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电磁场切向边值关系的讨论 被引量:4
1
作者 夏从新 危书义 《大学物理》 北大核心 2010年第1期21-22,共2页
针对目前电动力学和电磁场理论教材中电磁场切向边值关系的推导方法不一及存在的问题,介绍两种推导电磁场切向边值关系的方法并作了相应的讨论.
关键词 电磁场 切向边值关系 矢量
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耦合GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点的非线性光学性质 被引量:5
2
作者 危书义 杨艳岭 +2 位作者 夏从新 吴花蕊 赵旭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期240-244,共5页
在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究。计算结果表明... 在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究。计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小。量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象。 展开更多
关键词 耦合量子点 激子 内建电场 光吸收系数
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内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响 被引量:6
3
作者 危书义 赵旭 +1 位作者 吴花蕊 夏从新 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期139-144,共6页
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化。结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有... 在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化。结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有重要的影响;量子点高度的变化对量子点发光性质的影响要比量子点半径的变化对量子点发光性质的影响更明显。 展开更多
关键词 GaN/A1GaN 量子点 内建电场 振子强度
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耦合GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子特性 被引量:4
4
作者 危书义 吴花蕊 +1 位作者 夏从新 黄文登 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期190-194,共5页
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究。给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子空穴复合率和量子点高... 在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究。给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系。结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加。 展开更多
关键词 耦合量子点 压电极化 自发极化 量子约束斯塔克效应 带间光跃迁
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Magnetism and Stability of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga_(1-x)Fe_x)As 被引量:1
5
作者 危书义 闫玉丽 +2 位作者 王天兴 夏从新 汪建广 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1586-1590,共5页
Magnetism and the stability of (Ga 1-xFe x)As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied (x=1,1/2,1/... Magnetism and the stability of (Ga 1-xFe x)As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied (x=1,1/2,1/4,and 1/8).The results show the effect of varying Fe concentration on the magnetic and stable properties. 展开更多
关键词 diluted magnetic semiconductor electronic band calculation MAGNETISM STABILITY
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半导体球形异质结中界面光学声子及电声相互作用 被引量:1
6
作者 危书义 黄文登 +1 位作者 夏从新 吴花蕊 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期42-46,共5页
在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色散关系和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿.对5层球形异质结CdS/HgS/CdS/HgS/H2O中的界面声子的色散... 在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色散关系和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿.对5层球形异质结CdS/HgS/CdS/HgS/H2O中的界面声子的色散关系和电声相互作用的耦合强度进行了数值计算,结果发现在5层球形异质结中,存在着7支光学界面声子,但仅有一支界面声子对电声相互作用的耦合强度具有重要的影响. 展开更多
关键词 界面声子 电声相互作用 球形异质结
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内建电场对纤锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN单量子点光学特性的影响 被引量:1
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作者 赵旭 危书义 +1 位作者 夏从新 吴花蕊 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期55-58,共4页
利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的三维约束效应,对柱形量子点光学特性在有无内建电场时随量子点结构参数的变化进行研究.结果表明:内建电场对量子点的发光波长和激子基态振子强度等光学性质有重要的影响,其中量子点高度的变化... 利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的三维约束效应,对柱形量子点光学特性在有无内建电场时随量子点结构参数的变化进行研究.结果表明:内建电场对量子点的发光波长和激子基态振子强度等光学性质有重要的影响,其中量子点高度的变化对量子点光学特性的影响要比量子点半径的变化对量子点光学特性的影响更明显. 展开更多
关键词 量子点 内建电场 振子强度
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In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中的激子态 被引量:1
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作者 危书义 吴花蕊 夏从新 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第4期152-152,共1页
关键词 InGaN量子点 压电极化 自发极化 量子约束斯塔克效应 带间光跃迁
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内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响
9
作者 危书义 夏从新 +1 位作者 汪建广 闫玉丽 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第2期121-121,共1页
关键词 InGaN量子点 压电和自发极化 带间光跃迁
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激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响 被引量:1
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作者 候文秀 危书义 夏从新 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第2期53-56,共4页
利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束... 利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束缚能有明显的影响.基态施主束缚能随着温度的增加而减小,随着Al含量的增加而增加,随着量子阱宽的增大而减小.并且随着阱宽的进一步增大,束缚能减小的趋势变慢. 展开更多
关键词 激光场 温度 施主杂质
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直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁
11
作者 袁花只 贾亚磊 +2 位作者 陈晓阳 夏从新 危书义 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第6期38-41,共4页
利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-x Gex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、... 利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-x Gex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感;基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小,同时光极化率峰值所对应的光子能量减小. 展开更多
关键词 量子阱 激子态 带间光跃迁
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Exciton States in Wurtzite InGaN Coupled Quantum Dots
12
作者 夏从新 史俊杰 危书义 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第8期1620-1623,共4页
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Chemisorption of Fe on Au-passivated Si(001) surface
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作者 危书义 汪建广 +2 位作者 马丽 夏从新 闫玉丽 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第6期932-937,共6页
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中国原子能科学事业的开创者——钱三强
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作者 侯新杰 李林艳 +1 位作者 李小丹 夏从新 《物理教师》 北大核心 2022年第12期72-75,共4页
回顾我国杰出的核物理学家钱三强的求学经历和科研历程,重点介绍了他在原子核物理方面的研究成就和为我国原子能科学事业做出的开创性贡献.
