532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极

AlGaAs光电阴极具有响应速度快和光谱响应范围可调的特性,可被应用于水下光通信领域.为了解决AlGaAs发射层较低的光吸收限制其量子效率提高的问题,利用分布式布拉格反射镜(DBR)结构对特定波长光的反射作用,将透过光重新反射回发射层进一步提高吸收率,从而增强阴极在532 nm波长处的响应能力.通过求解一维连续性方程,建立了具有DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应模型.采用时域有限差分法,分析了DBR结构中子层周期对数、子层材料以及发射层、缓冲层厚度对发射层吸收率的影响,对比了有无DBR结构AlGaAs光电阴极的光吸收分布.结果表明,周期对数为20、子层材料为Al_(0.7)Ga_(0.3)As/AlAs的DBR结构对532 nm光的反射效果最优.基于该DBR结构,发射层和缓冲层厚度分别为495 nm和50 nm时,发射层对532 nm光具有最佳吸收率.通过对外延生长的AlGaAs光电阴极进行激活实验,结果表明具有DBR结构的AlGaAs光电阴极在532 nm波长处的光谱响应率相比无DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应率提升了约1倍.

透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化

为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论模型,分别对两者进行光学结构拟合.结果表明,国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面均与ITT有一定差距.为了缩短两者的差距,优化阴极结构参数,具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响,结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.3μm、电子扩散长度为7μm,则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上.

基于稀疏表示的激光光斑复原方法

使用探测器阵列对远场激光光斑分布进行测量,是目前评价激光大气传输特性以及激光发射系统性能的重要方法。利用阵列探测器对高能激光系统性能进行评估,需要准确复原探测器测量所得的激光远场光斑。介绍了一种基于字典学习的阵列探测器激光光斑复原方法。首先利用改进后的线性插值算法对原始低采样光斑进行插值,其次介绍了K-SVD(K-singular value decomposition)字典学习算法,将所提方法运用到插值后的图像复原中。此外,用峰值信噪比(peak signal-to-noise ratio,PSNR)和光斑质心偏移量对复原图像进行量化对比。该算法复原的图像PSNR比传统算法高出4 dB~5 dB,光斑质心偏差量在x轴和y轴方向与传统算法相比分别降低了14.7%和12.2%。实验结果表明,所提方法在视觉和量化指标上都取得了良好的光斑图像复原效果。

浅析我国发展楼宇自控系统(BAS)的对策

针对国内现阶段智能建筑系统集成 ,尤其是楼宇自控系统 (BAS)中存在的问题 ,提出了建议 ;同时 ,主要从技术角度分析了发展我国自己的 BAS应采取的步骤和选定的突破口 ,为健康、有序地发展我国自己的 BAS提供了一定的参考。

基于改进Zernike矩的远场激光高精度中心测量

针对远场激光光斑分布不均匀、形状不规则的特性,提出一种基于改进的Zernike矩的远场激光高精度中心测量方法。在传统Zernike矩亚像素边缘检测基础上,使用新型的logistic边缘检测模型和阶跃阈值自适应提取方法,在减少人工对阶跃阈值误判的同时,提高对实际边缘的识别精度,最后使用最小二乘法椭圆拟合得到高精度激光光斑中心。该方法在远场激光中心检测中,单帧误差在0.5 pixel左右,连续多帧中心偏差波动在1 pixel以内,拥有较高的精度和可靠的稳定性。

激光指示器光轴调校技术

利用反射式光学系统对激光指示器的光轴进行了调校。提出了激光指示器及观瞄装置的光轴校正方案,并建立了调校装置。该装置由离轴抛物面反射镜、十字靶标、背景光源、图像采集装置及其它附件组成。对调校装置的测量精度进行了标定和计算。结果表明,该装置的测量精度可达到0.05mrad。利用该装置对激光指示器的光轴进行了调校,并给出了系统示意图和测试效果。

PIN光电二极管探测器响应特性测试

介绍了PIN光电二极管探测器的工作原理及基本结构,设计了探测器的测试系统,说明了测试系统中各个组成部分的结构和功能。利用该系统对PIN管光探测器电路的电特性进行了测试,测试结果表明PIN光电二极管探测器的响应特性符合技术要求。

1.06μm激光光斑中心的计算机分析

介绍了激光指示器的光轴调校原理,建立了调校装置,对脉冲激光能量分布进行了分析,对激光光斑 中心进行了计算.

