C/Co/C纳米颗粒膜的制备及特性

应用对靶磁控溅射法在玻璃基底上制备了类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜,并进行了原位退火.发现磁性层厚度对C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性有明显影响.在400℃退火的样品具有很好的六角密堆积结构,磁矩很好的排列在膜面内.随着磁性层Co层厚度的增加,矫顽力Hc先增大然后减小, 粒径和磁畴簇略微增大,样品的表面粗糙度Ra也减小到了0.5 nm左右.

系列脉冲偏场作用下哑铃畴的行为

该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ⅠＤ、ⅡＤ）在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变方向以及丢失ＶＢＬ的现象．

脉冲偏场对形成正、负VBL的影响

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕。

三类硬磁畴畴壁结构分析

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。

对面内场作用下硬磁畴壁中垂直布洛赫线链解体方式的探讨

通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面内场垂直时．其畴壁中的垂直布洛赫线最容易消失，当哑铃畴与面内场平行时，其畴壁中的垂直布洛赫线最难消失。

温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。

磁泡点阵

实验发现系列脉冲偏场能形成磁泡点阵,并给出了其形成规律,为磁泡点阵的形成提供了一种方法。

直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭

实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数。此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索。

直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响

实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ，Ｈ（２）ｉｐ］，证明了面内场作用下普通硬磁泡畴壁中ＶＢＬ的消失与其畴壁中所含ＶＢＬ数目的多少无关。

Al掺杂ZnO薄膜的结构研究

采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜。系统研究了不同氩氧体积比、不同退火温度和氛围、不同Al掺杂浓度对薄膜结构的影响。结果显示,Al掺杂ZnO薄膜为多晶薄膜,呈六角纤锌矿结构,制备条件和后期处理以及掺杂浓度对薄膜的微结构有着很大的影响。在氩氧体积比6∶1条件下制备的薄膜,经真空500℃退火后具有较好的结晶和明显的(002)择优取向。

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。

Fe含量对FePt磁性薄膜的微结构和磁特性的影响

用直流磁控溅射方法和原位退火工艺在玻璃基片上制备了FexPt100-x纳米颗粒膜.研究发现,Fe含量对FePt纳米颗粒膜的微结构和磁特性有很大的影响.矫顽力随Fe含量的增加而增大,当x=48时矫顽力Hc达到了1 040 kA/m,样品出现很好的有序化L10结构.扫描探针显微镜(SPM)观察结果显示,所有样品具有横跨数个晶粒的粒状磁畴,Fe48Pt52的粗糙度Ra大约0.6 nm.

硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系

研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响．一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能，改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式，从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法．最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象．

3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。

Cu覆盖层对CoCrPt颗粒膜的微结构和磁特性的影响

在室温下,应用对靶磁控溅射设备制备了系列Cu(xnm)/CoCrPt(40nm)/Cu(20nm)三明治结构的纳米颗粒膜,随后进行了原位退火。实验发现Cu覆盖层的厚度(x)对颗粒膜的微结构和磁特性有很大影响。样品垂直方向的矫顽力在x=11nm时达到最大,为138kA/m,平行于膜面方向的矫顽力基本上与x的变化无关,且所有的样品都显示出很强的垂直各向异性。退火后的CoCrPt薄膜呈六角密堆积(HCP)结构,AFM和MFM测量显示在x=11nm时,颗粒的平均粒径和磁畴尺寸均为最小。开关场分布(SFD)的测量表明,退火有效地减弱了颗粒间的交换耦合作用。

温度和面内场联合作用下软畴段的行为

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度下的软畴段对应着不同的(Hip)d,而且(Hip)d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(Hip)d是饱和磁化强度4πMs的2倍.

硬磁泡临界面内场的重新测定

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场Hi(p1)时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.

退火温度对FePt薄膜物性的影响

用直流磁控溅射方法和原位退火工艺在玻璃基片上制备了Fe48Pt52纳米薄膜.研究发现,退火温度对FePt膜的微结构和磁特性有很大的影响,退火可以减小颗粒间的磁相互作用,矫顽力随退火温度的升高先急剧增大后减小,600℃退火处理的FePt样品平行膜面方向的矫顽力略大于垂直方向,分别达到了684.4,580.9 kA/m;650℃退火处理的FePt样品在2个方向上都获得了巨大的矫顽力,最大值达到了986.8 kA/m.

面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．