KDP晶体的杂质与光学性能分析

测量常规方法与快速方法生长的非线性光学 KDP晶体紫外及近红外波段透射光谱性能 ,并测定了晶体不同生长区域杂质的含量 ,通过对实验结果的分析比较讨论了影响晶体紫外透过性能的因素 ;采用多脉冲平均方式测量了不同方法生长的晶体在 1 0 64 nm及 53 2 nm皮秒激光脉冲作用下的晶体损伤阈值 ,晶体的体吸收系数与晶体抗损伤能力的对应关系表明晶体内部的杂质与缺陷存在着明显的光吸收 ,从而降低了晶体对高能量脉冲的负载能力。

双折射晶体——重要的光功能材料

介绍双折射晶体作为光隔离器件所应具备的条件，对光隔离器中使用的几种主要材料性能进行比较，指出分子或基团线性极化率与晶体结构参数可作为双折射新晶体材料探索的重要依据。

点籽晶降温法快速生长大尺寸磷酸二氢钾晶体

大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件。在传统生长技术基础上,开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究,设计制作大型培养槽及载晶架,采用过热注种方式试验点籽晶生长,培育出尺寸50 cm×50 cm×41 cm的KDP大单晶,其(100)面生长速度稳定为15 mm/d。晶体在300～1 100 nm波段的透过光谱与常规生长的等同,影响晶体生长及光学品质的主要的金属杂质离子Fe3+,Cr3+,Al3+等含量少于10-6,晶体激光损伤基频阈值30 J/cm2,三倍频阈值达到8.6 J/cm2。

腔内倍频法测量KDP类晶体损耗系数

用腔内倍频方法测量无源腔内晶体吸收和散射共同作用带来的损耗，其特点是响应时间很短，约１００ｎｓ，并具有很高的灵敏度（约１０－４），可望应用于高功率激光照射下非线性光学晶体无损损伤以及快速损伤的研究。将测量ＫＤＰ类晶体的损耗结果与文献资料作了比较。

生长温度对KDP晶体光学性质影响的研究

用降温法在不同的温度下快速生长KDP晶体,并测量其透过光谱、光学均匀性、金属杂质含量和光散射性能。结果表明随着生长温度的提高,KDP晶体的紫外光吸收和光散射点密度明显降低,但均匀性和杂质金属离子含量并无明显变化。

新添加剂下KDP晶体快速生长及其性能表征

我们使用优级纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm)为原料,采用新的添加剂KCl(氯化钾)及EDTA钾盐,使生长溶液的稳定性得到提高,在5L生长槽内生长出51mm×54mm×40mm的KDP单晶,生长速度达到15～20mm/d,并检测了快速生长晶体的重要的应用性能,发现与高质量慢速生长晶体性能相当,可以达到使用要求.

有机添加剂对KDP晶体生长及其光学性质影响的研究

本文研究了乙二胺四乙酸(EDTA)和氨三乙酸(ATA)对KDP晶体生长及其光学性质的影响,其中,后者是首次报导,两者表现相似的影响。随着添加剂含量的增大,晶体生长速度先增大后减小;添加添加剂溶液所生长的KDP晶体在紫外波段的透过率提高;研究还发现,270nm处晶体透过率的主要影响因素包括过饱和度以及Fe3+和Cr3+含量;有机添加剂的添加和退火对电导率影响微弱。

溶液法生长氘化磷酸二氢铵(DADP)晶体及其性能研究

使用优级纯的NH4H2PO4(含量>99.5%)和重水(纯度>99.5%)为原料,在重水中经过三次氘化重结晶,获得含氘量>95%的结晶原料。上述DADP晶体作为原料配成1000ml的饱和溶液,用降温转动法生长出22mm×23mm×78mm尺寸的透明大晶体,并且测定其晶体结构、透过光谱和激光损伤阈值。从数据分析来看在最重要的光谱应用波段(1.06μm附近)DADP晶体综合性能是很优越的,这使得DADP有利于作为电光晶体材料和制作高频高灵敏度的电光器件。

一种新的红外非线性光学晶体材料-K_3V_5O_(14)(英文)

作为红外非线性光学材料 ,氧化物和磷铜铁矿半导体材料的透过光谱可到中远红外谱区 ,但它们的晶体损伤阈值很低。本文提出并合成一种新的红外非线性光学材料五钒酸钾 -K3 V5O14 ,它的空间群是P31m ,透过光谱范围可达到 10 μm ,而且其粉末倍频效应大于KDP晶体的 2 0倍。

配合物[｛Ni(mnt)_2｝_2][Na_2(benzo-15-crown-5)_3(H_2O)_2]的合成及其非线性吸收的测量

合成了配合物［｛Ｎｉ（ｍｎｔ）_２｝２］［Ｎａ_２（ｂｅｎｚｏ－１５－ｃｒｏｗｎ－５）_３（Ｈ_２Ｏ）_２］，并且测试了 这种配合物的非线性吸收系数β＝２．４ ｃｍ／ＧＷ； 探讨了非线性吸收产生的机理为双光子吸 收．

溶液连续过滤快速生长KDP晶体及其品质分析

设计溶液实时连续过滤装置用于降温法快速生长KDP晶体。采用高亮度激光照射分析对比晶体内部的散射点密度,以同步辐射为光源的X射线形貌成像技术探测晶体内部的生长缺陷,并测定晶体三倍频激光(355nm)的损伤阈值。实验结果显示,溶液连续过滤法生长的KDP晶体中包裹体和位错的密度明显降低,晶体的激光损伤阈值提高了30%。

