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聚乙烯基咔唑-花生酸有序复合膜的光电性质研究 被引量:4
1
作者 张伟风 郭虹 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期591-594,共4页
用LB技术在石英和硅衬底上制备了聚乙烯基咔唑(PVK)的固态有序薄膜.荧光光谱研究表明,PVK在膜中的光致发光主要呈现激基缔合物的发射,其中心波长为418nm;表面光电压谱的测试揭示了PVK聚合物膜/p-Si体系具有... 用LB技术在石英和硅衬底上制备了聚乙烯基咔唑(PVK)的固态有序薄膜.荧光光谱研究表明,PVK在膜中的光致发光主要呈现激基缔合物的发射,其中心波长为418nm;表面光电压谱的测试揭示了PVK聚合物膜/p-Si体系具有显著的表面光伏效应. 展开更多
关键词 LB膜 聚乙烯基咔唑 光敏半导体 PVK 有机
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量子顺电体La_(1/2)Na_(1/2)TiO_3纳米晶的制备与谱学表征 被引量:1
2
作者 张伟风 张兴堂 +2 位作者 郭虹 方江邻 张明生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期515-518,共4页
用改进硬脂酸溶胶-凝胶法制备了量子顺电体La1/2Na1/2TiO3纳米晶,用差热-热重分析和X射线衍射测试了样品的晶化过程及物相结构。
关键词 钙钛矿型 量子顺电材料 La1/2Na1/2TiO3 纳米晶
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LB膜中螺吡喃材料的光学性质研究 被引量:2
3
作者 张伟风 黄亚彬 +1 位作者 孟进芳 杜祖亮 《光散射学报》 1996年第3期162-167,共6页
利用LB技术制备螺吡喃有序分子膜,研究了气液界面上螺吡喃材料在不同成份和不同pH值亚相时的成膜行为。
关键词 LB技术 螺吡喃 光致变色材料 信息存储 薄膜
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气液界面光致变色螺吡喃化合物的成膜行为 被引量:1
4
作者 张伟风 黄亚彬 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 1996年第2期27-31,共5页
研究了三种螺吡喃化合物在不同水亚相上的π-A曲线,分析了成膜行为存在差异的原因。
关键词 光致变色 螺吡喃 π-A曲线 气液界面 LB膜
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可见光响应氧化物光催化材料制备和性能研究
5
作者 张伟风 李国强 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第5期493-499,共7页
半导体光催化技术因其能够在清洁能源制备和环境净化方面有很好的应用前景而倍受关注.开发可见光响应光催化材料是半导体光催化领域的研究热点之一.本文围绕可见光响应金属氧化物光催化材料体系的光物理和光催化性能展开论述,主要包括:(... 半导体光催化技术因其能够在清洁能源制备和环境净化方面有很好的应用前景而倍受关注.开发可见光响应光催化材料是半导体光催化领域的研究热点之一.本文围绕可见光响应金属氧化物光催化材料体系的光物理和光催化性能展开论述,主要包括:(1)Ag盐氧化物光催化材料体系;(2)复合光催化材料体系;(3)锑酸光催化材料体系.主要通过改善制备方法、形成复合材料以及氮掺杂等手段提高光催化材料的光催化性能. 展开更多
关键词 可见光响应 氧化物 罗丹明B 表面光伏 光催化
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化学溶液分解法制备LaNiO_3薄膜的研究 被引量:7
6
作者 李亚巍 孟祥建 +4 位作者 于剑 王根水 孙璟兰 褚君浩 张伟风 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期269-272,共4页
采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较... 采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较大 ,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的 1/ 2 .对LaNiO3 薄膜的导电机制进行了讨论 . 展开更多
关键词 化学溶液分解法 镍酸镧薄膜 锆钛酸铅 电阻率 CSD 退火气氛 光电材料
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六方YMnO_3多铁性薄膜的制备与性质研究进展 被引量:9
7
作者 郑海务 张大蔚 +4 位作者 王渊旭 刘越峰 李天峰 顾玉宗 张伟风 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期955-961,共7页
六方YMnO3是一种集铁电性与反铁磁性于一体的新材料,具有丰富的物理内容和优良的应用前景。本文综述了近年来六方YMnO3薄膜在制备方法、电学、磁学等物理性质的研究进展。基于其电磁性质,阐述了该薄膜在自旋阀等器件方面的潜在应用。最... 六方YMnO3是一种集铁电性与反铁磁性于一体的新材料,具有丰富的物理内容和优良的应用前景。本文综述了近年来六方YMnO3薄膜在制备方法、电学、磁学等物理性质的研究进展。基于其电磁性质,阐述了该薄膜在自旋阀等器件方面的潜在应用。最后指出了六方YMnO3薄膜研究中存在的问题,提出解决的思路。 展开更多
关键词 六方YMnO3 薄膜 多铁性 制备方法 应用
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基于VerilogHDL的分频器的优化设计 被引量:8
8
作者 张奇惠 武超 +2 位作者 王二萍 蒋俊华 张伟风 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第4期343-346,共4页
基于整数和小数分频的实现原理,提出了整数和小数分频器的算法和结构,采用Verilog硬件描述语言优化设计了偶数、非50%占空比和50%占空比的奇数、半整数分频器,重点对任意小数分频器进行了设计优化.用LDV5.1进行了仿真,用Synplify Pro进... 基于整数和小数分频的实现原理,提出了整数和小数分频器的算法和结构,采用Verilog硬件描述语言优化设计了偶数、非50%占空比和50%占空比的奇数、半整数分频器,重点对任意小数分频器进行了设计优化.用LDV5.1进行了仿真,用Synplify Pro进行了基于ALTERA公司FPGA的综合,证明了其可行性. 展开更多
关键词 分频器 VERILOG HDL 优化 FPGA
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ZnO∶V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性 被引量:9
9
作者 张丽亭 魏凌 +1 位作者 张杨 张伟风 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期561-565,共5页
