金属Fe高指数面表面能的分子动力学模拟

利用基于嵌入原子型原子间相互作用势(EAM)的分子动力学理论,计算了金属Fe位于两个晶带上([001]晶带和[-110]晶带)一系列高密勒指数面的表面能.基于表面结构单元模型的经验公式,提出了一个更普遍的经验公式,可以根据几个低密勒指数面的表面能计算出高密勒指数面的表面能和表面结构特征.计算结果表明:最密排面的表面能最低,最密排面(110)面和次密排面的(100)、(112)面的表面能分别是表面能值随晶向角度θ变化曲线上的极小值.分子动力学理论模拟结果、公式计算结果和其他理论结果三者符合得较好.

有关运动超导体电磁性质的几点讨论

在伦敦方程和电磁场的洛伦兹变换的基础上讨论了在磁场中运动的第一类超导平板的电磁性质。结果表明临界磁场将随超导体的速度的增加而减小 ;在穿透层内有一指数衰减的屏蔽电荷分布 ,其符号与超导体表面由运动感生的电荷相反、数量相等。屏蔽电荷屏蔽了表面电荷产生的感应电场 ,使电场和磁场一样在穿透层内指数衰减 ,在远离表面的内部 。

Ge(313)表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的 sp3s* 模型 ,利用形式散射理论的格林函数方法 ,首次分析了半导体 Ge的(313)高指数表面的表面能带结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (313)表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辩的电子态密度和表面投影能带结构 .分析结果表明 :(313)表面在 - 12 e V到 1e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的轨道特性。

金属高Miller指数表面能的分子动力学研究

利用嵌入原子型原子间相互作用势的分子动力学,计算了金属Al,CU,Ni位于两个晶带上([001]晶带和[110]晶带)一系列高Miller指数面的表面能.推广了基于表面结构单元模型的经验公式.计算结果表明,利用本文推广的经验公式可根据几个低Miller指数面的表面能估计出高Miller指数面的表面能和表面结构特征.最密排面的表面能最低;最密排面(111)和次密排面(110),(100)的表面能分别是表面能值随晶向角度θ变化曲线上的极小值;理论模拟结果、公式计算结果和已有的实验数据三者符合得较好.

GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析

基于 Ga As( 1 1 4 ) A表面的几何结构 ,采用散射理论的格林函数方法 ,首次从理论上计算了 Ga As( 1 1 4 ) A表面的电子结构 ,得到了该表面的投影能带结构 ,并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性 .结果表明 ,在基本带隙中有 4个表面态 ,异极带隙中有 2个表面态 。

Si( 31 3)表面电子结构特性的理论研究

利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的 sp3s模型 ,首次计算了半导体 Si的(31 3)高指数表面的表面电子结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (31 3)表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面投影能带结构 .计算结果表明 :(31 3)表面在-1 0 e V到 +2 e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的色散特性。

物理学专业三层次教学模式探索

依据物理学专业学生的认知特点并结合具体的物理教学实践,提出三层次教学模式,旨在优化物理教学结构和促进物理教学改革.

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征

在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3 模型基础上 ,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ -Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的 (311)A表面的电子结构 ,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构 ,并给出了GaAs的 (311)A表面的层态密度函数 ,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和 (311)A表面的共同电子结构特征 ,计算结果与实验结果基本一致 .

临界态模型对高质量密度Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)块材样品低磁场磁化曲线的模拟计算

用临界态模型对热均衡压方法制作的高质量密度Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０块材样品在低磁场下的磁化曲线进行了模拟计算并与实验结果进行了对比。计算结果表明这种方法制作的样品有较高的粒间临界电流密度。

YBa_2Cu_3O_7基面电子态特性计算

用散射理论描述了 YBa2 Cu3O7( 0 0 1)面的电子能带结构。用近似到第三近邻的紧束缚模型得到了 YBCO的体电子态密度 ,Cu O及 Cu O2 的表面态密度和表面投影能带 ,进而分析了 Cu O和 Cu O2 的表面态密度的特点及与体态密度的差别。

矩分析方法和五夸克态(英文)

按照推广的矩分析方法 ,考虑了过程 e+ e- → ψ(2 S)→ ΘΘ,Θ→ K0 p,Θ→ K0 p,给出了 JΘ=1/ 2和 JΘ=3/ 2的不为零的矩表达式 ,这些矩有助于将来在升级的北京正负电子对撞机 /北京谱仪上寻找五夸克态 .

宇宙加速膨胀的一个玩具模型和修正的引力理论

Einstein引力理论在大尺度上的修正是解释目前宇宙加速膨胀的一类颇受关注的方案,它不需要引入奇怪的暗能量.作者构造了一个玩具模型,它与目前的天体物理数据相吻合,且能避免宇宙大撕裂.把宇宙标度因子a(t)代入由含待定修正项修正引力导出的宇宙动力学方程,并在t=t0处展开为Taylor级数,保留前2项,定出引力拉氏量中修正项的系数,从而把修正项置于更为可靠的基础上.

钝化多孔硅光致发光谱的时间演化特性

通过改变溶液的组成成份 ,用水热腐蚀技术原位制备出具有不同表面钝化状况的四类多孔硅样品 .将上述样品室温下存放于空气中 ,其光致发光谱的时间演化特性差异很大 .其中 ,氢钝化多孔硅的发光强度衰减最快 ,峰位蓝移量也最大 ,而铁钝化多孔硅的发光强度和峰位则几乎不发生变化 .红外吸收谱实验揭示出这种差异可能来源于样品表面钝化成份的不同 .

紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)

含时电磁场下具有含时平方反比项的谐振子系统

研究了含时电磁场下具有含时平方反比项的二维谐振子系统,运用幺正变换及Lewis-Riesenfeld不变量算符的方法求解了体系的精确波函数。在系统随时间周期变化的情况下,分析讨论了系统的非绝热Berry相。

反常弛豫的CuCl(110)表面电子态研究

采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 p- p和 p-

微扰法解Einstein场方程

首先从已知具有对角型度规的Einstein场方程的精确解出发,近似推导了含有微扰条件下的场方程形式;其次,利用这一微扰形式具体计算了静态球对称引力场的外部微扰解,并进而讨论了球状星系外部的引力特征.结果表明,该微扰解不仅可以与内部解衔接,而且在消除微扰的情况下还可以自动恢复到Schwarzchild解的形式.

BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与大多数Ⅲ Ⅴ族和Ⅱ Ⅵ族半导体的 (110 )面的电子结构定性上是类似的 .但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别 .

Gdel宇宙模型的一个近似解

通过对Gdel宇宙基本性质的分析,求得了弱场条件下其Einstein方程近似解,并对该解进行了分析.

含时谐振子的量子处理方法

系统地回顾了对含时谐振子的量子系统精确求解的各种方法及其应用，分析了这方面工作的主要特点。