采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱

采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明,所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1.6～2.3μm的范围。

采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb

采用界面失配阵列(Interfacial Misfit arrays,IMF)技术深入研究了在GaAs衬底上外延生长GaSb,研究了生长温度、Sb:Ga等效原子通量比、AlSb过渡层厚度和GaSb外延层厚度对材料结构质量的影响。其中,生长温度、AlSb过渡层厚度是影响GaSb材料结构质量的重要因素,通过高分辨率X射线衍射(HRXRD)研究,HRXRD测量材料的衍射峰半高全宽(FWHM)值对这两个参数的变化非常敏感,而Sb:Ga等效原子通量比(Effective atomic flux ratio),在富Sb条件下,材料结构质量受其变化影响有限,GaSb衍射峰FWHM值随其变化轻微,但是GaSb材料层结构质量随其厚度增加而提高。优化的条件为GaSb材料生长温度约为515℃,AlSb过渡层厚度为5 nm。制备10 nm厚的GaSb外延层,经HRXRD测试,其衍射峰FWHM值仅为约15 arcsec,与商用GaSb衬底的衍射峰FWHM值相当。生长于其上的量子霍尔器件,在1.8 K及无电场偏压测量条件下,电子迁移率高达1.5×10^(5)cm^(2)/Vs,达到了GaSb衬底上器件性能水平。

“祖”文化之于“地方感”与“超越性”的表达范式

在中国文化传统中,"祖"文化意指祖先及其所确立的亲属制度与信仰系统,及相关文化伦理、世界观、祭祀仪式,倾向于强调天地、礼仪、象征和宇宙观。"祖"文化通过土地、姓氏、宗庙、祠堂等一系列公共象征符号及围绕符号展开的祭祀、庆典等仪式活动,形成了特定群体的在地化知识体系和地方感,同时也建立了宇宙、天地与人的互动关系,促成的是自然、社会和个人的相互混融,是超自然关系和超社会力量的集中表征,体现着人类的自我超越性。

采用AlSb缓冲层生长2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3μm附近。

物与鄂伦春人的人观研究:猎业时代

具体的"物"是具体历史文化背景之物,"物"因此在某一特定文化模塑下呈现出不同的存在样态。在传统的游猎文化中,鄂伦春人对于自然物、制造物、共享物、私有物以及神圣物,对于物与人之间的地位和关系,物与社会建构等,都形成了自己的认识、分类和阐释,以理解自我以及周围的世界,并由此投射出对自然界或生活环境的看法,形成人类族群共同体独特的价值体系、认知体系和解释体系。

在场与在上:祖先崇拜的文化人类学思考

祖先崇拜是中国乃至世界范围内影响深广而且持久的一种文化信仰范式,在与其相关的家族血缘系统、亲属关系、宗法制度、信仰仪式等多种语境中演绎着祖先的在场;又进而化作一个民族的价值取向、道德伦理、思维定势,成为塑造民族性格的深层文化根源,彰显了普遍的认知性、规范性和神圣性,即祖先在上,其所秉持的文化价值、伦理价值和社会意义都是值得尊崇和深入思考的。

计算机模拟InGaSb/GaAs薄膜外延生长的研究

该文采用动力学蒙特卡罗(KMC)方法模拟了InGaSb薄膜由2D到3D的外延生长过程,观察到明显的岛状生长过程,并且发现从网络结构的形成到衬底被完全覆盖,岛的接连处曲率不断变大,由此可见实际岛接连处的应变的增加导致了化学势的变化,进一步促使质量的变差,并对表面形貌产生影响。

晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究

InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接导致材料晶体质量变差,而且每层的厚度和组分变化会强烈影响材料结构性能.论文研究验证了InAs/GaSb超晶格材料生长的最佳温度约在420℃.通过在衬底旋转的情况下生长40周期短周期GaSb/AlSb和InAs/GaSb超晶格,并采用XRD测量拟合获得了GaSb和AlSb层厚分别为5.448 nm和3.921 nm,以及InAs和GaSb层厚分别为8.998 nm和13.77 nm,误差在10%以内,获得了InAs/AlSb超晶格的生长最优条件.在GaSb衬底上生长晶格匹配的40周期的InAs/AlSb超晶格波导层,充分考虑飘逸As注入对InAs/AlSb超晶格平均晶格常数的影响,在固定SOAK时间为3 s的条件下,通过变化As压为1.7×10^(-6)mbar来调整个超晶格的平均晶格常数,实现了其与GaSb衬底晶格匹配.实验结果表明超晶格零阶卫星峰和GaSb衬底峰重合,具有完美的晶格匹配,尖锐的次阶卫星峰和重复性良好的周期结构也表明优异的超晶格材料结构质量.

电化学定域性刻蚀多孔InP光波导

采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导。使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响。电化学刻蚀过程中,分别利用掩模图形诱导刻蚀方向,改变电流密度调整孔隙大小和深度,改变刻蚀时间控制形成的多孔结构的深度。采用电化学定域性刻蚀与电子束光刻技术相结合,在InP衬底上制备具有光学传输特性的光波导结构。反射率测试结果表明,采用波长900 nm的入射光,多孔结构具有导波模式。使用500μm长的InP多孔结构所制备波导的损耗约为9.92 dB/cm。多孔结构InP光波导在光子集成领域具有较好的应用价值和前景。

大学生道德信仰教育问题研究

道德信仰作为信仰的一种基本形式,体现了道德体系的最高价值理想和人格的最高境界,蕴含着道德主体对道德理想与规范的价值认同和行为趋向,它从根本上解决了人为什么要有道德以及应该具有什么样的道德的问题,因此,道德信仰教育问题对大学生来说具有重要意义。从某种意义上来说,大学生道德信仰危机体现了道德信仰的缺失,道德生活的空虚与迷茫,正确认识这种现状,并分析其产生的根源,才能寻求有效的途径建构大学生的道德信仰。

