光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 。

硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

以硅烷 (SiH4 )和硼烷 (B2 H6)为气相反应先驱体 ,采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)制备出轻掺硼非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明 ,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率 ,降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比 ,并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长。红外吸收谱研究预示了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体 ,仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。

介质阻挡放电化学气相沉积法制备DLC薄膜研究

采用介质阻挡化学气相沉积法(DBD CVD)在Si及石英衬底上、室温下成功的沉积出光滑、致密、均匀、膜基结合较好的类金刚石(DLC)薄膜,并考察了电源电压对类金刚石薄膜结构及性能的影响。拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV Vis)、高阻仪等测试及分析结果显示DBD CVD 法适于制备高质量硬质DLC薄膜。对DBD放电做了理论分析,结果与工艺研究的结论相符合。

用于高性能光隔离器的复合稀土铁石榴石ReYbBiIG单晶材料研究

通过加速旋转坩埚技术和Bi_2O_3/B_2O_3助溶剂生长技术研制新型磁光复合稀土铁石榴石单晶ReYbBiIG(Re:Tb^(3+)、Ho^(3+)、Y^(3+)。从理论上解释了将两种具有相反符号法拉第温度和波长系数的掺铋稀土铁石榴石复合可以显著优化磁光性能,并成功制得具有大磁光优值、低饱和磁化强度、低近红外吸收、极小法拉第温度和波长系数的系列优质磁光单晶(如:Ho_(0.85)Yb_(1.12)Bi_(1.03)Fe_5O_(12)和Tb_(2.06)Yb_(0.46)Bi_(0.48)Fe_5O_(12)等)。研究表明,以新型磁光复合稀土铁石榴石单晶ReYbBiIG作为法拉第转子材料制得的新型光隔离器更适用于WDM光纤通讯系统对宽波段和温度稳定性的要求。

气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．

真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究

研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构、化学组成和成膜机理。通过X射线衍射、透射电镜电子衍射、X光电子能谱和光、暗电导测试等分析手段 ,系统表述了薄膜的组成、结构、表面氧化与真空热蒸发工艺的关系。指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数 ,15 0℃左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量。另外 。

微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为

氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复性，并与氮—氮对的可逆变化──对应．随热处理时间的延长，可逆行为逐渐消失．硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态．

特种化学气相沉积法制备大面积纳米硅薄膜的微结构和电学性能研究

采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜。高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明 ,成膜温度对薄膜微结构有关键影响 ,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的长大。 6 6 0℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为 8～ 12nm ,晶态率为 5 0 %的纳米Si晶粒 ,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征。用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明 ,随成膜温度的升高 ,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低 ,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系。研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响 ,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率 。

低镜面反射硅镀膜玻璃的微结构调制

通过反射率、透射率参量测试和高分辨电镜分析 ,研究了硅薄膜中微晶粒数量、尺寸和分布对镀膜玻璃镜面反射效果的影响。发现通过一定的热处理工艺可以调整硅膜中的晶粒状况 ,得到硅微晶粒数量众多、分布弥散且晶粒大小在数十至数百纳米的硅 /非晶硅复合薄膜 ,使入射光产生漫散射进而有效降低镜面反射所造成的光污染。

一种制备Bi-YIG纳米晶薄膜的新方法(英文)

先用共沉淀法制备了含有一定莫尔比的金属元素的氢氧化物沉淀,然后用热解氢氧化物沉淀的方法制备了石榴石薄膜,其晶粒尺寸在10～20nm之间。通过对不同温度下合成的Bi-YIG薄膜的分析及测试,发现晶粒的大小在10～20nm之间,法拉第旋转角和磁光优质分别可达3.6*104°/cm和6.7°。从X射线衍射(XRD)中可以看出,直接制备的纳米颗粒和Bi-YIG薄膜都是单一的石榴石相,合成比较充分。

铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响

通过研究微氮掺铁硅单晶的氧沉淀行为，发现低温预处理有助于高温退火时的氧沉淀，且氮、铁杂质均对氧沉淀有明显促进作用．首次发现氮杂质部分抑制了铁对氧沉淀的促进作用．

石英衬底上的BPxN1-x薄膜沉积及P对其光学带隙调制的研究

以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPxN1-X薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段研究了薄膜的化学组成、结晶状况,以及P元素掺杂对BPxN1-X薄膜材料光学带隙的调制规律.结果表明,所沉积薄膜具有多晶团聚、定向生长的特点,其表面形貌随时间而变化,最后发展成多晶球状密堆成膜,与石英衬底结合牢固.BPxN1-x薄膜的磷元素相对含量随磷烷流量增加而增加,光学带隙相应窄化.通过控制磷的掺杂量可以有效调整该薄膜材料的光学带隙.

乙烯对CVD法制备硅薄膜性能的影响

以硅烷和乙烯的混合气体为原料气，通过常压化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长出了硅薄膜。结合光电子能谱、高分辨电镜以及薄膜抗腐蚀性研究，证实乙烯的引入使硅薄膜中形成一定数量的ＳｉＣ 微晶粒。ＳｉＣ 较高的化学稳定性使薄膜具有较强的耐碱性，而其较小的折射率使薄膜的镜面反射率较低。含有ＳｉＣ 的硅薄膜经碱液适当腐蚀后能降低镜面反射，进而有可能减少光污染现象。

3d过渡族金属杂质在硅中的行为

本文综述了３ｄ过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质，介绍了国际上在此领域的研究进展，为进一步开展这方面的工作提供了有益的借鉴。

酞菁铜的性能和应用研究进展

酞菁铜是一种重要的多功能高分子材料,其良好的光电性能,正越来越引起人们广泛的研究。介绍了酞菁铜的研究发展历史,简述了酞菁铜的结构及能级特征。详细介绍了酞菁铜的耐高温性、导电性、光电导性、光伏效应、气敏性、热电效应、电致发光性、光存贮性和催化学性等性质及其应用。在此基础上展望了酞菁铜的应用前景。

染料敏化纳米薄膜太阳能电池的研究进展

本文简要地介绍了染料敏化纳米薄膜太阳能电池的结构和原理 ;对其中关键问题 ,如纳米TiO2膜、敏化染料。

等离子技术在近现代纸质文物脱酸保护中的应用研究

如何在无损纸张性能的前提下实现对纸质文物的快速脱酸，是近现代纸质文物脱酸研究的重点之一。为此，本工作使用等离子技术在常温常压条件下对近现代纸质文物进行脱酸处理，该方法可以有效对纸张进行脱酸，且克服了传统溶液浸泡脱酸法带来的纸张皱褶、粘连、褪色等问题。针对等离子体能量密度、处理时间及次数等因素对纸张脱酸效果以及纵向抗张强度的影响进行了一系列的研究。结果表明，使用能量密度为4．5-5．5MJ／m3的等离子对酸化纸张进行脱酸（处理2次，每次5分钟）后，其pH值从5．0-6．0提高到7．0-8．0；纸张的色度无明显变化；处理后纸张的纵向抗张强度增加10％，且老化后的抗张强度仍可达到初始值的95％左右。可以认为，等离子脱酸技术应用于各种年代及不同保存条件下的机制纸，均能达到较好的脱酸效果，是一种可以广泛应用的脱酸方法。

离子束辅助薄膜沉积

离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论。

喷雾热分解法玻璃镀膜

介绍了喷雾热分解法在热玻璃基板上镀膜的基本工艺过程 ,对镀膜溶液的配制、雾化、蒸发干燥、热解成膜进行了较为详细的论述 ,并介绍了几种镀膜的实验条件。

纳米复合薄膜的制备及其应用研究

纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点，正成为纳米材料的重要分支而越来越引起广泛的重视和深入的研究。本文全面介绍了纳米复合薄膜的发展历史、制备方法、薄膜性能及其应用前景。提出了纳米复合薄膜材料研究的关键问题以及今后的发展方向。