用快中子研究^(24)Na,^(26)Mg和^(27)Mg的能级寿命

把快中子用于多普勒移动衰减法（DSAM）研究，由27Al（n，xγ）反应伴生γ射线能谱的多普勒形状分析确定了24Na，26Mg和27Mg三个核素中9个能级的寿命，与由库仑激发得到的结果相比有好的一致．该项研究为利用像高压倍加器这样的小型低能加速器进行核结构研究开辟了一条新途径．

快中子物理和实验技术研究

综述近年来在北师大低能所的国内第一台脉冲化高压倍加器上开展的快中子物理。

BNU—400在γ谱学研究中的应用

本文介绍利用北师大４００ｋＶ高压倍加器上的脉冲中子源在γ谱学研究领域中开展的全γ辐射测量技术研究和１４ＭｅＶ快中子核反应的多普勒效应研究。

一个柱样品的中子注量衰减和γ射线自吸收修正的统一计算方法

从中子和γ射线的实际输运过程出发,推导出了一个柱样品的中子注量衰减和γ自吸收修正的统一计算公式.在推导中考虑了这两种效应的位置关联用不同方法对这个公式的计算结果进行了检验,证明这个统一计算公式物理图像清晰,计算速度快,结果可靠,适用于快中子核反应的伴生γ射线截面测量中的数据处理.

低能V^+注入花生种子的深度研究

用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V+ 注入干花生种子的穿透深度 浓度分布。结果表明 :这种分布是有长拖尾的高斯分布 ;2 0 0keV的V+ 注入干花生种子的最大穿透深度为 1 3 6 μm。比较了实验结果与TRIM95的计算值。

PIXE、SEM与切片技术相结合研究低能离子注入种子的浓度-深度分布

用质子激发X荧光分析和扫描电子显微镜与切片技术相结合对能量为 2 0 0keV的钒离子注入花生后的浓度 -深度分布进行了测定 ,注入剂量为 9× 10 16/cm2 。结果显示 ,钒离子注入花生后的浓度 -深度分布与离子注入金属、半导体中的分布有明显的差异 :离子的射程歧离很大 ,少数离子的射程延伸到很深的区域。这种分布特征可能与植物种子具有疏松的结构有关。

低能钒离子注入花生种子的深度分布

采用卢瑟福背散射(RBS)和X射线能谱分析法(EDAX)对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量 ,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明 ,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构 ,RBS方法不适于测量钒在花生种胚中的深度分布 ,trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟 ,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外 ,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。

PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅 (SiN)薄膜 ,再对薄膜进行快速热退火处理 ,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性 .通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率 ,发现退火后薄膜的厚度下降 ,折射率升高 ;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命 ,发现少子寿命有很大程度的下降 .还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响 。

核科学研究需培养接班人

"科学技术核数据国际会议"是经济合作发展组织中的核能协会(OECD-NEA)每3年组织一次的系列国际会议。本届会议于1997年5月19～24日在意大利的特里雅斯特举行,有52个国家的400多名代表参加。

空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较

研究了空间实用背场 Si太阳电池和 Ga As/ Ge太阳电池性能随质子辐照注量 1× 10 9～ 5× 10 1 3cm- 2 的变化 .实验表明 ,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势 .背场 Si太阳电池性能参数 Isc、Voc和 Pmax衰降变化快 ,辐照注量为 2× 10 1 0 cm- 2时 ,Pmax就已衰降为原值的 75 % ;而 Ga As/ Ge电池对应相同的衰降辐照注量达 8× 10 1 1 cm- 2 ,且其 Isc、 Voc和 Pmax衰降变化起初缓慢 ,当辐照注量接近 3× 10 1 2 cm- 2 时才迅速下降 .背场 Si电池和 Ga As/ Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的 Ev+0 .14 e V及 Ev+0 .4 3e V和 Ec- 0 .4 1e

植物种子微孔结构的正电子湮没研究

以植物干种子芸豆和花生为生物体材料,采用正电子湮没技术(PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱(PAL)。测量结果表明,在芸豆和花生内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径分别为0.48nm和0.7nm。植物种子的这类特殊的微孔结构是低能离子注入生物效应机理的基础。测量了注入200keV低能V离子的花生样品的PAL谱, 并与未经离子注入的花生样品的PAL谱作了比较。