自助求学与民族地区大学生素质教育的思考

素质教育是我国在当代新形势下推行的科学、全面的教育方针,而民族地区大学生素质的提升是其中的重点和根本。自助求学作为大学生教育组成部分,是大学生进行劳动实践,了解社会的有效方式,在世界各国得到普遍实行与重视,因此成为素质教育的重要组成部分,也是提升大学生综合素质的有效途径。高校应正确认识自助求学在大学生素质教育中的地位和作用,推动素质教育教学,促进民族地区大学生全面发展。

2μm中波红外锑化物激光器研究

2μm中波红外锑化物激光器在大气光学检测和环境监测,自由空间光通讯,红外测试,清洁能源,煤矿安全,分子光谱测量、激光医疗、红外雷达、生物技术和热成像等领域表现出应用潜力。本论文设计并制备了2μm锑化物激光器,制备的器件阈值电流约为420mA。室温下,注入电流为1.1Ith时激射光谱发射波长在2μm左右。

十八站鄂伦春人生活消费状况的田野调查

国家现代化进程中对鄂伦春人聚居区自然资源的大规模开发,移民的急剧增多使鄂伦春人传统生存环境产生巨大变化,社会经济基础发生动摇。本文以黑龙江省塔河县十八站鄂伦春人为研究对象,从资源的利用与效益、消费与生活两方面分析了鄂伦春人的生存现状,鄂伦春人已脱离了传统狩猎经济,经营粗放的农业、副业、服务业,大多数劳动力处于失业或半失业状态,实际上他们成了无主业的民族。从而导致了今日的鄂伦春人在整体上仍处于不能维持其基本生存的状态,他们的生活还没有从依靠国家和政府的救济转到发展生产、增强自我发展能力上来。

社会变迁与民族主体意识的建构——以鄂伦春族为例

上个世纪五十年代以来,随着整个国家的现代化进程,鄂伦春人的社会文化发生了巨大变化,在党和政府的关怀帮助下,他们的生产、生活水平有了很大提高。但是,由于历史、社会等多种因素,表现出明显的边缘性、封闭性,社会经济发展缓慢。总结建国以来在主流社会推行的变迁计划和受主流社会现代化进程的裹挟而经历的社会文化变迁过程,存在的问题主要是这个民族面对生产关系的剧烈变革不知所措,他们被迫脱离传统的生产活动,无所事事,导致精神上的失落,意志消沉,丧失了自食其力的能力和愿望,丧失了民族的斗志和向上的精神,这样的民族只能衰退,不能真正地发展,因此,必须通过激发其民族主体性意识推动社会发展。

非物质文化遗产视角下的“社”与“祖”

在中国文化传统中,"社"与"祖"意指土地、祖先,涉及相关文化伦理、世界观、信仰、礼制、仪式、社会维度。"社"与"祖"的认知逻辑为"天人合一",促成的是宇宙、社会与个人的相互混融,承载着"亲"、"和"、"孝"、"序"等中华文明的核心价值体系,建构并调适着人地关系、人神关系、人际关系,塑造了社会的基本架构模式。"社"和"祖"不仅是民族文化的肇始和根源,也是我国传统文化遗产体系中的核心与载体,其所秉持的伦理价值、文化价值、社会意义和时代意义都是值得深入思考和尊崇的。

大兴安岭鄂伦春族狩猎民俗旅游模式分析

鄂伦春人传统狩猎生活已经与这个世界辞别了60年,他们在猎业之外寻找出路,经营粗放的农业、牧业、副业,低下的生产力发展水平和社会发育程度使鄂伦春人居住区表现出普遍的贫困与落后状态,他们的生活仍主要靠政府救济,这些人眼前的困难解决了,吃粮问题有了保障,可是生产的发展和生活状况的改善还有待于他们自发地寻找新的生产门路。本文认为,从游猎到定居的转变的实质在于涉及到狩猎文化系统的重新建构,涉及到定居以后,面对一个陌生而复杂的社会环境,狩猎文化如何进行调整、适应,能否顺利发展。本文通过对大兴安岭十八站鄂伦春族田野调查,从民俗旅游角度对狩猎文化的重构提出自己的看法。

计算机自动控制MBE AlGaAs/GaAs生长系统研究

以计算机控制分子束外延设备为究对象,对原有设备进行改造和升级。采用高能电子衍射仪、IS4000等基于计算机处理的观测手段,通过扫描电子显微镜和x射线衍射仪等测试手段证明,该系统具有良好的稳定性,取得了较为满意的结果。

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响

InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪（RHHEED）得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线双晶衍射（DCXRD）等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172＂,77 K下迁移率为64 300 cm^2·V^-1·s^-1的InSb外延层.

从大学生自助求学谈教育与劳动相结合的必要性

20世纪60年代,我国一批老一辈无产阶级革命家远涉重洋,赴法自助求学,走出了一条亦读亦工的求学之路,用实践证明了这是一条有益于青年成长和成材的道路,不同历史时期,自助求学被一代又一代的青年人以不同方式践行者,也成为当代大学生了解社会,体验劳动实践过程的主要方式,并在世界各国得到普遍重视与实行,这无疑是教育与劳动相结合的在当代社会的重要方式,而促使教育与劳动更好地结合也必将促进人的全面发展,推动社会不断进步。

2.0μm波段Sb基多量子阱材料的制备

采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0μm左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22mW,阈值电流300mA。