高性能YVO_(4)基稀土杂化发光材料的构建及其能量传递机制

采用溶剂热和离子交换两步实验法,以YVO_(4)为无机基质,2-噻吩甲酰三氟丙酮(TTA)为有机配体,构建了具有核壳结构的YVO_(4)∶Eu^(3+)@YVO_(4)∶Eu^(3+)-TTA稀土杂化发光材料,研究了其高效的发光性能和内部的能量传递机制。结果表明,在621nm的监控波长下,YVO_(4)∶Eu^(3+)@YVO_(4)∶Eu^(3+)-TTA稀土杂化发光材料在280~420nm范围内有两个很强的吸收峰(即V-O峰和TTA特征吸收峰)。YVO_(4)基质通过交换作用能量传递,而TTA有机配体通过分子内能量传递,可将吸收的紫外光能量有效地传递给Eu^(3+),从而实现了Eu^(3+)更高效的可见光(红光)发射。

熔融沉积成型3D打印ABS材料的改性与应用研究

对熔融沉积成型3D打印ABS材料的改性与应用研究做了全面的综述。介绍了ABS材料的两种常用的制备方法,重点综述了熔融沉积成型3D打印ABS材料的改性方法,并对熔融沉积成型3D打印ABS材料在制造业、生物医学以及教育领域的应用做了阐述。

氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响

采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm^2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。

3D打印聚乳酸热塑挤压成型材料的研究及应用

对3D打印聚乳酸(PLA)热塑挤压成型材料的研究进展做了全面的综述。分析了PLA材料在3D打印材料中的优势,介绍了PLA材料的合成方法、结构与性能,以及3D打印PLA材料的改性方法、成型工艺与性能要求,并对3D打印PLA材料在生物医学中的应用做了详细描述;最后讨论了3D打印PLA材料未来的发展前景。

还原剂和分散剂对银粉粒径及微观形貌影响的研究

以抗坏血酸为还原剂,阿拉伯树胶为分散剂,采用化学液相还原法成功地制备出了亚微米级的银粉,并通过X射线衍射(XRD)分析仪和扫描电子显微镜(SEM)对制得的银粉进行测试与表征。主要研究抗坏血酸和阿拉伯树胶的用量对银粉粒径及微观形貌的影响。实验结果表明,银粉的粒径随抗坏血酸用量的增加呈现增大的趋势;而阿拉伯树胶对减小银粉粒径有较明显的作用,但其使用量过多反而会导致银粉团聚。

3D打印聚酰胺材料的研究进展

工程塑料具有良好的机械性能,是目前应用最广泛的3D打印材料。作为品种最多且应用最广的工程塑料,聚酰胺(PA)具有结晶度高、熔体黏度低、流动性好、易加工成型,且在3D打印成型后保持良好机械性能等优点。PA种类很多,通过不断改进改性方法,将开发出性能优异的纳米PA、无卤阻燃PA、导电PA、磁性PA等新型PA材料并用于3D打印技术。综述了PA6、PA11、PA12、PA66材料在3D打印技术中的研究进展,并对其发展前景进行了展望。

场发射显示器用蓝色YVO_4∶Tm^(3+)纳米荧光粉的制备及性能研究

采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Tm3+纳米荧光粉,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外分析仪、紫外可见(UV-Vis)吸收光谱和光致发光(PL)光谱对YVO4∶Tm3+纳米荧光粉进行测试和表征。实验结果表明,YVO4∶Tm3+纳米荧光粉可发出明亮的蓝光,色纯度和发光强度都很高,而且具有良好的热稳定性。因此,YVO4∶Tm3+纳米荧光粉是一种十分适用于场发射显示器的荧光粉。