量子安全直接通信研究进展

简要地介绍了量子安全直接通信的必要条件,初步介绍了两个量子安全直接通信模型,即Two-Step和Quantum-One-Time-Pad模型。

Au离子注入花生种胚深度的研究

使用金属蒸汽真空弧离子源 (MEVVA源 )离子注入机对花生种胚进行Au离子的注入 ,采用卢瑟福背散射 (RBS)和X射线能谱分析 (EDAX)法测量Au元素在花生种子中的深度分布 ,并观察注入前后的样品形貌。结果表明 ,由于样品表面粗糙 ,RBS不适于测量Au元素在花生种子中的浓度分布 ,而EDAX的测量则显示Au元素在花生种子中的最大穿透深度可达 15 μm。另外 ,本文还讨论了离子注入的诱变机理。

稀土材料红外多光子量子剪裁现象

稀土红外量子剪裁为目前国内外的研究热点,它对于提高太阳能电池的效率从而减低太阳能发电的造价很有意义。论文综述了稀土红外量子剪裁的研究意义,在总结了太阳能电池发电和损耗的原理的基础上,分析了稀土红外量子剪裁提高太阳能电池效率的具体途径。同时综述了单掺Er3+材料的稀土红外量子剪裁发光现象:光激发2 H11/2能级有很强的4I 13/2→4I 15/2红外量子剪裁发光,速率很大的{2 H11/2→4I 9/2,4I 15/2→4I 13/2}交叉能量传递为导致光激发2 H11/2能级有高量子剪裁效率的主要原因。

尿嘧啶、水合尿嘧啶的结构和振动性质研究

基于从头计算方法和半经验势分子动力学,通过计算尿嘧啶分子及其水合尿嘧啶分子运动轨迹的速度自关联函数的傅立叶变换,给出了这些分子的振动频率。通过求解Hessian矩阵,鉴别出这些分子每一个振动频率的振动模式。对孤立的尿嘧啶分子,计算结果能够和实验数据符合。对水合尿嘧啶分子中,尿嘧啶分子的结构和振动频率的改变做了讨论。

用寿命校正方法测量铝的活化截面

提出了快中子γ产生截面测量实验中的一种寿命校正方法，能够充分利用飞行时间技术解决以下问题：从γ峰中分离瞬发和非瞬发成分，同时确定瞬发γ和非瞬发γ产额，提供了一种中子活化截面的在束测量手段，特别适用于短寿命γ产生截面测量。该方法用于铝样品在１４．９ＭｅＶ中子轰击下的活化截面的测量和数据处理，取得了满意的结果。

关于三维网状高孔率材料抗拉强度公式中指数项的讨论

以典型的三维网状高孔率金属—泡沫镍为实验材料 ,进行系列的抗拉强度测试。通过所得实验数据对有关公式的应用验证 ,分析讨论了这些公式中指数项的取值问题。对于泡沫镍这类具有中等塑性的高孔率材料而言 ,该指数项取 1.2 5比取 1.5 (即 3/ 2 )显得更为合适或合理。

^(171)Ta高自旋态能级寿命测量

在中国原子能科学研究院的HI 13串列加速器上通过157Gd(19F,5n)171Ta重离子熔合蒸发反应布居了171Ta的高自旋态,以多普勒移动衰减法的峰形分析法分析了171Tah9/2质子1/2[541]转动带的6条能级的寿命,得到了这6条能级的平均寿命值.

14.9MeV中子和天然铜相互作用中γ辐射的精细研究

利用快中子核反应的全γ辐射测量技术研究了 14 9MeV中子与天然铜反应在 5 5°和90°这 2个角度上的分立γ射线谱 ,由高分辨γ分析程序识别了 10 7条谱线 ;定出了每条谱线在这 2个角度上的微分截面以及相应的反应类型和跃迁能级 ,发现谱线主要来自6 3 Cu(n ,2nγ) 6 2 Cu ,6 5Cu(n ,2nγ) 6 4Cu ,6 3 Cu(n ,n′γ) 6 3 Cu等反应道 .通过分析天然铜的活化本底谱 ,可以看出它是快中子核反应中的最理想的屏蔽材料之一 .

用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物

介绍了PIXE(质子激发X射线发射 )分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限 .用此分析技术 ,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定 .发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn ,Fe ,Cu等污染元素 .结果表明 ,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点 ,十分适合在这一领域的研究中应用 .