铁钛多元微合金化对CuCrZr合金组织和性能的影响

CuCrZr合金由于具有优异的综合性能被广泛应用于高温领域,对于高温耐热铜合金来说,在保持高强高导的同时,需要拥有更好的高温组织稳定性和高温力学性能。本文通过Fe和Ti元素的微合金化提高CuCrZr合金的耐热性能,研究了合金化元素的添加对CuCrZr组织和性能的影响。研究发现Fe和Ti元素的添加使合金的变形机制由滑移主导向滑移和孪生共存转变。由于孪生机制的影响,合金内生成了高密度的纳米孪晶和层错,这些微结构对合金的强度和塑性均能够产生有益作用。研究还发现合金元素的添加改变了CuCrZr合金中第二相的成分,使得纳米尺度和微纳尺度的第二相由Cr颗粒变成了Cr/Fe颗粒。由于微合金化元素的添加改变了合金的微观组织和第二相,最终使得合金的高温性能稳定性有了一定程度的提高。

本科生科技创新能力培养方法的探索

国家建设需要有创新思想和创新能力的后备力量,高等学校要注重大学生创新能力的培养。从本科生参与大学生科研训练计划的角度出发,针对学生选题、文献阅读、数据记录、学术交流与结果分析等几个方面进行了分析与探讨。从指导老师与学校的角度提出如何对学生开展有效的指导。

Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究

采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律 ,并进行了相成分分析。研究发现 ,淬火得到的Mn0 .2 2 Cd0 .78In2 Te4晶体中存在两个界面 ,其中一个为固液相变界面 ,另一个为由α + β两相区发展到单相 β区时的转变界面 ,二者相对于生长初始端均为凹形 ;α+ β两相区中 ,β相以条状、花状和近似圆片状形式存在 ,其中条状 β相多分布在晶界处 ;越接近生长初始端 ,花状和近似圆片状β相越小 ,条状 β相越细 ,它们的含量越少 ;X射线衍射图谱表明 ,β相为黄铜矿结构 ,α相为面心立方结构。

Mn掺杂ZnO纳米线的制备及其磁学性能

采用气相沉积方法在ZnO纳米线中实现了磁性元素的原位掺杂,获得大量高结晶质量的Zn1-xMnxO纳米线.X射线衍射、光电子能谱和透射电镜结果表明,Mn确实固溶入ZnO中而没有形成杂质相.采用超导量子干涉仪研究了Zn1-xMnxO纳米线的磁学性能,发现其铁磁性与Mn的掺杂含量有关.

材料物理性能教学中学生学习兴趣激发

对材料物理性能课程的教学内容、教学方法、教学手段和实验教学模式等进行了探讨。从激发学生学习兴趣角度提出了一系列改进方法,从而有效提高了课堂教学效果,也提高了学生的学习能力、实践能力和创新能力。

浅谈本科生创新能力的培养

培养出具有创新精神和创新能力的人才是高校素质教育的重要目的之一。该文在如何培养与提高本科生的创新意识、创新思维和创新能力等方面开展了探讨。分析了如何在本科生开展科技创新活动中通过选题、文献阅读,实验以及论文撰写等过程有效地激发和提高学生的创新热情和创新精神,培养出本科生严谨的科学态度,提高学生的知识应用能力、实践能力、独立思考和解决问题的能力,以及培养学生的团队精神、自信心和责任心等,希望寻找到合适的培养模式全面提升本科生的创新能力。

“电子信息材料”课程的教学改革

"电子信息材料"作为一门公共选修课,科学、合理的教学内容设计与有效的教学方法不仅可以拓宽学生的知识视野,提高他们的综合素质,还可以帮助学生更好地选择自己未来的就业方向以及学术研究方向。结合多年的教学实践、经验与体会,对"电子信息材料"课程的教学内容、教学方法、教学目的、教学任务等环节进行了探讨,针对如何培养学生的兴趣及主动性、提高教学质量和效果提出了自己的一些看法。

ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性

研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分布 ;通过数学方法处理实验数据得到Mn ,Cd和In的分凝因数在α相区分别为 1.2 86、1.92 5 7和 0 .72 94,在 β相区则分别为1.12、1.0 5 5和 0 .985。

Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长及其性能研究

采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比 ,结果出现三种相 :α相、β相和 β1相 ,其中α相和 β相是在晶体生长过程中形成的 ,随温度降低 ,从α相中又析出β1相。当晶体生长到稳定段 ,完全形成 β相。Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体从生长初始端到接近稳态区 ,β1相由规则排列的片状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为 1.2eV的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 在 10 0 0 0～ 4 0 0 0cm- 1的近红外波数范围内 ,其透过率最高达 83% ,在 4 0 0 0～5 0 0cm- 1的中红外波数范围内透过率为 5 9%～ 6 5 %。

Bridgman法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体相形成规律和物理性能研究

采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.

Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析

采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0

材料电子理论课程全英文教学

高等教育国际化是为了培养具有国际意识、国际交往能力和国际竞争力的高素质人才,也是大学教育改革的重要发展方向。教育国际化已经成为促进社会、经济和教育可持续发展的重要举措。以国际班材料电子理论课程为例,从国际班定位、教材选择、教学方法、教师队伍等方面,探讨了在全球教育高等国际化背景下开展全英文教学,以培养学生英文思维模式,激发学习兴趣,有效提高专业课全英文授课课堂教学效果。

Mn掺杂ZnO纳米线的拉曼散射和光致发光特性

研究了不同Mn掺杂含量的ZnO纳米线在室温条件下的拉曼散射和光致发光性能,发现Mn掺杂入ZnO后引入了部分应力,在其拉曼光谱中表现出拉曼峰的位置发生偏移,Mn的掺杂含量越高,峰偏移得越明显。Mn的掺杂对ZnO纳米线的发光性能也有影响,尽管掺杂后仍保持有较为明显的紫外发光峰,但是,随着Mn含量的增加,紫外发光峰的强度降低,并且半峰宽逐渐增大。此外,Mn的掺杂明显地改变了ZnO紫外发光峰的位置。

缓蚀剂对金属钆在水介质中腐蚀行为的影响

采用失重法、腐蚀电化学方法研究了NaOH、NH4OH、单宁酸和苯并三氮唑等缓蚀剂对金属钆在水介质中腐蚀行为的影响。在没有缓蚀剂的情况下,钆在水中发生明显的点蚀,腐蚀速度为0.152g.m-2.h-1。NaOH能有效地控制金属钆在水介质中的腐蚀,经8880h的长时间浸泡,钆表面依然呈现明显的金属光泽,没有失重与点蚀发生。当采用NaOH调节苯并三氮唑(BTA)溶液的pH值接近中性时,钆在其中长时间浸泡,同样没有失重发生,表观没有发现点蚀发生。选择合适的缓蚀剂,使得钆能够在水介质中不发生腐蚀,保证了磁制冷机的长时间正常运转。

ODS钢搅拌摩擦焊接头的微观组织及其高温力学性能

采用搅拌摩擦焊(friction stir welding,FSW)技术对氧化物弥散强化(oxide dispersion strengthen,ODS)铁素体钢进行了焊接,并对焊接工艺进行了优化.当转速为150 r/min,焊接速度为30 mm/min时可以获得无焊接缺陷的ODS钢焊接接头.结果表明,采用FSW焊接的ODS钢接头的微观组织出现明显的洋葱环结构,搅拌区为等轴再结晶晶粒,前进侧热机影响区表现出明显的塑性流动的特征,热影响区的晶粒较母材也发生了明显改变.接头的高温拉伸性能偏低,但经过温度1 150℃,时间1 h的热处理后,其高温拉伸性能得到大幅提高,与母材拉伸性能接近.

铁素体/奥氏体异种钢焊接接头的微观组织及其力学性能

采用钨极氩弧焊(TIG)对铁素体钢501B和奥氏体钢316LN进行了焊接,对焊接接头的微观组织和力学性能进行了检测分析。结果表明:铁素体侧热影响区出现了粗大的组织,而奥氏体侧热影响区的晶粒只发生了轻微长大。熔合区形成了晶粒细小的等轴晶,焊核区的中心部分形成了垂直于焊接方向的柱状晶。合金元素在两侧熔合区均发生了一定程度的扩散。焊接接头硬度分布不均,波动较大,且存在硬度陡降的薄弱区。室温拉伸结果显示,试样断裂在316LN母材处,断口为韧性断裂。高温拉伸试样断裂在焊缝区,断裂形式为脆性断裂和韧性断裂相结合的混合断裂。

具有一级磁相变的不同系列NiMnGa合金其电子浓度对相变温度的影响

分析了具有一级磁相变的Ni2+x+yMn1-xGa1-y,Ni2+xMn1-xGa两个合金系列中,合金电子浓度e/a对结构和磁转变温度的影响。对于Ni2+x+yMn1-xGa1-y系列合金,随着电子浓度的增加,马氏体相变温度TM增大,居里温度TC减小,在e/a=7.68处相交,继续增加e/a,TM和TC同时减小;而对于Ni2+xMn1-xGa系列合金,随x的增加,电子浓度增加,TM增大,TC减小,在e/a=7.635处相交,x继续增大,TM和TC仍然缓慢增加。不同NiMnGa合金系列中TM,TC与合金的e/a之间不同的变化关系说明,e/a对TM和TC的影响在不同的NiMnGa合金系列中是相同的。

Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究

采用热蒸发法制备了单晶Sn掺杂ZnO纳米带,其中Sn的掺杂含量约为5%(原子分数)。X射线衍射(XRD)结果表明Sn掺杂ZnO纳米带为单相纤锌矿结构。X射线光电子能谱(XPS)表明样品中Sn的价态为4+。样品的室温光致发光谱(PL)在445.8nm处存在较强的蓝光发射峰,对其发光机制进行了分析。

常压条件下制备SnO_2纳米线及其光学性能研究

在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构。在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰。研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO2纳米线的形成过程中起重要的作用。

新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能

采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5～ 30 0K和磁场强度范围 0～ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率曲线变化很小 .随着x的增加Cd1-xMnxIn2 Te4 的光学带隙移向高能端 .磁化率倒数 χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里 万斯定律 ,在低温下x≥ 0 2 2时向下偏离该定律 .与具有相同Mn2 + 浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体的交换积分常数较小 .