镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响

由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。

LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制

在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。

p型Ge单晶VGF生长位错抑制研究

垂直梯度凝固(VGF)法在单晶生长时温度梯度低,热应力小,是目前制备大尺寸、低缺陷晶体的首选方法。在不同的工艺条件下开展了p型VGF锗单晶生长实验研究。通过控制不同温区的温度和降温速率来减小生长温度梯度和晶体内部的应力。在保证VGF锗单晶成晶率的前提下,明显降低了锗单晶的位错密度和位错排的数量。研究发现,温度梯度在2~3℃·cm^(-1)内可保证单晶生长且使4英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶片平均位错密度降低到3 000 cm^(-2)以下。此外对VGF法生长锗单晶表面沟槽的形成原因进行了分析研究。

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数 ,证实了采用此项工艺能降低LEC GaAs晶片的砷沉淀密度 ,即AB EPD ,同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析 ,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。

海安县食管癌危险因素的病例对照研究

本文对海安县２７４ 名现患食管癌病例进行了１∶１ 的病例对照研究，单因素和多因素ｌｏｇｉｓｔｉｃ 回归分析显示该地区食管癌的主要危险因素为：暴饮暴食、心理压力、精神创伤史、快食习惯、腌制品、文化程度低、吃变质饭菜等。结果提示：食管癌的预防要从饮食因素和精神因素方面考虑。

无液封GaAs多晶合成技术

利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法。开展了Φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验。采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化,稳定了Φ100 mm无液封GaAs多晶合成工艺。通过大量的实验,逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线,固化了坩埚密封结构,掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法。

纤维和硅粉对隧道衬砌混凝土抗渗性的影响

采用渗水高度法进行渗透试验研究了加载和未加载条件下,聚丙烯纤维和硅粉掺量对混凝土渗透性的影响,并探讨了混凝土渗透性与混凝土抗压强度的关系。试验结果表明:未加载时,随着纤维掺量的增加,混凝土的渗透性增加;而硅粉能显著提高混凝土的抗渗性能。预加荷载会劣化混凝土的抗渗性能,硅粉对预加荷载非常敏感,而聚丙烯纤维能一定程度上抑制荷载对混凝土渗流的劣化作用。抗压强度与混凝土渗透性间有较好的相关性,可作为初步评价混凝土渗透性的一个指标。

FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术

研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。

城市浅埋隧道开挖减震控制爆破技术

在建筑物密集且部分建筑物抗震性能差的城市繁华地带的地下 ,进行浅埋隧道爆破开挖施工 ,只有采用减震控制爆破技术才能使地表建筑物免受爆破震动的危害。笔者结合工程实例对城市浅埋隧道减震控制爆破的技术要点 ,如微台阶施工法、减震掏槽形式、炮孔线形布置等进行了阐述。

砷化镓材料技术发展及需求

介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。

光面爆破在松软破碎岩体中的应用

在松软破碎的岩体中进行光面爆玻与一般石质条件下的光面爆破相比，在参数上有较大的差别。本文结合工程实际对松软破碎岩体条件下的爆破技术原理进行了探讨，并总结了该条件下的光面爆破参数设计和施工工艺。

光面爆破在松软破碎岩体中的应用

在松软破碎的岩体中进行光面爆破与在一般石质条件下的光面爆破相比 ,在爆破参数上有较大的差别。本文结合工程实际对松软破碎岩体条件下的光面爆破技术进行了探讨 。

6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术

为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。

横向条形药包在双路堑爆破中的应用

在双路堑洞室爆破中应用条形药包可以减少爆破对边坡岩体的损伤。本文论述了横向条形药包在双路堑爆破应用中的作用机理，并结合蓝小公路双路堑洞室爆破的工程实践，把横向条形药包的优缺点及其在应用过程中采用的技术措施进行了总结和探讨。

紧急异地救援抗击新型冠状病毒肺炎的护士早期心理困扰调查

目的了解紧急异地驰援武汉抗击新型冠状病毒肺炎的护士早期心理困扰现状及其影响因素,为采取针对性心理干预提供参考。方法采用心理困扰管理筛查工具,对216名紧急异地驰援武汉抗击新型冠状病毒肺炎的护士进行调查,并分析影响因素。结果216名紧急异地救援护士心理困扰得分为(4.42±2.15)分,40.74%的护士存在显著心理困扰,其中情绪问题最多;性别、应急救援经历是紧急异地救援护士心理困扰的影响因素(均P<0.01)。结论紧急异地救援抗击新型冠状病毒肺炎的护士早期心理困扰较高,建议加强组织支持,重点关注女性、缺乏应急救援经历护士的心理状况,以降低其心理困扰。