衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响

在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。

氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。

Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga_2O_3薄膜,然后ZnO/Ga_2O_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜。XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光峰。

氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.

ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)

通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。

氨化Ga_2O_3/Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究(英文)

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900°C下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50 nm,纳米线的长约几个微米。室温下以325 nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰。最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制。

高电压大电流晶闸管玻璃钝化技术研究

提出了台面造型的新方法，实现了在大台面、高电压、大电流晶闸管上采用玻璃钝化技术新的工艺途径．

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响 .用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射 (XRD)、X光电子能谱 (XPS)、扫描电镜 (SEM)及原子力显微镜 (AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析 .结果表明 :高温退火后 Si C膜的晶化程度明显提高 。

氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜

研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。

磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性

采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅。样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高。

GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文)

使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm,长度约10μm.光致发光谱在368.6nm处有一强的紫外发光峰,说明纳米棒具有良好的发光特性.讨论了GaN纳米棒的生长机制.

热氧化磁控溅射金属锌膜制备ZnO纳米棒

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备金属锌膜 ,在空气中退火热氧化合成了一维ZnO纳米棒。用X射线衍射 (XRD) ,扫描电子显微镜 (SEM) ,透射电子显微镜 (TEM)和光致发光谱 (PL)对样品进行了结构、形貌及光学特性分析。结果表明 :ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构单晶相 ,直径在 30～ 6 0nm左右 ,其长度可达5～ 8μm左右。在 2 80nm波长光激发下 ,有很强的 372nm带边紫外光发射和较微弱的 5 16nm深能级绿光发射 。

PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm–1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度。ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构。

nc-SiC/SiO_2镶嵌薄膜材料的制备、结构和发光特性

采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。实验结果表明,样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si—O相关的缺陷形成的发光中心。

Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3 和NH3 反应合成GaN纳米线.

电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析

采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。

SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究

采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。

在(111)Si衬底上磁控溅射法制备纳米SiC薄膜

用射频磁控溅射法在硅衬底上生长出纳米颗粒结构的碳化硅薄膜 .在N2 气氛下经 3h 110 0℃退火 ,用X射线衍射 (XRD)、付里叶红外吸收谱 (FTIR)、X光电子能谱 (XPS)、原子力显微镜 (AFM )对薄膜样品进行结构、颗粒大小、组分和形貌分析 。

钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)

利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。

利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.