纳米SiO_2/环氧树脂的制备与表征

利用偶联剂处理后的纳米 Si O2 粒子改性环氧树脂制备纳米 Si O2 /环氧树脂复合材料。IR分析表明 :纳米 Si O2与环氧树脂形成了复合体 ;热失重、冲击强度、扫描电子显微镜和体积电阻率测试表明 :纳米 Si O2 和普通 Si O2 对环氧树脂有明显的改性作用 ,当 Si O2 /环氧树脂为 4 / 10 0时 ,复合体的热解温度、冲击强度和体积电阻率均达到最大值 ,纳米 Si O2 /环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为 32 3℃ ,89.2 k J· m- 2 和 3.5 6× 10 1 4Ω· cm- 2 ;普通Si O2 /环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为 30 8℃ ,17.13k J·m- 2和 2 .80× 10 1 4Ω·cm- 2。

InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器

介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应，讨论了磁阻元件的特性，找到了ＩｎＳｂ 磁阻特性曲线的拐点，提出旋转传感器的工作原理与结构设计，研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计．

InSb磁敏电阻器导电机理及可靠性

本文详细讨论了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的导电机理，在文献［１］、［２］的基础上，提出了提高它的灵敏度的途径．本文首次研究了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的可靠性，通过可靠性寿命试验，其失效率λ（ｔ）＜１×１０－５／ｈ．

采用金属有机化合物热分解法研制锆钛酸铅薄膜

详细研究了采用金属有机化合物热分解法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3铁电薄膜的工艺 ,讨论了影响

碳纳米管的制备、表征及其在电子领域中的应用

碳纳米管的独特结构使它具有奇特的性质和广阔的应用前景。本文介绍了碳纳米管的结构和性质,对碳纳米管的制备现状、表征及其在电子领域的应用做了详细的回顾。

磁阻效应及磁敏位置传感器

本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。

磁阻元件的理论基础及旋转传感器

本文论述了磁阻元件的理论基础,介绍了旋转传感器的工作原理与结构设计,给出了测试结果和应用前景。

采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能

研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3铁电薄膜的工艺及 PZT薄膜的介电性能 .利用 XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的 PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相的形成 .薄膜的介电温谱研究结果表明 ,薄膜的居里温度约为 430℃ (1 k Hz)

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。

液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO_3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 。

铁电薄膜的制备方法

介绍了制备铁电薄膜的几种不同种类的方法。 L SMCD技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术。采用超声雾化产生微米级或亚微米级尺寸的气雾 ,再用载气将气雾引入沉积室内 ,沉积在基片上。重复此过程直至膜厚达到所需厚度。

信息功能薄膜器件

本文介绍了铁电存储器的特性 ,提出了信息功能薄膜的几种主要的制备方法 ,指出了它的应用领域。

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。

基于兴趣区域检测的视频图像非线性缩放电路设计

针对视频图像普屏到宽屏的转换过程中主景图像出现扭曲变形的问题,提出了一种非线性区域位置根据兴趣区域检测结果变化的非线性缩放算法.该算法解决了现有方法只能保证图像的中间区域不失真而靠近图像两边的主景区由于插值点密度的急剧变化发生大的扭曲和变形的问题.算法中的兴趣区域的检测以人物为主,采用了肤色检测和Harris角点检测相结合的方法.该算法已通过电路设计实现,同时经过兴趣区域特征圆度分析表明,此种处理方法的结果可以使主景区扭曲较小.

一种新型的YSZ栅MOS氧传感器及其响应机理

ＹＳＺ栅ＭＯＳ氧传感器是一种新型的氧敏器件，它是通过在场效应晶体管的绝缘栅上沉积一薄层ＹＳＺ制成，本文介绍这种传感器的响应机理，讨论ＹＳＺ固体电解质的晶体结构对电导率的影响，给出微观分析结果和对时间的迅速响应特性。

InSb小角度传感器及其在电力系统中的应用

本文研究了一种新型的ＩｎＳｂ小角度传感器，论述了传感器的工作原理、制造工艺以及技术性能．实验表明，它的分辨率已达０．０１°。

采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究

文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0 52Ti0 4 8)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相形成。薄膜的介电温谱研究结果表明 :薄膜的居里温度约为 43 0℃ (1kHz)。

InSb磁敏旋转传感器

In Sb磁敏电阻是 In Sb旋转传感器的核心部件。研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应。格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值。将磁敏电阻设计成桥式电路 ,电阻条宽 0 .2 4m m,间隔 0 .0 4mm,总尺寸为 3mm× 4mm。齿轮的分度圆周节 Pr=0 .6 2 π m m,模数 m=0 .6 2 mm。

精密角位移传感器及其可靠性研究

从理论上探讨了磁阻率效应，叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达０．０１°，通过可靠性寿命试验，传感器的失效率λ（ｔ）＜１×１０－７／ｈ。

InSb磁阻元件的研制

报告InSb磁阻元件的设计制造与可靠性寿命试验,其失效率λ(t)<1×10^(-5)/h。