二价阳离子掺入KDP晶体能力的研究

本文旨在寻找影响杂质阳离子进入KDP晶体能力的因素,我们使用分析纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ.cm)为原料,分别加入BaCl2.2H2O,CuCl2.2H2O和MgCl2.6H2O,通过降温方式快速生长出KDP晶体。结果表明,Cu2+及Mg2+在晶体中的含量基本保持不变,不随其在生长溶液中量的增大而增大,Cu2+在晶体中的含量大于Mg2+在晶体中的含量;不同的是,Ba2+在晶体中的含量随着其在生长溶液中量增大而增大。从实验结果我们推断出离子半径和离子水合热是影响二价杂质阳离子在水溶液晶体生长过程中进入KDP晶体能力的重要因素。

泉港区人大调研镇（街）人大代表活动站建设情况

本刊讯 为进一步了解全区镇（街）代表活动站的建设情况，2月14日、16日，泉州市泉港区人大常委会主任陈守川带领调研组，开展镇（街）人大代表活动站建设情况调研活动。调研组实地察看了全区首个人大代表活动站——山腰街道锦祥片区代表活动站的硬件建设、活动开展情况，随后前往前黄镇、南埔镇、峰尾镇、涂岭镇实地察看并协调代表活动站的选址建设工作，与乡镇街道相关负责同志、代表活动站负责人和部分代表进行座谈。

泉港区人大开展省促进现代物流业发展条例执法检查

本刊讯（通讯员庄欣欣）7月12日，泉州市泉港区人大常委会组织对全区贯彻实施《福建省促进现代物流业发展条例》情况进行执法检查。检查组实地走访了振戎石化码头发展有限公司、福建实华石油运输有限公司，

泉港区人大调研创建国家级生态镇和“美丽乡村”建设情况

本刊讯（通讯员庄欣欣）5月底6月初，泉州市泉港区人大常委会组成调研组，深入污水处理厂、石化工业园区等14个点和7个镇（街道）的7个村（居），就创建国家级生态镇和“美丽乡村”建设情况进行调研。针对生态环境基础设施建设滞后、

以H_2SO_4为添加剂降温法生长PET晶体

采用H2SO4作为季戊四醇(PET)晶体生长的添加剂,用溶液降温法在5 L生长槽内生长出45 mm×45 mm×40 mm的PET单晶,生长速度达到1.5 mm/d,比纯态溶液生长晶体的速度提高2倍。采用XRD、FT-IR和TG等测试方法对晶体进行表征,实验表明添加剂HSO不影响晶体的结构完整性。

助溶剂NH_4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究

以碘化铵（NH4I）作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体。在50-60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体。采用XRD、综合热分析（TG/DTA）对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃（γ相→β相）和409℃（β相→α相）。利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70%,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰。霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88 cm^2·V^-1·s^-1。

K_x(NH_4)_(2-x)Ni(SO_4)_2·6H_2O晶体合成、生长及x值对其结构、性能的影响

本文以六水合硫酸镍、硫酸钾、硫酸铵为原料合成了硫酸镍钾铵系列(Kx(NH4)2-xNi(SO4)2.6H2O,x=0.4,1,1.6)晶体(简称KANSH),并用水溶液降温生长方法在3 L生长槽内分别生长出"厘米级"尺寸的单晶。根据ICP结果计算出x的数值;通过XRD确定了它们的结构(CCDC No.920443&920444&920445)随x值变化的规律;采用紫外-可见分光光谱仪、热分析仪等测试手段,分析了钾离子含量的变化对紫外特征吸收峰位置及热分解过程的影响;利用荧光光谱仪测试了K1.6(NH4)0.4Ni(SO4)2.6H2O晶体在10～300 K温度区间的紫外-可见吸收光谱。

Ni(C_6H_(12)N_4)_2SO_4·4H_2O晶体的生长、热学和光谱性质

六次甲基四胺（C6H12N4,HMTA）部分取代六水合硫酸镍（NSH）晶体结构中的配位水,合成Ni（C6H12N4）2SO4·4H2O（NSH-HMTA）晶体材料。采用称量法测定了NSH-HMTA晶体的溶解度曲线,应用水溶液降温法在温度区间56~44℃之间生长出6 mm×6 mm×2 mm尺寸的晶体,生长速度约为0.5 mm/d。通过等离子发射光谱分析所生长晶体中镍离子含量,X射线单晶衍射用于验证晶体的结构。采用热重法（TGA）和差热分析法（DTA）测定晶体脱水温度和分解温度分别为93℃、114℃。测量晶体的紫外-可见光谱特性,其紫外波段透过峰位于波长为307 nm处,比NSH晶体（287 nm）红移了约20 nm,HMTA与Ni2＋配位提高了Ni2＋的3A2g光谱项的能级,3A2g→3T1g（P）所需能量更低,导致吸收谱红移。

[Ni（H2O）4（phen）]SO4（C3H8N2O）材料的合成、热学和光谱性质

使用六水合硫酸镍、邻二氮菲、二甲基脲为原料合成一种配合物[Ni(H2O)4(phen)]SO4(C3H8N2O)。通过元素分析仪测定碳、氢、氮元素所占百分比。利用X射线单晶衍射测定晶体结构。利用热分析法测定该晶体材料的脱水温度为75℃、二甲基脲和phen的分解温度分别为150℃和500℃。测量晶体的紫外-可见光谱特性发现,该配合物紫外全部吸收,phen与Ni^2+配位后Ni^2+的3A2g光谱项发生移动,在610nm处具有很强的吸收,在450~550nm范围内可见光区域具有较好的透过性能。