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题名基于硅基堆叠SIP技术的超宽带T/R组件
被引量:2
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作者
刘卫强
万涛
吕苗
倪涛
史千一
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机构
中国电子科技集团公司第二十研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2024年第2期74-78,共5页
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文摘
传统的超宽带T/R组件采用的是两维砖块式结构,体积和重量已不适应目前小型化、低剖面、易共形的相控阵天线要求。文中提出的基于硅基堆叠系统级封装(SIP)技术,将四通道的射频芯片高度集成在硅基介质基板上,将多层介质基板厚金压合,实现多层堆叠的三维封装。通过采用芯片多功能集成技术和超宽带射频信号的垂直互连技术,设计出三维堆叠的四通道超宽带T/R组件。T/R组件带宽为6 GHz~18 GHz,单通道的发射功率优于23 dBm,接收增益优于20 dB,可实现6位数控衰减及6位数控移相,尺寸仅有13.0 mm×13.0 mm×3.4 mm。该技术可以实现多通道超宽带T/R组件的SIP封装,有利于工程应用。
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关键词
T/R组件
超宽带
硅基
系统级封装
堆叠
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Keywords
T/R module
ultra-wideband
silicon substrate
system in package
stack
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分类号
TN61
[电子电信—电路与系统]
TN958.92
[电子电信—信号与信息处理]
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