毫米波微带波导过渡设计

利用高频分析软件HFSS仿真分析了Ka频段对脊鳍线微带波导过渡结构 .将仿真结果对影响过渡性能的几个因素进行了分析 ,得出了可供工程应用参考的设计曲线 ,并根据曲线设计了微带波导过渡 ,在整个Ka频段内 ,插入损耗小于 1dB .实验结果与设计曲线结果相符 .

关于射频目标跟踪半实物仿真系统设计

在雷达精确制导中,需要通过精确控制自动地把导弹引向目标。在研发测试过程中一般使用射频目标跟踪半实物仿真系统,通过控制天线阵馈电方案模拟目标位置,使三轴模拟转台控制导引头指向目标位置来测量精度。但是磨损等原因使得三轴模拟转台产生的机械误差和在天线阵设计过程中产生的计算误差都会对测试精度产生影响。根据以上提出了估算转台机械误差和天线阵计算误差对于制导系统精度影响的方法。转台误差的影响分析利用了多种坐标系转换,在计算误差的分析过程中使用了误差圆的概念,给出了计算误差对制导系统精度影响的分析方法。仿真结果表明,上述方法能够对使半实物仿真系统的测试精度进行较好优化,最终提高雷达制导精度。

新型毫米波微带带通滤波器

介绍了一种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器。对这种滤波器进行了分析,推导出了滤波器中所用谐振单元间的耦合系数。该滤波器通过加载电容而出现慢波效应,使得在不改变电路性能的情况下,减小了电路尺寸。同时由于电路中加载电容形成的慢波效应而出现了带阻效应,因此对谐波有很好的抑制作用。利用高频分析软件CST仿真分析并设计了这种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器,实验结果与设计曲线结果相符。

A Ka-Band PHEMT MMIC 1W Power Amplifier

The performance of a microwave monolithic integrated circuit .（MMIC） amplifier with high output power in the Ka-band is presented. Using 75mm 0.25μm GaAs PHEMT technology provided by the Hebei Semiconductor Research Institute, this three-stage power amplifier, with a chip size of 19.25mm^2 （3.5mm × 5.5mm）, on 100μm GaAs substrate achieves a linear gain of more than 16dB in the 32.5-35.5GHz frequency range,with an average output power at 1dB gain compression of P1dB = 29. 8dBm and a maximum saturated output power of Psat = 31dBm.

毫米波6W固态集成功率合成放大器研究

提出一种采用双对极鳍线—微带过渡的Ka频段2×2波导基功率合成结构.这种两路过渡结构在31.0-40.0GHz范围内实测背对背插损小于0.9dB,回波损耗优于12.0dB.组合四块GaAs MMIC功率单片制作的这种新型功率合成器,在32.0-36.0GHz频带、±1.21dB增益波动下获得6W的最大饱和输出功率,带内平均合成效率为82%,且在25W的直流功耗下也保持了极佳的散热性能.这些测试结果验证了本方案的可行性.

一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现

为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究。简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路。其性能指标为:工作频率2～8GHz,插入损耗≤23dB,总延时量为637.5ps,驻波比≤1.5∶1。同时指出,要获得高精度的实时延迟线芯片,正确选择控制器件的连接方式和分析延时网络的寄生效应是必要的。

一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片

采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8～10GHz,整个带内插入损耗小于0.7dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9GHz点频下测得1dB压缩点输入功率大于31dBm,芯片内部集成偏置电路,采用+5V/-5V供电,在+5V工作条件下,电流20mA。该芯片面积为2.0mm×1.4mm。