CdWO_4膜的制备及发光特性的研究

利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带。利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带,另外两个分别位于444 nm(2.80 eV)和545 nm(2.28 eV)的发光带。证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO66-的发光引起的。研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响。随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大。样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。经600℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W。研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中。

稀土离子掺杂的铝酸锌膜的低压阴极射线发光

在空气中采用喷雾热解法合成了稀土铕(Eu)、铽(Tb)及铥(Tm)掺杂的铝酸锌(ZnAl_2O_4)发光膜,研究了合成条件对其阴极射线发光特性的影响。ZnAl_2O_4:Tb^(31)、ZnAl_2O_4:Tm^(3+)及ZnAl_2O_4:Eu^(31)膜分别发出主峰位于555 nm的绿光、主峰位于478 nm的蓝光及主峰位于616 nm的红光。上述发光均可在低退火温度(700℃以下)下获得,因此可以使用玻璃作为基底。同时研究了样品发光的色坐标和色纯度,并与标准的红、绿、蓝粉的色品度进行了比较。样品的亮度和效率都随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。此外,Eu掺杂的ZnAl_2O_4膜在850℃以上、还原气氛中退火后呈现Eu^(2+)的特征发射——宽的蓝发射带。

喷雾热解法制备的SrWO_4膜的阴极射线发光

利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO4多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响。生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO24-的电荷转移跃迁引起的。发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大。在SrWO4膜中掺入银离子Ag+和镧离子La3+后,不影响其发光特性,但铕离子Eu3+的掺入对发光特性有影响。

级联分层优化的薄膜电致发光

根据发光层中电子能量分布的不均匀性,在分层优化薄膜电致发光器件的发光层中插入SiO_2层,即级联分层优化薄膜电致发光器件。结果表明:由于SiO_2的加速作用,这种方法确实可以提高过热电子的能量。但发光强度及发光效率的提高还受发光层的结晶状态的影响。插入一层SiO_2后,样品的绿光强度提高了60％,发光效率也有所增加。插入两层SiO_2后,由于发光层结晶状态变差,绿光强度及发光效率都降低了。

高场下发光中心激发能级上电子的离化

讨论了稀土掺杂的硫化锌薄膜电致发光器件中被激发的发光中心的场致离化机理；根据弗朗兹，凯尔迪什效应估计了发光中心较高激发能级的深度。同时还考虑了碰撞和温度对发光中心离化的影响，计算并比较了场致离化、碰撞离化及热辅助离化的几率。结果发现。

铥、铽及铕离子掺杂的BaAl_2O_4膜的阴极射线发光特性

利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl2O4)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响。在退火温度达到700℃时,生成了BaAl2O4膜。Tm3+和Tb3+掺杂的BaAl2O4膜分别发蓝光和绿光,而Eu3+掺杂的BaAl2O4膜的发光既有Eu2+的特征发射——宽的蓝光发射带,也有Eu3+的特征发射——窄的红光发射峰。BaAl2O4∶Tm3+的发射主峰位于462nm,在电压为5kV和电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光(CL)亮度可达25cd/m2,效率可达0.11lm/W。BaAl2O4∶Tb3+的发射主峰位于549nm,在相同的条件下,其阴极射线发光亮度可达120cd/m2,效率可达0.55lm/W。BaAl2O4∶Eu3+的发射主峰位于616nm,其阴极射线发光亮度为50cd/m2,效率为0.23lm/W。BaAl2O4∶Eu2+发蓝光,峰值位于452nm,其阴极射线发光亮度为640cd/m2,效率为2.93lm/W。

ZnAl_2O_4:Mn薄膜的阴极射线发光特性的研究

采用喷雾热解法在铝矽酸盐陶瓷基底上合成了过渡族金属离子锰(Mn2+)掺杂的铝酸锌(ZnAl2O4)发光膜,研究了ZnAl2O4∶Mn膜在中至低电子束电压(<5 kV)激发下的阴极射线发光特性。生成的ZnAl2O4∶Mn膜在退火温度高于550℃时发出峰值位于525 nm的绿光,是由Mn2+的4T1→6A1跃迁引起的。测量了ZnAl2O4∶Mn膜阴极射线发光的色坐标和色纯度,其色坐标为x=0.150,y=0.734,色纯度为82%。ZnAl2O4∶Mn膜的阴极射线发光亮度和效率依赖于激发电压和电流密度。随着电流密度的增加,观察到了亮度饱和现象。在激发电压为4 kV、电流密度为38μA.cm-2的条件下,ZnAl2O4∶Mn薄膜的亮度可达540 cd.m-2,效率为4.5 lm.W-1。

有机发光晶体管的研究进展

兼备有机发光二极管及薄膜场效应晶体管特性的有机发光晶体管(OLET)不仅可能取代薄膜晶体管驱动的液晶显示,应用于大面积的全有机有源矩阵柔性显示中,还在集成电路信号处理等方面具有潜在的应用价值。文章概述了OLET的发展进程,并从器件结构、工作原理和材料等方面对其进行了概述。

丹东地区5个不同类型玉米品种的最适种植密度研究

以丹东地区5个主栽玉米品种为材料,采用裂区试验设计,在低密、中密和高密条件下,对产量进行方差分析,结果表明:低密度(45000株/hm^2)条件下,平展型玉米品种丹玉88比紧凑、半紧凑类型品种更具产量优势;中密度(52500株/hm^2)条件下,先玉335、京科968半紧凑型品种产量优势更加明显;高密(60000株/hm^2)条件下,紧凑型品种农华101和郑单958能更好地发挥其丰产性。

小功率光伏潜水泵磁力传动设计

介绍磁力传动技术在光伏水泵上的应用及其设计.

