二氧化锡超微粒子气敏薄膜的复数阻抗谱研究

用直流气体放电活化反应蒸发法制备了二氧化锡超微粒子薄膜，测量了薄膜的阻抗谱，验证了超微粒子薄膜的内部模拟等效电路。研究了温度、还原性气体以及热处理对阻抗谱的影响，并用氧吸附理论和晶界势垒理论定性地解释了这些现象。

氧化镉掺杂对钛酸钡基陶瓷材料改性

对ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６－ＣｄＯ系陶瓷介质材料的介电性质进行了研究，并对ＢａＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６，ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６－ＣｄＯ三种材料介电常数，温度稳定性，介电损耗，显微结构进行了比较，得出结论是ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６－ＣｄＯ系陶瓷材料，介电常数高，损耗小，介电常数随温度变化小。

芳香族铁电液晶的相变

研究(+)-对烷氧基苯甲酸对′-2-甲基丁氧基苯酚酯液晶和(+)-对烷氧基苄又对′氨基肉桂酸-2-甲基丁酯液晶的铁电相变性质。铁电液晶的自发极化强度(P_s)和其分子倾斜角(θ)与液晶温度(T)的关系相似。随着T升高,P_s和θ减小,T达到居里温度(T_c)附近时P_s和θ均连续地变为零,且介电系数发生突变,出现介电反常,这说明在T_c附近发生结构二级相变。研究还表明,在铁电相范围内属铁电耦合,在顺电相范围内属介电耦合。

氧化物掺杂对Ba(Ti,Sn)O_3系列高介材料的改性

采用草酸液相共沉淀法,制得了粒径为0.08～0.14μm的BaTiO_3和BaSnO_3超细、高纯和高活性粉料。并以所制超细粉为基本原料,按Ba(Ti,Sn)O_3固溶体为基体,添加Dy_2O_3、Nb_2O_s和ZnO,利用添加物的移峰、展宽和抑制晶粒长大等效应,得到了一系列在工作温区内介电常数高ε=10370、损耗低tanδ=1.24%、抗电强度高E=2.8kV/mm、温度稳定性好、晶粒尺寸小的材料。并对瓷件的组成、结构与性能的关系作了讨论。

芳香族铁电液晶的相变

研究(+)-对烷氧基苯甲酸对′-2-甲基丁氧基苯酚酯液晶和(+)-对烷氧基苄又对′氨基肉桂酸-2-甲基丁酯液晶的铁电相变性质。铁电液晶的自发极化强度(P_s)和其分子倾斜角(θ)与液晶温度(T)的关系相似。随着T升高,P_s和θ减小,T达到居里温度(T_c)附近时P_s和θ均连续地变为零,且介电系数发生突变,出现介电反常,这说明在T_c附近发生结构二级相变。研究还表明,在铁电相范围内属铁电耦合,在顺电相范围内属介电耦合。