有限域上的正交变换

给出了构造有限域上的一类正交变换的具体方法,该变换运算简便且有快速算法,与普通Walsh变换相比,具有压缩输出数据的功能,可用于同步码分多址通信系统中。

利用本原单位根构造正交变换

在整环R上,基于本原单位根提出一种新的正交变换,它概括了整数剩余类环、有限域、复数域上的正交变换及多项式变换,包括离散傅里叶变换、阿达玛变换、Chrestenson变换,可导出多实值对称变换、离散W变换和离散正弦型变换.证明了离散正弦型变换的正交性.所有这些变换基于与离散傅里叶变换的联系都有快速算法.该变换对系统掌握常用的变换和构造新的变换大有帮助.

基于多层变换的置乱水印

文章在多层变换(即图像分层分块DCT变换)的基础上,每层加入了一种置乱后的水印,每个置乱水印由不同的离散沃尔什-哈达玛变换产生。一方面具备了多层嵌入的隐蔽性和鲁棒性,另一方面水印本身置乱后即使提取也不易被还原,从而构成了数字水印的双重保险,加大了水印的保密性和鲁棒性。

基于离散余弦-广义小波变换的数字水印技术

提出了兼备离散余弦变换和小波变换两者优点的离散余弦-广义小波变换和分层嵌入数字水印的概念与方法,该变换具有较强的数据压缩能力和嵌入水印的能力。用MATLAB语言在512×512Lena图像中分两层嵌入了图片及随机码,通过实验证明了该数字水印具有较好的隐蔽性和抵抗常见攻击的鲁棒性,也证明了为适应网络传输进行分层嵌入水印的可行性。

有限域与线性反馈移位寄存器

研究了有限域与线性反馈移位寄存器之间的内在联系,简捷地证明了产生线性反馈移位寄存器序列几种方法的等价性以及产生m序列的条件,这对产生、掌握、运用p值m序列很有益处。

基于正交试验法优化电火花线切割加工参数的研究

利用正交试验设计的方法,对高速走丝电火花线切割加工中的峰值电流、脉冲宽度、脉间比和零件加工厚度等工艺条件进行了试验的优化设计.运用综合评分法对零件的加工速度和表面粗糙度进行了综合考虑,将多目标问题转化成单目标问题.考虑到线切割加工的非线性特点,利用二元表找出了交互作用下的各种因素的最佳水平.得出了电参数与加工速度和表面粗糙度之间的联系,为进一步研究电火花线切割加工工艺规律提供了基础.

“新工科”背景下工科大学生能力培养策略

论文针对工科大学生的能力培养问题,基于"新工科"建设背景,提出了加强国际学术交流、积极引导学生参与教师科研项目、以学科竞赛为培养途径等策略。这些方法可以培养学生的科研思维,提高学生的学习兴趣,加强学生探求未知领域的欲望。

低温退火形成团簇CdSe棒状结构的实验分析（英文）

为了研究新型纳米结构对发光的影响,实验采用自组装的方法在低温(170℃)退火的条件下成功制备了棒状CdSe微结构阵列,并使用中心波长为365 nm的激光测量了棒状CdSe微结构阵列的荧光光谱.论述了团簇CdSe半导体材料的特性以及其光致发光性质,然后通过对退火后的棒状CdSe微结构阵列的荧光测量,分析实验结果表明:棒状CdSe微结构的长度、直径和阵列间距分别为505.91 nm、205 nm和309 nm,荧光光谱出现36.16 nm蓝移.而且,按照非平衡态统计物理系统中,基于低温退火对半导体材料产生的影响,通过一维福克-普朗克方程对其形成机理进行了实验分析.这种形成团簇CdSe棒状结构的低温退火方法为未来在新材料制备上提供了一个新的途径.

整数剩余类环上的正交特征群

给出了构造整数剩余类环上的一类正交变换的具体方法与步骤,该变换容易产生,没有舍入误差,运算速度快,可用于码分多路通信,具有抗噪声能力强的优点.

纳米WC增强Ni基涂层组织及摩擦磨损性能

为增强42CrMo钢表面硬度及耐磨性,利用半导体激光器在基体表面制备了质量分数分别为0、10%、20%、30%及40%nano-WC粉末的Ni60增强涂层。采用OM、SEM、EDS、XRD对试样的微观组织与相成分进行表征,利用数显显微硬度计和高温摩擦磨损试验机进行力学性能及摩擦磨损性能测试。结果表明,nano-WC增强Ni60涂层表面成形良好。增强涂层的组织形貌呈条状、树枝状、鱼骨状、块状和粒状;物相以奥氏体Ni-Fe相为主,nano-WC一部分保留下来,一部分形成了W2C新相;涂层中还生成有Cr23C6、M6C、Cr7C3复合碳化物及CrB和NiW等复杂化合物。nano-WC增强涂层的显微硬度最大可达1256 HV0.2,比Ni60合金涂层提高了约50%。增强涂层的最小磨损体积为1.29mm 3,仅为Ni60合金涂层的1/7;增强涂层平均摩擦系数可低至0.275,而Ni60合金涂层平均摩擦系数为0.530,降低了约48%。摩擦磨损研究表明nano-WC增强涂层磨损机制主要为黏着磨损,同时还伴有轻微的磨粒磨损。