高性能透波Si_3N_4-BN基陶瓷复合材料的研究

采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16 0MPa ,弹性模量 (E)为 99GPa ,介电常数 (ε)为 4 0左右。

碳化硅基材料抗氧化涂层的研究进展

碳化硅基材料具有优良的高温性能,但作为非氧化物陶瓷,碳化硅材料的高温氧化造成的性能衰减限制了其进一步的广泛应用。本文通过分析碳化硅的氧化机理,对比和总结了碳化硅抗氧化涂层的制备方法和涂层体系,并结合实际工作对碳化硅抗氧化涂层的研究提出了具体的见解。

Si_3N_4/纳米SiC复相陶瓷的研究

采用纳米ＳｉＣ粉体制备了Ｓｉ３Ｎ４／纳米ＳｉＣｐ复相陶瓷。研究了制备工艺、纳米ＳｉＣ含量对材料性能及显微结构的影响，并对材料显微结构特点与强韧化机制进行了分析讨论。结果表明：添加２０ｖｏｌ％＜１００ｎｍ的ＳｉＣ粉体时，复相陶瓷的室温抗弯强度达８５６ＭＰａ，当添加１０ｖｏｌ％上述ＳｉＣ粉体时，复相陶瓷的增韧效果最佳，断裂韧性达８．２７ＭＰａｍ１／２，比基体材料提高了２３％。

半导体器件用陶瓷基片材料发展现状

陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景。阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望。

纳米SiC对Si_3N_4/SiC复相陶瓷性能及显微结构的影响(英文)

本研究通过采用纳米SiC粉体及有机前驱体两种途径,制备了Si3N4/SiC粒子(Si3N4/纳米SiC)复相陶瓷,研究了纳米SiC对SiN/SiC复相陶瓷性能及显微结构的影响,讨论了材料强化的机制与显微结构的关系。

耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料的研究(英文)

本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系，通过气氛压力烧结工艺（Gas Pressure Sintering，GPS）研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响，分析了该材料的显微结构特点及增强机理。实验结果表明：通过控制材料组分和工艺参数的变化，制备的Si-B-O-N系陶瓷透波材料性能良好，弯曲强度：74．7～174．83MPa；介电常数：3．5-4．2；介电损耗：0．5-4．5×10^-3，可满足高性能导弹用陶瓷天线罩对透波材料的要求。

先进陶瓷材料研究现状及发展趋势

一、前言随着现代高新技术的发展,先进陶瓷已逐步成为新材料的重要组成部分,成为许多高技术领域发展的重要关键材料,备受各工业发达国家的极大关注,其发展在很大程度上也影响着其他工业的发展和进步。由于先进陶瓷特定的精细结构和其高强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、导电、绝缘、磁性、透光、半导体以及压电、铁电。

氮化硅:未来陶瓷基片材料的发展趋势

近年来，半导体器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。大功率半导体器件在风力发电、太阳能光伏发电、电动汽车、LED照明等领域都有广泛的应用。可以说大功率半导体器件，是绿色经济的核“芯”。

用有机前驱体制备Si_3N_4/纳米SiC复相陶瓷的研究

本研究成功地用有机前驱体引入纳米SiC粒子制备出了Si_3N_4/纳米SiCp复相陶瓷。研究了制备工艺和有机前驱体加入量对材料性能及显微结构的影响,并对材料显微结构特点与强韧化机制进行了分析讨论。结果表明:当由有机前驱体热解形成的SiC粒子含量为5vol％时,复相陶瓷的室温、高温(1200℃)抗弯强度及断裂韧性达1053MPa、701MPa及7.94MPam^(1/2),分别比基体材料提高了50％、43％及118％。

宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望

半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石，以硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料为代表第1代、第3代半导体技术，奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础，极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展，传统的Si和GaAs半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料（即宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2．2eV）正日益受到人们的重视。

氮化硅陶瓷轴承研发现状及产业化对策

目前,国内高速轴承普遍存在轴承钢球产生不同程度疲劳破坏等问题,为了改善高速轴承性能以延长其疲劳寿命,国内外应用结构陶瓷来制造球体或其他轴承零件可显著提高高速轴承的使用性能和寿命,其中氮化硅或氮化硅基陶瓷复合材料是制造轴承及其零件最理想的材料,并取得了很好的使用效果。