数控多功能工具机及其控制仪表的造型设计

文章论述了如何利用现代工业设计理论和方法，对数控多功能工具机进行造型设计．文中采用了美国创造学家奥斯本（Ｏｓｂｏｒｎ）创立的检核表法，对产品的结构、功能、材料、人－机－环境、色彩、比例尺度、线型、时代性及民族喜好等方面进行逐一检核，构思出功能先进、使用方便、式作新颖的工具机造型设计．

铽配合物Tb(o-BBA)_3(phen)有机电致发光研究

合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-BBA)3(phen))并用于有机电致发光。研究了Tb(o-BBA)3(phen)与PVK混合薄膜的光致发光特性,找出了PVK∶Tb的最佳比例为3∶1。制备了结构为ITO/PVK∶Tb/Al的单层电致发光器件,得到了铽离子的特征光谱,其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制,而电致发光以载流子俘获为主。

Ga^(3+)对Ce^(3+)光致发光的影响

研究了Ｇａ３＋在ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＳｒＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）材料中的作用及其对Ｃｅ３＋发光特性的影响。在ＳｒＳ中掺入Ｇａ２Ｓ３并烧结，发现Ｇａ３＋的浓度增加时，Ｃｅ３＋的发光显著向短波方向移动，激发谱中对应于ＳｒＳ带间吸收的激发峰相对减弱，而对应于Ｃｅ３＋的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高，并出现逐渐增强的ＳｒＧａ２Ｓ４的带间吸收。Ｇａ３＋的引入使Ｃｅ３＋周围的配位场发生变化，相应的能级分布有所改变，Ｓｒ２＋离子性的增强和Ｃｅ３＋－Ｃｅ３＋相互作用的减弱对Ｃｅ３＋发光特性有显著影响。

光伏发电及风力发电系统中铅蓄电池的建模

阐述了独立的光伏发电及风力发电系统中常用的铅蓄电池模型,特别提出了谢菲尔德模型、费西纳里模型及ITE模型,对各模型进行了比较并指出其尚存在的问题。

新型稀土铕配合物Eu(o-BBA)_3(phen)电致发光研究

研究了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲咯啉-铕(Eu(o-BBA)3(phen))的电致发光特性。采用不同的电子传输层材料,制备了多种结构的有机电致发光器件及有机无机复合器件。比较了单层电致发光器件A:ITO/PVK∶Eu/Al与有机无机复合器件B:ITO/PVK∶Eu/ZnS/Al发光性能的不同。分析了采用无机半导体材料ZnS作为电子传输层的优点。研究结果表明采用无机的电子传输层,能有效地避免激基复合物的形成,提高器件的亮度同时保持稀土离子发光的色纯性。

一氧化氮促进种子萌发的生理研究进展

一氧化氮(NO)是一种重要的活性分子,越来越多的证据表明,NO对解除种子休眠、促进种子萌发有一定作用。本文就种子萌发过程中NO的来源,以及NO促进种子萌发可能存在的生理机制进行概述,并对今后该领域的研究进行了展望。

有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论(英文)

在有机场致发光中,能带模型及分子理论从 20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达 10eV, 这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。

超薄层在白色有机电致发光器件中的应用

以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小;而在结构B器件的电致发光光谱中,BCP层与掺杂层(Alq3∶DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著,用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射.进一步改变器件结构,利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50nm)/BCP(3nm)/Alq3(3nm)/Alq3∶DCJTB(1%(w))(5nm)/Alq3(7nm)/Al.随着电压的增加(14-18V),该器件的色坐标基本保持在(0.33,0.37)处不动;在432mA·cm-2的电流密度下,该器件的发光亮度可达11521cd·m-2.

凤城地区玉米粗缩病的发生与防治

近年来,随着气候条件和玉米生产上耕作栽培模式的变化,玉米病害的流行趋势与发生特点也发生了相应变化。凤城地区玉米生产中重视玉米丝黑穗病、大小斑病、弯孢叶斑病和灰斑病等主要病害,对于粗缩病、玉米纹枯病等次要病害重视不足,导致一些次要病害出现逐年加重的态势。尤其是玉米粗缩病在辽宁沿海地区发生频繁,且呈现出由沿海地区向内陆地区扩展的趋势。结合最近几年凤城地区玉米粗缩病的发生情况,对其发病原因和发生趋势以及防治措施进行了简单概述,为凤城地区的玉米生产提供参考依据。

化学调控剂与钾肥互作对辽南地区玉米形态指标及产量的影响

以高秆大穗型品种丹玉202为试验材料,研究4种不同化学调控剂与4种不同剂量钾肥互作对辽南地区玉米形态指标及产量的影响。结果表明,玉米壮丰灵与4种不同剂量钾肥互作均有效降低玉米植株高度、增加气生根层数;玉皇V8与4种不同剂量钾肥互作均有效缩短玉米节间距离、增加茎粗、降低玉米倒伏率和倒折率;处理组合K2SO4112.5 kg/hm2+玉米壮丰灵产量最高为11 120.40 kg/hm2。