文章采用密度泛函理论方法,研究二维MoX_(2)/MgPSe_(3)(X=S、Se)异质结的电子结构和光学性能。能带结构和态密度分析发现,MoSe_(2)/MgPSe_(3)和MoSSe/MgPSe_(3)_Ⅱ具有显著的Ⅱ型能带结构,并且该异质结的导带底(conduction band minimum...文章采用密度泛函理论方法,研究二维MoX_(2)/MgPSe_(3)(X=S、Se)异质结的电子结构和光学性能。能带结构和态密度分析发现,MoSe_(2)/MgPSe_(3)和MoSSe/MgPSe_(3)_Ⅱ具有显著的Ⅱ型能带结构,并且该异质结的导带底(conduction band minimum,CBM)和价带顶(valence band maximum,VBM)分别在水的氧化还原电势(-4.44、-5.67 eV)两侧,该能带结构有利于该材料在光催化析氢方面的应用。通过对MoX_(2)/MgPSe_(3)施加均一的双轴应力,发现双轴应变对MoX_(2)/MgPSe_(3)的带隙有明显的线性调控作用,线性调控作用在压变传感方面有应用价值。光吸收系数的计算发现,MoSSe/MgPSe_(3)在紫外光区域的吸收强度相比较单独的MgPSe_(3)和MoX_(2)有显著的提高,说明异质结对于改善材料的光学性能具有重要作用。展开更多
文摘文章采用密度泛函理论方法,研究二维MoX_(2)/MgPSe_(3)(X=S、Se)异质结的电子结构和光学性能。能带结构和态密度分析发现,MoSe_(2)/MgPSe_(3)和MoSSe/MgPSe_(3)_Ⅱ具有显著的Ⅱ型能带结构,并且该异质结的导带底(conduction band minimum,CBM)和价带顶(valence band maximum,VBM)分别在水的氧化还原电势(-4.44、-5.67 eV)两侧,该能带结构有利于该材料在光催化析氢方面的应用。通过对MoX_(2)/MgPSe_(3)施加均一的双轴应力,发现双轴应变对MoX_(2)/MgPSe_(3)的带隙有明显的线性调控作用,线性调控作用在压变传感方面有应用价值。光吸收系数的计算发现,MoSSe/MgPSe_(3)在紫外光区域的吸收强度相比较单独的MgPSe_(3)和MoX_(2)有显著的提高,说明异质结对于改善材料的光学性能具有重要作用。