基于自动门控电源的微光像增强器动态范围研究

像增强器作为微光夜视装备的核心器件,其动态范围研究具有重要意义。论述了基于自动门控电源的微光像增强器动态范围扩展的意义,分析讨论了自动门控电源MCP电压、阴极脉冲宽度、阴极脉冲频率、阴极开启电压与微光像增强器动态范围的关系,提出了微光像增强器动态范围估算模型。

Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层微波氢终端金刚石MOSFET特性研究

微波氢终端金刚石器件低纵横比会导致较高的关态漏极泄漏电流,从而降低器件可靠性。文章首先提出一种金属-绝缘体-半导体电容模型揭示了漏极泄漏电流的抑制机理,然后利用高介电常数(High-K)顶部钝化层(Upper Passivation Layer,UPL)对漏极泄漏电流进行抑制,最后制备了40/100 nm Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层氢终端金刚石金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。实验结果表明,顶部钝化100 nm厚HfO_(2)后的氢终端金刚石MOSFET,在纵横比为7.5的情况下实现了约-3×10^(-7)mA/mm的漏极泄漏电流,射频特性测试表明其截止频率和最高振荡频率分别为6.1 GHz和11.1 GHz。以上结果表明,本文提出的Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层氢终端金刚石MOSFET在高可靠和高频应用方面具有重要意义。

阴极脉冲占空比与荧光屏电流关系研究

自动门控电源作为微光像增强器的能量来源,其阴极脉冲占空比与荧光屏电流的关系对完善自动门控电源的自动亮度控制(ABC)电路设计具有重要意义。从自动门控电源与微光像增强器的匹配应用方面分析了阴极脉冲占空比对荧光屏电流的影响,又从自动门控电源ABC电路设计方面分析了阴极脉冲占空比如何跟随荧光屏电流变化,才能确保微光像增强器荧光屏亮度的基本恒定,给出了自动门控电源阴极脉冲占空比与荧光屏电流的曲线图。

微波放大器增益与噪声关系的分析方法

提出了一种在微波宽带低噪声放大器设计中，放大器增益性能与噪声性能之间关系的解析表达式，对其解析解进行了详尽的讨论，大大简化了传统的设计过程，并对微波低噪声ＨＥＭＴ器件ＪＳ８９０５－ＡＳ的性能进行了分析设计，经验证，与传统方法的结果相吻合。

城轨交通高架桥墩顶纵向刚度的设计探讨

对桥墩纵向刚度进行计算,分析影响桥梁下部结构刚度的主要因素,包括桩径、桩间距以及墩截面几何尺寸。探讨在相同刚度的条件下,如何合理选择墩柱刚度及基础刚度,以保证结构受力合理且经济性好。

花瓶式桥墩顶部结构分析与配筋

对花瓶式桥墩墩顶部受力进行空间计算,分析该类型桥墩墩顶的受力特点和影响因素,提出合理的配筋方式,并结合工程实例进行配筋计算,供类似结构设计参考。

城市轨道交通箱梁横隔梁实用简化计算

通过对混凝土连续箱梁在恒载和列车活载作用下的空间分析,得到横隔梁内力计算的简化计算模型及计算方法,为类似的箱梁横隔梁的计算提供了简便可行的方法。

采用二极管的模拟预失真毫米波功放线性化器

研制了一款用于毫米波频段的线性化器,采用模拟预失真技术,基于90°电桥和两个肖特基二极管,在外加直流偏置的情况下,产生预失真信号,通过矢量网络分析仪测试表明,当工作频率为30GHz时,其增益扩展了3～4dB,相位延迟了20°左右。将该线性化器与毫米波功率放大器级联,双音测试结果表明,当功放的输出功率为1dB压缩点回退3dB时,三阶交调指标在工作频率30GHz和31GHz时均改善了10dB左右。该线性化器结构简单、成本较低、实用性强。

微光像增强器自动门控电源技术研究

针对微光像增强器在高照度下出现的输出图像饱和现象,提出了混合式自动亮度控制方法,论述了微光像增强器自动门控技术、光电子快门控制原理,以及大动态范围自动亮度控制方法,给出了自动门控电源设计框图和混合式自动亮度控制工作时序以及实验结果,分析讨论了设计中的4个关键问题。

SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。

小型Ka频段锁相倍频源

介绍了小型毫米波跳频频率合成器的研究方法。为了满足系统小型化要求,采用微波频段锁定后倍频到毫米波频段的锁相倍频方案,选用超小型、无任何补偿措施的普通10 MHz晶振。整个毫米波锁相源在150 cm3体积内实现。测试结果为:输出频率29～31 GHz,步进 20 MHz,相噪优于-65 dBc/Hz@10 kHz,输出功率大于10 dBm,可用于8 mm接收机作本振或发射机基准源使用。

一种新颖的鳍线单刀双掷开关

介绍一种只需要一个偏置控制端口 ,采用正负脉冲驱动的 T形结鳍线单刀双掷开关的设计方法 .在电路中采取改进措施 ,提高了隔离度、降低了插入损耗 .测量结果表明 ,开关在 Ka频段内 ,插入损耗≤ 1.5 d B,隔离度≥30 d B;在 W频段内 ,插入损耗≤ 2 d B,隔离度≥ 2 5 d

基于PLD器件的门控技术在微光像增强器中的应用

针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理电路和试验结果。

Ka频段上变频模块的设计

介绍了Ka频段上变频模块的方案设计与性能测试。该模块采用单一本振源两次变频方案,将L频段500MHz带宽信号上变频至Ka频段。通过整体方案的优化设计和高性能滤波器的使用,在信号带内获得极低的杂散、优良的相噪特性和较为理想的幅频响应特性。经加工、测试,整套模块性能优良,工作状态稳定,满足设计指标的要求。

毫米波三端器件漏极混频器的研究

对 Ka频段三端器件漏极混频器电路进行了分析和优化设计 .由三端器件小信号 S参数和直流特性测试值拟合出该器件非线性等效电路模型和参数 ;采用谐波平衡和变换矩阵分析法推导出漏极混频器变频增益 ,由此优化设计混频器电路 .实验测试结果射频为 2 7.4GHz、本振为 33.4GHz/ 10 d Bm,获得变频增益为 4d

4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型

提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。

微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究

在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取SiC MESFET小信号等效电路寄生参数的方法。该模型应用于国内SiC MESFET工艺线,在0.5-18GHz范围内S参数的仿真值和实测值非常吻合。

毫米波LTCC组件中的波导-微带转换

介绍了Ka波段LTCC(低温共烧陶瓷)组件中矩形波导-微带的一种新型转换结构。这种转换结构通过波导和微带间的开槽耦合以及在LTCC多层布线基板中用金属填充通孔阵列等效替换波导壁而实现。此类型波导到微带的转换无需将安装在波导内的LTCC基板加工成特殊形状,便于加工,而且转换对LTCC基板和波导的机械安装公差要求较低。

一种毫米波宽带波导-SIW过渡

本文设计了一种新型宽带波导基片集成波导(SIW)过渡结构,工作于Ka频段,该结构通过基片与波导结构之间形成两个谐振腔进一步拓宽频带,增加了耦合效果。通过背靠背结构加工测试表明,该过渡结构相对带宽达到17%,在频带31.8-37.8GHz内回波损耗优于13d B,插损小于2.5d B。

疲劳载荷下结构失效模式失效概率的一种新算法

在静载荷作用下增量载荷法的基础上，根据概率型线性累积损伤理论，提出了给定失效模式下计算结构疲劳寿命的增量寿命法，进而得到失效模式的失效概率。最后通过算例分析，证明了本方法是可行的。