YVO4∶Eu^3+和YVO4∶Tb^3+纳米粒子的制备及发光性能研究

采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Eu^3+和YVO4∶Tb^3+纳米粒子,并通过X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和荧光分光光度计分别对上述纳米粒子的晶体结构、粒子大小和光致发光谱进行表征和测试。结果表明,制备出的纳米粒子均为四方锆英石结构,其平均粒子尺寸为6~8nm,其中YVO4∶Eu^3+纳米粒子具有良好的红光发射,而YVO4∶Tb^3+纳米粒子并不发光。实验还对YVO4∶Eu^3+纳米粒子的发光机理和YVO4∶Tb^3+纳米粒子不发光原因进行了分析。

3D打印水溶性聚乙烯醇材料的研究与应用

对3D打印水溶性聚乙烯醇(PVA)材料的研究做了全面的综述。介绍了PVA材料的制备方法;重点综述了3D打印水溶性PVA在组织工程支架材料、药物装载材料、水溶性支撑材料以及可溶模具材料方面的研究与应用;并讨论了3D打印水溶性PVA材料存在的问题与未来的发展前景。

YVO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉的溶胶-凝胶法制备及其在手印显现技术中的应用研究

采用溶胶-凝胶法制备出了YVO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉,在高温下对YVO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉进行退火处理以改善其发光性能。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对YVO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉的微观结构和发光性能进行表征和测试。结果表明:退火后的YVO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉具有明亮的红光发射,将高性能的YVO_(4)∶Eu^(3+)荧光粉应用于手印显现技术中,可实现潜在手印的显现,且清晰度高。

快速冷却对Y^(3+)掺杂的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了Ca Cu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)及Y^(3+)掺杂的Ca_(0.97)Y_(0.03)Cu_(3)Ti_(4)O_(12) (CYCTO)陶瓷,研究了陶瓷烧成过程中采用随炉冷却和在空气中快速冷却的工艺对陶瓷样品物相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,当采用随炉冷却工艺时,Y^(3+)掺杂的CYCTO陶瓷的介电常数(ε′)相对于未掺杂的CCTO陶瓷有所提高,同时介电损耗(tanδ)也得到同步降低。而当采用在空气中快速冷却的工艺时,CYCTO陶瓷的ε′和tanδ得到进一步优化。阻抗分析表明,在空气中快速冷却的CYCTO陶瓷的晶粒导电性和晶界的绝缘性得到同步提高,从而增强了CYCTO陶瓷的介电响应而提高了ε′;而晶界绝缘性地提高导致了tanδ的进一步降低。快速冷却的CYCTO陶瓷在1 k Hz时,其ε′高达4.06×10~4,tanδ降低到0.036,其介电性能比随炉冷却的CCTO陶瓷(ε′=1.68×10~4,tanδ=0.16)得到显著提升。

绿色YVO_4∶Er^(3+)纳米荧光粉与PMMA/YVO_4∶Er^(3+)纳米复合材料制备及性能研究

采用溶剂热法成功制得YVO_4∶Er^(3+)纳米荧光粉,并基于甲基丙烯酸甲酯(MMA)的本体聚合反应,采用简单的溶液混合法将YVO_4∶Er^(3+)纳米荧光粉引入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,最终成功制得PMMA/YVO_4∶Er^(3+)纳米复合材料。实验表明,YVO_4∶Er^(3+)纳米荧光粉具有绿光发射。当Er^(3+)离子的浓度为0.8%时,YVO_4∶Er^(3+)纳米荧光粉的发光强度最强,达到1292cd。YVO_4∶Er^(3+)纳米荧光粉在225~350nm的紫外区有很强的吸收峰。PMMA/YVO_4∶Er^(3+)纳米复合材料具有良好的透光性,不仅在紫外光照射下具有绿光发射,而且能有效提高PMMA滤除紫外光的能力。

稀土离子掺杂YVO_(4)发光材料的制备、发光特性及应用研究

稀土离子掺杂YVO_(4)发光材料是一种性能优异的发光材料,受到人们的广泛研究。对稀土离子掺杂YVO_(4)发光材料做了全面的综述。介绍了稀土离子掺杂YVO_(4)发光材料的主要制备方法。重点综述了稀土离子掺杂YVO_(4)发光材料的发光特性及其在太阳能电池、手印显现、物质定量分析、生物成像和发光二极管器件等方面的应用。

