很快的负载响应而无需通过外部设计。芯片采用CMSC 0.5μm BCD工艺实现。PSPICE仿真结果表明,输出电压只有大约50mV的纹波,静态电流为3mA左右。输出电压在低于0.5V时,芯片具有短路降频功能,工作频率由81KHz降到23KHz左右,输出负载由0.2A跳变到2A时具有很好的负载调整率,大约为0.2%,转换效率可以达到85%以上。

高速缓存单元原理及设计实现

Cache是一种容量小、速度快的存储器阵列,位于主存和CPU内核之间,保存着最近一段时间处理器涉及到的主存块内容。为了改善系统性能,CPU尽可能从Cache中读取数据,减小慢速存储器给CPU内核造成的存储器访问瓶颈问题的影响。