高比强多孔Si3N4陶瓷透波材料的研究

通过采用Y2O3,Al2O3作为烧结助剂,气氛压力烧结工艺,成功地制备出了高强度多孔Si3N4陶瓷透波材料。通过SEM对材料微观结构进行了研究。实验结果表明:在适当的工艺下可以制得弯曲强度大于160 MPa,气孔率>50%的多孔氮化硅陶瓷。并讨论了多孔氮化硅形成的机制和高强度的主要原因。

第3代半导体碳化硅功率器件用高导热氮化硅陶瓷基板最新进展

第3代半导体一般指禁带宽度大于2.2e V的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展大致分为3个阶段,以硅(Si)为代表的通常称为第1代半导体材料;以砷化镓为代表的称为第2代半导体材料,已得到广泛应用;而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料,由于其较第1代、第2代材料具有明显的优势,近年来得到了快速发展。SiC、GaN、ZnO等第3代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性,更适合制作大功率电子器件。

冷等静压成形技术及其在精细陶瓷生产中的应用

简要概述了冷等静压成形技术的发展及现状，着重介绍了这种成形方法的特点及工艺技术要求，以及在精细陶瓷成形方面的应用结果。

Si_3N_4／SiCp复相陶瓷研究现状及进展

详细介绍了Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣｐ复相陶瓷的研究现状，着重论述了Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣｐ纳米复相陶瓷的制备工艺及发展趋势。

Si_3N_4/纳米SiC复相陶瓷显微结构的研究

本研究通过采用纳米SiC粉体及有机前驱体两种途径,制备了Si_3N_4/纳米SiC粒子(Si_3N_4/纳米SiCp)复相陶瓷,研究了这些材料的显微结构特点,讨论了材料强化的机制与显微结构的关系。

SiC（W）／HPRBSN陶瓷复合材料的研究

采用湿法工艺、超声及高速搅拌均匀化技术，使ＳｉＣ晶须在硅粉基料中均匀分散。制备的含１０ｖｏｌ％ＳｉＣ晶须的热压反应结合氮化硅复合材料（１０ｖｏｌ％ＳｉＣｗ／ＨＰＲＢＳＮ），与不含晶须的基体材料相比，其断裂韧性提高５０％。对添加剂对硅粉压实体氮化行为的影响以及ＳｉＣ（Ｗ）／ＨＰＲＢＳＮ陶瓷复合材料的机械性能进行了讨论。

陶瓷纤维(晶须)增强陶瓷基复合材料的研究进展

概述随着科学技术的发展,人类正在迎接一场技术革命的到来,在这个新技术革命的浪潮中,材料工程是一切新科技成就的基础,世界各国对新材料的开发给予了极大的重视。近20年来,复合材料的研究与研制有了很大发展,例如主要品种有如下几方面: 功能性复合材料:目前引人注目的有:有机聚合物导体、半导体、超导体复合材料、光磁材料、形状记忆材料等; 陶瓷基复合材料:陶瓷本身的脆性是它应用的最大弱点,为了改进陶瓷的这种弱点,各国材料科学家曾做了许多尝试,其中行之有效的方法之一就是用高强度。

6105机氮化硅陶瓷气门材料及部件制备的研究

本研究采用近净尺寸冷等静压成型、无压烧结Si_3N_4工艺成功地制备出了6105柴油机田Si_3N_4陶瓷气门,对陶瓷气门材料及制备工艺进行了详细讨论。结果表明:所研制的无压烧结Si_3N_4陶瓷气门,在6105柴油机上连续运转,通过了500小时的台架试验,陶瓷气门完好无损。

陶瓷纤维(晶须)增强陶瓷基复合材料研究进展

本文着重介绍了国内外陶瓷纤维或晶须增强陶瓷基复合材料研究现状。详细论述了这种材料今后的发展方向及有待解决的关键问题,并对陶瓷纤维或晶须与陶瓷基体物理及化学相容性以及制备工艺等方面,说明了对复合材料性能的影响。