物联网产业化新进展

物联网是世界经济发展的原动力，是继互联网产业之后世界信息产业第三次浪潮的代表，是信息产业竞争和升级的制高点和核心驱动力。在国家政策的引导和广大企业的参与下，我国在物联网领域的自主创新能力不断增强，物联网产业发展卓有成效。

一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术

本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV·cm^(2))/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域。

“十三五”期间中国集成电路制造产业链发展的思考

2008年以来,在国家设立的01专项、02专项等政策的推动下,中国集成电路产业在诸多方面已经取得很大发展。中国科学院微电子研究所叶甜春所长总结了中国集成电路产业在六个方面取得的突破,提出"十三五"期间中国集成电路制造产业链发展的六点建议。

基于大数据与物联网视角的应急资源共享平台设计探索

本文分析了全国信息化系统建设中存在的问题,提出基于大数据与物联网视角的应急资源共享平台解决方案,介绍了该系统在几个地方的实践应用情况,归纳分析了系统在技术和经济上所具备的突出优势。

智能化趋势下的集成电路产业发展机遇

摩尔定律的发展方式在变,我们原有传统的尺寸缩小的方式开始遇到一些障碍,技术进步的初始投入在大幅度提高。全球集成电路产业发展的驱动方式可能就要变了,未来要变得更复杂。传统工业全面进入信息化时代、万物互联的物联网时代、或者是智能化时代。集成电路下一个驱动点,肯定在物联网,基于智能的传感器、终端。新形势下要更加注重创新。

中国物联网产业链发展与建设

在第三届物联网博览会上,中国科学院微电子研究所所长,中国物联网研究发展中心叶甜春主任做了《中国物联网产业链发展与建设》的讲演。他指出:物联网产业发展预期的爆炸式增长还未到来,但随着资源的集聚,新业务和新市场正在生成,机遇正在到来 ;商业模式创新、市场培育和产业链建设是下阶段需要解决的重点问题 ;产品和技术方面,智能传感器、大数据信息的有效应用和管理存在着很多创新的机会。

对国产半导体设备厂商发展的建议

在第五届中国半导体设备市场年会上,国家科技重大专项(02)专家组组长叶甜春先生指出,十九大的召开标志着我们迎来了新时代,将开展新的征程。未来30年是信息化时代,中国要发展起来,必须要解决芯片的问题。芯片业本质上是制造产业,是工艺的支撑。工艺的核心是设备和材料,设备和材料一直被卡脖子,很危险。我国装备和材料必须实现自主发展,建立自己的工业体系。

纳米尺寸同步辐射X射线光刻技术研究

本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展，其中，最细尺寸已达50纳米。

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx

高线密度X射线透射光栅的制作工艺

采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.

基于MEMS技术的红外成像焦平面阵列

选用Au和LPCVD的低应力Si Nx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光学读出的方法成功地在室温(27.47℃)背景下获得了人体的热像.实验证明间隔镀金热隔离结构的引入有效抑制了热传导对变形梁温升的限制,从而大大降低了系统的噪声等效温度差(NETD),NETD达到约200mK.

LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射

在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制．

带支撑结构的大高宽比硬X射线波带片制作

对利用X射线光刻制作大高宽比硬X射线波带片的设计和制作工艺进行了研究。采用电子束光刻制作X射线光刻掩模,并利用X射线光刻制作最终的硬X射线波带片。采用对光刻胶结构加入支撑点的方法,大大提高了X射线光刻制作硬X射线波带片的高宽比。对所加入支撑点的布置策略进行了优化,使得支撑点所占的面积比例减小。所制作的波带片最外环宽度为200nm,厚度为2.8μm,具有优良的结构质量,预期可用于10keV到25keV波段,并具有优于250nm的成像分辨率。

同步辐射光刻技术研究进展

光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术 ,X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种 ,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点 。

0.18μmCMOS工艺下的互连线延迟和信号完整性分析

随着深亚微米工艺技术条件的应用和芯片工作频率的不断提高 ,芯片互连线越来越成为一个限制芯片性能提高和集成度提高的关键因素 :互连线延迟正逐渐超过器件延迟 ;互连线上信号传输时由于串扰引起的信号完整性问题已成为深亚微米集成电路设计所面临的一个关键问题。文中分析了芯片中器件和互连线的延迟趋势 ,模拟分析了 0 .1 8μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题。

电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片

在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.

芯片产业“弯道超车”需要原始创新

得芯片者得天下,完全正确。因为对于人类发展的每一个时代,它都有一些基础产品是最重要的,这些产品对于人类生产力水平的提高具有不可或缺的作用。农业时代最重要的是铁,因为有铁才能制造好的农业生产工具,从而支撑整个社会的发展。