浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能

光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理及应用性能指标进行阐述,重点从工艺的角度去提出新的研究方向。

2.4 GHz微波宽带低噪声放大器的设计

采用SiGe异质结双极型晶体管来设计具有开关功能低成本的新型放大器MMIC;应用微波相关的理论和方法选择满足本设计指标要求的器件,并利用ADS2004A和APPCAD软件工具对具体电路增益、噪声系数、回波损耗等各项技术指标进行了仿真、设计、优化;最后达到了项目的设计要求,该放大器的研究成功将有助于蓝牙计划和无线局域网的实现。

“微电子器件”课程的教学方法

本文针对我院专业基础课"微电子器件"的课堂教学,进行了教学方法的改进和创新。我们采用先定性再定量、抽象概念形象化及理论与工程实践相结合等灵活多样的教学形式,有效地提高了教学质量。其结果是有助于学生的专业素质、创新思维和动手能力的提高。

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。

“微电子器件”课程三元教学法的研究

本文介绍在"微电子器件"的课堂教学中,将课堂讲授、实验测试和器件仿真三种教学方法有效地结合起来,形成"微电子器件"课程的三元教学新方法,使学生从被动学习变为主动的、创造性的学习,有效加深学生对器件物理机制的理解,提高教学质量。本文对"微电子器件"课程教学有一定的指导作用。

提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。

双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d

一种新的梳状基区RF功率晶体管

给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 .采用该技术制作的试验样管 DCT375同传统结构器件相比 ,其热电特性得到显著的改善 .这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 .

基于有源镇流改善射频功率管的热稳定性

提出一种基于有源电路的基极镇流方案,用以解决射频功率晶体管的电流集中和热稳定性问题。采用传感器检测非均匀结温分布,后级相邻触发电路触发功率器件子单元基极和发射极之间的镇流MOS管,通过分流来缓解电流集中,进而完成器件子单元的过温保护。模拟结果表明,该方案可以有效地实现对功率器件的保护,与传统的无源镇流电阻方法相比,改进后的器件具有更优良的增益特性。单个有源镇流电路仅消耗功率6.5 mW,占用面积为2 530μm2。

微波大功率晶体管基极镇流方法研究

长期以来 ,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻 ,以及 PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者 ,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案 ,采用传感器探测结温 ,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流 MOS管 ,来完成微波功率晶体管的过温保护 ,和常温解除功能 ,最终实现对功率器件的实时有效保护 ,使器件同时具备更高的可靠性 。

红外焦平面阵列技术现状和发展趋势

红外热成像技术是国家安全依赖的主要探测技术手段,已在卫星、导弹、飞机等军事领域获得了广泛的应用。同时随着非致冷红外成像技术的发展,尤其是制造成本大幅度的降低,其在工业、医疗、民用方面的应用也日渐增多。本文介绍了红外焦平面阵列的原理、结构及其分类,着重分析了读出电路的各种性能,并对国内外研制以及生产情况进行了比较。

俄罗斯强化武器出口的动因、举措及前景分析

进入新世纪以来,俄罗斯政府把武器出口上升到战略高度,采取了一系列促进武器出口的措施,俄武器出口步入持续增长期。目前,俄罗斯已经成为仅次于美国的武器出口大国。俄强化武器出口动机多元,其武器出口未来走势值得关注。

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件的可靠性和工作寿命，而且有助于提高器件的功率增益。

一种提高硅双极器件频率和功率的新技术

提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高小电流β0 ;可适当地增加集电区掺杂浓度 ,减小 τd,同时提高 ICM和 Po。采用该技术后 ,有效集电结的面积约为无阱器件的 50 % ,结电容较小 ,截止频率可提高一倍以上。该技术大大缓解了频率和功率的矛盾 。

关于加强税收成本管理的思考

长期以来,我们只注重税收收入的增长速度和税收在国民经济中调节作用的发挥,却往往忽视了在聚财过程和国民经济调节过程中税收成本的支出,致使近些年来我国税收成本不断上升,已经严重影响到我国财政收入中可用财力的增长幅度。因此,加强税收成本的管理和监督,寻求降低税收成本的有效途径已经成为目前我国经济管理活动中需要重点考虑的问题之一。

射流器轻型井点降水工法

此工法是轻型井点降水的改进，本文介绍其原理、适用范围、经济效益及施工实例。

一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法

利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题。在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内表现出明显的效果。最终使器件具备更高的可靠性,更优的增益特性。

微电子技术的发展现状与展望

本文分析了微电子技术的发展状况,尤其对集成电路的加工和设计作了较为深入的考察。对本世纪末微电子技术各个领域的发展前景进行了展望。同时,对如何发展我国的微电子技术提出了一些意见和建议。

SiGe HBT及其在射频LNA中的应用

随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGeHBTLNA就是其中之一。基于Si的制造工艺,SiGeHBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGeHBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分。在本文中详细地讨论了SiGeHBTLNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等。并讨论了SOI衬底上的SiGeHBTLNA的应用和BiCMOS工艺上SiGeHBTLNA的应用。

三级微波宽带低噪声放大器的设计

介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论；设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放大器电路，并对电路的各项指标进行了优化设计；运用candence软件对电路进行了DRC，LVS验证。在0．5～6GHz得到12dB以上的增益和不足2．5dB的噪声系数，及优良的线性度。