关键词 钱三强 原子核物理 原子能科学
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Recent advances in optoelectronic properties and applications of two-dimensional metal chalcogenides 被引量:9
15
作者 夏从新 李京波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第5期1-9,共9页
Since two-dimensional (2D) graphene was fabricated successfully, many kinds of graphene-like 2D materials have attracted extensive attention. Among them, the studies of 2D metal chalcogenides have become the focus o... Since two-dimensional (2D) graphene was fabricated successfully, many kinds of graphene-like 2D materials have attracted extensive attention. Among them, the studies of 2D metal chalcogenides have become the focus of intense research due to their unique physical properties and promising applications. Here, we review significant recent advances in optoelectronic properties and applications of 2D metal chalcogenides. This review highlights the recent progress of synthesis, characterization and isolation of single and few layer metal chalco- genides nanosheets. Moreover, we also focus on the recent important progress of electronic, optical properties and optoelectronic devices of 2D metal chalcogenides. Additionally, the theoretical model and understanding on the band structures, optical properties and related physical mechanism are also reviewed. Finally, we give some per- sonal perspectives on potential research problems in the optoelectronic characteristics of 2D metal chalcogenides and related device applications. 展开更多
关键词 2D metal chalcogenides SEMICONDUCTOR optoelectronic applications
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Controllable preparation of ultrathin 2D BiOBr crystals for high-performance ultraviolet photodetector 被引量:2
16
作者 Pengfei Liu Lei Yin +6 位作者 Liping Feng Yu Sun Hanqing Sun Wenqi Xiong Congxin Xia Zhenxing Wang Zhengtang Liu 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2021年第1期189-197,共9页
Ternary layered compound materials(bismuth oxyhalides and metal phosphorus trichalcogenides)stand out in electronic and optoelectronic fields due to their interesting physical properties.However,few studies focus on t... Ternary layered compound materials(bismuth oxyhalides and metal phosphorus trichalcogenides)stand out in electronic and optoelectronic fields due to their interesting physical properties.However,few studies focus on the preparation of high-quality two-dimensional(2D)BiOBr crystals with a typical layered structure,let alone their optoelectronic applications.Here,for the first time,high-quality 2D BiOBr crystals with ultrathin thicknesses(less than 10 nm)and large domain sizes(~100μm)were efficiently prepared via a modified space-confined chemical vapor deposition(SCCVD)method.It is demonstrated that a moderate amount of H2O molecules in the SCCVD system greatly promote the formation of high-quality 2D BiOBr crystals because of the strong polarity of H2O molecules.In addition,a linear relationship between the thickness of BiOBr nanosheets and Raman shift of A1g(1)mode was found.Corresponding theoretical calculations were carried out to verify the experimental data.Furthermore,the BiOBr-based photodetector was fabricated,exhibiting excellent performances with a responsivity of 12.4 A W-1 and a detectivity of 1.6×1013 Jones at 365 nm.This study paves the way for controllable preparation of high-quality 2D BiOBr crystals and implies intriguing opportunities of them in optoelectronic applications. 展开更多
关键词 2D BiOBr crystals SCCVD method H2O molecule interlayer interaction ultraviolet photodetector
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Donor Binding Energy in GaAs/Ga_(1-x) Al_xAs Quantum Well:the Laser Field and Temperature Effects
17
作者 危书义 侯文秀 +1 位作者 陈晓阳 夏从新 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第7期124-128,共5页
Based on the effective-mass approximation theory and variational method, the laser field and temperature effects on the ground-state donor binding energy in the GaAsflGa1-x AlxAs quantum well (QW) are investigated. ... Based on the effective-mass approximation theory and variational method, the laser field and temperature effects on the ground-state donor binding energy in the GaAsflGa1-x AlxAs quantum well (QW) are investigated. Numerical results show that the donor binding energy depends on the impurity position, laser parameter, temperature, Al composition, and well width. The donor binding energy is decreased when the laser field and temperature are increased in the QW for any impurity position and QW parameter case. Moreover, the laser field has an obvious influence on the donor binding energy of impurity located at the vicinity of the QW center. In addition, our results also show that the donor binding energy decreases (or increases) as the well width (or AI composition x) increases in the QW. 展开更多
关键词 laser field TEMPERATURE impurity states
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