利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO∶V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO∶V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺... 利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO∶V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO∶V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO∶V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。 展开更多
关键词 ZNO 钒掺杂 光致发光 溶胶-凝胶法 薄膜
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六方YMnO_3纳米棒的制备、微结构及磁性研究 被引量:5
10
作者 刘越峰 郑海务 +3 位作者 张伟风 顾玉宗 李银丽 张华荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1336-1339,共4页
采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征。实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001... 采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征。实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001]方向生长,并初步分析了纳米棒的形成机理。测试了YMnO3纳米棒的M-T曲线,观察到了由表面未补偿自旋引起的自旋玻璃态。 展开更多
关键词 YMnO3 纳米棒 水热法 微结构 磁性
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退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响 被引量:5
11
作者 张新安 张景文 +1 位作者 张伟风 侯洵 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期557-561,共5页
采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应... 采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大。用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关。 展开更多
关键词 氧化锌 薄膜 晶体管 退火
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二氧化锡中空球的制备及其电化学性能研究 被引量:6
12
作者 王继鹏 丁玲红 +2 位作者 苏朝辉 张盈 张伟风 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期68-70,110,共4页
用碳球做模板,SnCl4.5H2O和尿素为前驱体制备了二氧化锡(SnO2)中空球。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明:制备出来的SnO2中空球为四方相结构,其直径和壁厚分别约为250nm和40nm。恒电流充放电测试结果显示... 用碳球做模板,SnCl4.5H2O和尿素为前驱体制备了二氧化锡(SnO2)中空球。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明:制备出来的SnO2中空球为四方相结构,其直径和壁厚分别约为250nm和40nm。恒电流充放电测试结果显示:在电流密度为160mAh.g-1(0.2C)时,该SnO2中空球的首次放电容量为1720mAh.g-1,第15周期放电容量保持到615mAh.g-1;从第4周期开始,库仑效率均保持在90%以上。电流密度为320mAh.g-1(0.4C)时,第15周期放电容量保持到588mAh.g-1。以上结果表明,这种材料具有较高的储锂容量和较好的可逆性能,是一种有前景的锂离子电池负极材料。 展开更多
关键词 SNO2 中空球 锂离子电池 电化学
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Na^+离子掺杂Gd_2O_3∶Sm^(3+)纳米晶的发光增强 被引量:9
13
作者 刘广生 丁玲红 张伟风 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期706-711,共6页
采用柠檬酸作燃烧剂,在柠檬酸-硝酸盐体系下制备了Gd2O3∶Sm3+和Gd2O3∶Sm3+,Na+纳米晶。用X射线衍射仪、透射电子显微镜、荧光光谱仪等对样品的结构、形貌和光致发光性能进行了分析。结果表明:所得纳米样品为纯立方相,晶粒尺寸约为30 n... 采用柠檬酸作燃烧剂,在柠檬酸-硝酸盐体系下制备了Gd2O3∶Sm3+和Gd2O3∶Sm3+,Na+纳米晶。用X射线衍射仪、透射电子显微镜、荧光光谱仪等对样品的结构、形貌和光致发光性能进行了分析。结果表明:所得纳米样品为纯立方相,晶粒尺寸约为30 nm。在室温下,用275 nm激发光激发各样品时,可观测到Sm3+离子的较强发光,其主发射峰位分别位于561.5,603.5,651.5 nm,分别对应着Sm3+离子的4G5/2→6H5/2,4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2的电子跃迁,其中以4G5/2→6H7/2跃迁的光谱强度最强。实验表明:Na+离子的掺入使得Sm3+离子的光发射强度显著增强。对引起样品荧光强度变化的原因进行了分析。 展开更多
关键词 Na+ Gd2O3∶Sm纳米晶 发光增强
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Sol-gel法制备SrTiO_3薄膜的电阻开关性能研究 被引量:4
14
作者 苏朝辉 张婷 +2 位作者 王继鹏 张盈 张伟风 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期66-69,共4页
采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能。结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析,发现在高阻态... 采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能。结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析,发现在高阻态时,有空间电荷限制电流机制(SCLC)和肖特基势垒导电机制存在。应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论,解释了这种电阻开关现象。 展开更多
