“大班教学、小班辅导”教学模式在发酵工程课程中的应用——以泰山学院生物与酿酒工程学院为例

发酵工程课程具有知识性强且基础知识结构稳定,涉及领域广泛,内容更新发展及时等特点,加之又是一门实践性较强的学科,多数学生仅可基本掌握发酵工程的微生物原理和常见发酵产品的发酵与精制的基本工艺,而回归实际生产过程时却无法应用相关工程知识并综合运用学科交叉及前沿知识来解决实际问题,最终导致学生对本课程整体掌握程度不理想。为解决该问题,本文选取2019级和2020级生物技术专业两个大班的学生为研究对象,对照组为2019级63人,实验组为2020级54人,分别采用传统教学法和“大班教学、小班辅导”互动式教学模式。对比两个班的平时成绩、期末成绩和综合测评等内容,总结评价“大班教学、小班辅导”教学模式在发酵工程课程中的应用实践效果。实践表明,实验组学生各项考核指标,尤其是综合测评成绩显著高于对照组,说明“大班教学、小班辅导”教学模式较为适合发酵工程类实践性比较强的课程教学,可有效缓解传统大班课堂带来的问题,对培养学生的创新能力和实践能力发挥积极作用。另外,本文针对目前“大班教学、小班辅导”面临的挑战,提出了一些改进建议,为进一步完善该教学模式在实践类教学中的应用,有效提高教学质量提供参考。

一种高电源抑制比低温度系数的带隙基准电路

采用两种方式提高了带隙基准电路的电源抑制比。首先,采用峰值电流源结构将三极管自身的增益引入反馈环路,从而提高了环路增益和带隙基准核心的电源抑制比。其次,运用预调制电路进一步提高了电源抑制比。此外,还提出了一种仅需源极负反馈非对称电流镜的曲率补偿电路,该电路具有跨工艺的通用性。所提出的电路采用0.18μm BCD工艺进行了验证,并应用在一款降压DC-DC变换器中。结果表明,所提出的电路在2.4 V、3.3 V和5 V供电下,低频分别具有127 dB、134 dB和136 dB的高电源抑制比,同时实现了3.74×10^(-6)/℃的低温度系数,总电流消耗仅为6.3μA~14.5μA。

一种可降低开关电源电磁干扰的扩频时钟电路

介绍了一种基于0.18μm BCD工艺实现的可用于降低开关电源转换器电磁干扰(Electromagnetic inter⁃ference,EMI)的扩频时钟电路,电路中的双相张弛振荡器可在1.8~4.0 MHz工作,采用了一个三输入比较器配合时序电路实现了振荡器的正常启动。为避免传统三角波调制方法产生人耳可闻噪声、导致输出噪声较大等缺点,采用了伪随机调制方法,首先通过7位线性移位反馈寄存器生成伪随机码,再使用电流舵数模转换器将伪随机码转换为电流,最终伪随机变化的电流控制振荡器频率以伪随机的方式变化。本文提出的扩频时钟电路应用在一款降压DC-DC转换器芯片中并进行了流片,测试结果表明扩频后功率谱基波峰值幅度下降10 dB,二次谐波峰值幅度下降17 dB,功率谱中没有明显的调制频率分量,可有效降低DC-DC转换器的EMI。

一种16位高速数模转换器(DAC)的设计与实现

基于Mixed-Signal CMOS工艺,设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC.电路设计中同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术,既保证了DAC电路的高精度,又减小了梯度误差的影响.电路流片后的实际测试结果表明,该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能.

一种16位高速数模转换器(DAC)的设计与实现

基于Mixed-Signal CMOS工艺,本文设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC。同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术,既保证了DAC电路的高精度,又减小了梯度误差的影响。电路流片后的实际测试结果表明,该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能。

基于产业集群的工业园区发展研究——以北京经济技术开发区为例

产业集群的理论在近年来得到了很快的发展,特别是基于FDI的产业集群。FDI在选择投资地时主要从规模经济、基础设施、人才利用、政策环境和长夜服务体系几个方面考虑。在龙头企业投资后能否形成产业集群还取决于龙头企业的示范作用。本文将用产业集群的相关理论来研究北京经济技术开发区电子信息产业集群的形成原因。

一种14位210MSPS校准电流DAC设计

本文设计了一种3.3V 14位210MSPS电流型DAC。该转换器包括高速模拟开关、带隙参考电路、电流调整电路和高速锁存器等。采用了分段电流沉结构,同时还采取了电流源调整技术,改善了芯片的线性参数。电路基于0.35μm CMOS工艺设计,芯片面积3.8mm2。测试表明,其刷新率可达210MSPS,INL为±0.8LSB,DNL为±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS为72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V电压下工作时功耗小于120mW。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/233873.

用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路

高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。

CDM:开发过程和风险评估

项目业主及大多数中介机构,都缺乏运作CDM项目的能力,缺乏对CDM规则的了解。申请CDM项目的每个阶段都包含大量有针对性的条款以及相应的英文文件,经验和能力缺乏带来的直接影响就是项目注册和获益的延迟．这对“时效性”极强的 CDM项目来说是严重的损失。

一种应用于LDO的可编程电流限电路设计

提出了一种应用于线性稳压器(LDO)的可编程电流限电路,可实现调整管电流的精准采样。根据输入—输出压差和负载电流的不同工作情况,通过调节片外的限流电阻来改变电流限值的大小。基于TSMC 0.25μm BCD工艺进行设计,采用H-spice进行仿真验证。仿真结果表明,LDO在2 V～5.5 V的输入电压、1.2 V～5 V的输出电压范围内,实现了最大3 A带载能力的输出,该可编程电流限电路可将电流限值在0.2 A～4.5 A内编程。

阿尔卡特并购贝尔引发并购风暴?

阿尔卡特并购贝尔,看似只是一场并购行为。

新型工业化选择哪条路更好——访中国人民大学商学院贸易经济系主任谷克鉴

一进入2004年,产业投资就掀起阵阵热潮。中国的产业投资究竟路在何方?外资的进入会对我们造成哪些影响?面对国外资本的进入,我们该如何进行产业结构调整,如何实现新型工业化呢?就此,我们采访了中国人民大学商学院教授、博士生导师、贸易经济系主任谷克鉴教授。谷教授现为中国国际贸易学会常务理事、中国商业经济学会常务理事、中国市场学会常务理事,曾担任中南财经大学工商管理学院院长,著有《HBS推断的验证与拓展:中国国民与外贸部门出口波动差异的实证分析》,获得了“安子介国际贸易研究奖”优秀论文一等奖;他的《制度变迁与市场国际化》获得了“安子介国际贸易研究奖”优秀著作奖和“第二届全国高校人文社会科学研究优秀成果奖”