反射式NEA光电阴极Cs-O层厚度的在线测试

提出了对 NEA 光电阴极的 Cs-O 层厚度进行在线测试方法,介绍了 NEA 光电阴极评估系统的结构,随后介绍了在 NEA 光电阴极制备过程中的光谱响应的变化,得到了响应曲线。通过对响应曲线的在线测试,以获得 NEA光电阴极 Cs-O 层的最佳厚度,根据实验结果提出了结论。

夜视环境分析及头盔式微光夜视仪的设计

本文研究了夜天光照射及激光助视下的景物反射辐射光谱特性,计算并分析了典型光电阴极对常见景物反射的光谱匹配系数及其对照度、对比度等参数的影响,并详细对头盔式微光夜视仪进行结构设计。

多光谱光学系统光轴平行性组合测试装置

介绍一种激光、白光和热像仪(或微光)三光合一观测仪器的捆绑式新型组合测试装置及其测试原理,并详细叙述了用该装置测试“三光”光轴平行性的过程和注意事项。该装置十字分划线的设计未采用常规的玻璃刻线工艺,而是选取电阻率较高的钨丝制成十字分划线,并在分划线的两端焊上电极,避免了测试时由于更换十字分划线靶标而可能产生的误差。该装置通过对观测仪器光轴平行性的检测和调试,为精确调校提供了依据,从而使3种光学系统的光轴平行性达到所需精度要求,对保证观瞄及测距的方向一致性起到了准确指示的作用。

多碱光电阴极多信息量测试技术研究

阐述了多碱光电阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线的测试原理 ,这些参量的获得对分析、指导阴极工艺是很有价值的。介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统 ,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理多碱阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线等参量 。

多碱光电阴极单色光电流测试技术研究

多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素，介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统，该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电流，测得的曲线有助于分析和指导工艺，从中还可得到光电子逸出深度的信息。该文给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。

多碱光电阴极光谱响应在线测试结果与分析

介绍了多碱光电阴极制备过程中测试的光谱响应，并作了简单分析。研究结果表明，Sb，K交替决定双碱化合物Na_2KSb的导电类型，Cs处理降低Na_2KSb的电子亲和势，延伸长波阈；Sb，Cs交替形成锑铯偶极层，在Na_2KSb上吸附的铯原子数和感应的偶极层的偶极矩同时影响多碱光电阴极的灵敏度。

用动态光谱响应测试技术评价多碱光电阴极的电子亲和势

利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7～ 0 .91eV ,0 .35～ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的差别。在Na2 KSb形成过程中存在n型表面态 ,这些n型表面态的存在影响了Na2 KSb的重掺杂 。

依托科研课题,提高本科毕业设计质量

毕业设计是加强和完善本科教学的最后一个环节,直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,是对学生在校期间所学知识的一次全面检验、总结和提高。本文阐述了依托科研课题开展毕业设计的重要性与必要性,并结合毕业设计实例,从科学选题、创新能力培养、团队协作能力的训练及毕业设计论文质量的保证等方面提出了具体的措施。实践证明,这些措施和建议是切实可行的。

面源灯丝的热电子发射电流密度和均匀性分析

为了测试像增强器荧光屏的均匀性参数,需要均匀的电子发射源。根据真空热辐射特点,设计了3种面源灯丝造型的理论模型。对电子发射源造型进行了理论模拟、热平衡分析;在此基础上,参照热电子发射理论进一步分析了电子发射源的热电子发射电流密度,并分析电子发射源发射的热电子均匀性,得出最合理的灯丝造型,对电子发射源的理论研究和实际制作具有指导意义。

对本科毕业设计指导工作的分析和建议

毕业设计是加强和完善本科学习阶段的最后一个环节,直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,是学生在校期间对所学知识的一次全面检验、总结和提高。本文阐述了毕业设计的重要性与必要性,结合南京理工大学的实际,分析和总结了毕业设计的现状与存在的问题,从科学选题、完善毕业设计过程、因材施教、保证毕业设计论文质量等方面提出了改进毕业设计工作的措施。实践证明,这些措施和建议是切实可行的。

微光像增强器荧光屏测试系统的研究

为了评价微光像增强器在封装前各组成部分的性能,设计并研制了微光像增强器荧光屏测试系统。阐明测试系统的构成以及设计的关键技术,采用数学建模的方法确定热电子发射源的形状。研究了亮度均匀性校正,给出荧光屏发光均匀性、亮度、发光效率和余辉的测试方法。该仪器可以广泛应用到各种型号的荧光屏的研究和生产领域。

GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算

介绍了计算CaAs∶Cs ONEA光电阴极电子表面逸出几率的方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响 ,提出了增大电子表面逸出几率的条件 。