Y掺杂Ca_(1-x)Y_xCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备及其介电性能研究

采用固相反应法制备了Y掺杂的CaCu_3Ti_4O_（12）（CCTO）陶瓷,研究了Y掺杂量对Ca_（1-x）Y_（2x/3）Cu_3Ti_4O_（12）（x=O%,1%,3%,5%）陶瓷的物相结构、微观形貌和介电性能影响,对Y掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明：Y掺杂量在1~5 mol%时对CCTO陶瓷的相结构基本无影响;然而,当Y掺杂量达到3 mol%时,CCTO陶瓷的晶粒长大被明显抑制。Y掺杂量为1~3 mol%时,不仅可以提高CCTO陶瓷的介电常数,而且可以同步降低其介电损耗,从而有助于CCTO陶瓷的综合介电性能的提升。

La^(3+)掺杂Ca_(1-x)La_xCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备及性能研究

采用固相反应法制备了La^(3+)掺杂的Ca_(1-x)La_xCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷,研究了La^(3+)掺杂量对Ca1-xLaxCu3Ti4O12(x=0%,1%,3%,5%,7%)陶瓷物相结构、微观形貌和介电性能影响,对La^(3+)掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明:x为3%时,开始出现杂相;x高于5%时,陶瓷晶粒开始细化;La^(3+)掺杂可以显著提高Ca_(1-x)La_xCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电常数,同时介电损耗在高频段也相应降低,从而有助于CCTO陶瓷的综合介电性能的提升。

低表面浓度磷掺杂的高方阻P-N结发射极制备工艺

制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明,当完成高温推阱后,在650~750℃温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比,采用在700℃下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2Ω/,所得相应太阳能电池光电转换效率E;达到18.69%,比产线工艺提高约0.23%。

氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。

Al-Nb共掺杂对CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了Al-Nb共掺杂的CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了Al-Nb掺杂量对于CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷物相结构、微观形貌和介电性能的影响,并对Al-Nb掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明,在x≤0.05时,Al-Nb共掺杂不会影响CCTO的物相组成,但当x=0.05时,会抑制CCTO陶瓷晶粒的生长;当x=0.03时,介电常数在20 Hz^1 MHz的频率范围内显著提高,同时介电损耗在小于10 kHz的频率范围明显降低,综合介电性能得到提升。分析认为,Al-Nb共掺杂时会增大陶瓷晶粒电阻,同时也会提高晶粒的半导化程度,从而增强了CCTO陶瓷的IBLC介电响应。

阴极还原和酸处理对多孔硅稳定性和发光特性的改善

采用两种简单的多孔硅后处理方法,即阴极还原和酸处理来提高多孔硅的发光特性。结果表明,对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的稳定性;对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度。结合阴极还原和酸处理两实验技术的特点,对所制备的多孔硅先进行阴极还原处理,再进行酸处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。

真空退火和氢退火对ZnO：B薄膜电学和光学性能的影响

在玻璃衬底上采用低压化学气相沉积法制备了B掺杂的ZnO薄膜,研究了真空气氛和氢气气氛下不同退火温度对ZnO∶B(BZO)薄膜电学性能和光学性能的影响。结果表明,两种不同退火气氛下进行退火处理,BZO薄膜性能发生相反的变化:真空气氛下退火时,BZO薄膜的导电能力随退火温度的提高而下降,但长波区的透光率却随之增加,这主要是由于真空退火后载流子浓度降低所致;而在氢气气氛下退火后,BZO薄膜载流子浓度基本保持不变,但Hall迁移率却显著提高,从而在保证透光率基本不变的前提下,使得BZO薄膜的导电能力得到显著提高,这可以为BZO薄膜光学和电学综合性能的协同优化提供一种有效方法。