关键词 电阻开关 交流阻抗谱 肖特基发射 空间电荷限制电流 电子陷阱
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蓝色荧光材料GdVO_4:Tm^(3+)的燃烧法合成及表征 被引量:4
15
作者 苏朝辉 丁玲红 +2 位作者 张盈 王继鹏 张伟风 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期79-80,89,共3页
采用燃烧法合成了蓝色荧光纳米晶GdVO4:Tm3+粉体。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及荧光光度计等方法对GdVO4:Tm3+的物相结构、形貌粒度、发光性质等进行了研究。结果表明:所得产物为单一的四方相结构,晶粒尺寸小于70nm。GdVO4:T... 采用燃烧法合成了蓝色荧光纳米晶GdVO4:Tm3+粉体。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及荧光光度计等方法对GdVO4:Tm3+的物相结构、形貌粒度、发光性质等进行了研究。结果表明:所得产物为单一的四方相结构,晶粒尺寸小于70nm。GdVO4:Tm3+能够被240~350nm的紫外光激发,在320nm波长紫外光激发下发出波长为472nm的明亮蓝光;退火温度为1000℃,Tm3+掺杂摩尔浓度在0.4%时得到的GdVO4:Tm3+纳米晶的发光特性最好。 展开更多
关键词 燃烧法 稀土 GdVO4:Tm3+ 纳米晶发光材料
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制备条件对镓掺杂氧化锌薄膜的透明导电性影响 被引量:3
16
作者 吴木营 刘敏霞 +2 位作者 李洪涛 杨雷 张伟风 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第6期707-711,共5页
用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质... 用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质的变化情况以及氮气氛下不同退火温度下的光电性质,结果表明:镓掺杂氧化锌薄膜在450℃的基底温度、2%的掺杂浓度和700℃的退火温度等条件下实现了0.84×10-4Ω.cm的低电阻率和大于90%的可见光透过率,其光学带隙随退火温度的上升也有一定程度的增大. 展开更多
关键词 工艺条件 导电陶瓷 透明导电氧化物 镓掺杂氧化锌薄膜 射频磁控溅射
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碱土金属锡酸盐薄膜的光学性质研究 被引量:3
17
作者 吴木营 李洪涛 +3 位作者 刘敏霞 杨雷 罗诗裕 张伟风 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期698-702,共5页
用Varian Cary 5000紫外-可见-近红外分光光度计对几种碱土金属锡酸盐薄膜的光学透射谱进行了测量;用改进的包络线法对所得透射谱进行了相关计算,得到了碱土金属锡酸盐薄膜的折射率、吸收系数、厚度以及光学带隙等光学参数;对所得结果... 用Varian Cary 5000紫外-可见-近红外分光光度计对几种碱土金属锡酸盐薄膜的光学透射谱进行了测量;用改进的包络线法对所得透射谱进行了相关计算,得到了碱土金属锡酸盐薄膜的折射率、吸收系数、厚度以及光学带隙等光学参数;对所得结果进行了理论分析,结果显示:锡酸盐薄膜在可见光波段满足经典的Sellmeier色散关系。用外推法计算了光学带隙并对光吸收过程进行了分析。 展开更多
关键词 锡酸盐薄膜 透射谱 光学常数 光学带隙
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以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究 被引量:2
18
作者 张新安 张景文 +4 位作者 张伟风 王东 毕臻 张杰 侯洵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1144-1146,1150,共4页
采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT)。用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征。在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅... 采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT)。用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征。在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V.s)。在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 薄膜晶体管 绝缘层 光学透过率
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退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响 被引量:2
19
作者 郑海务 孙利杰 +3 位作者 张杨 张伟风 顾玉宗 傅竹西 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1279-1282,共4页
采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于... 采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射。随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低。对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨。 展开更多
关键词 6H-SIC ZNO薄膜 光致发光 溶胶-凝胶
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L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管 被引量:2
20
作者 张新安 张景文 +4 位作者 杨晓东 娄辉 刘振玲 张伟风 侯洵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1051-1054,共4页
采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制... 采用激光分子束外延法(L- MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO -TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s). 展开更多
关键词 激光分子束外延 ZNO薄膜 薄膜晶体管
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