基于网络药理学及分子对接探讨山药治疗小儿消化不良性腹泻的作用机制

目的利用网络药理学和分子对接技术,探讨山药治疗小儿消化不良性腹泻的潜在作用机制。方法通过中药系统药理学数据库与分析平台(TCMSP)筛选山药的活性成分及相关靶点,运用Genecards数据库筛选小儿消化不良性腹泻的疾病相关靶点。通过JVenn绘制韦恩图,得到山药和小儿消化不良性腹泻的共同靶点。在STRING、Cytoscape及INPUT平台中分别进行蛋白-蛋白相互作用网络的构建、药物-活性成分-靶点基因网络的构建、基因本体(GO)功能通路富集分析和京都基因与基因组百科全书(KEGG)通路富集分析。运用EzCad在线分子对接平台进行分子对接验证。结果山药共有19个活性成分,小儿消化不良性腹泻有152个潜在靶点,两者共有42个共同靶点。白细胞介素-6(IL-6)、肿瘤坏死因子(TNF)、前列腺素内过氧化物合酶2(PTGS2),、雌激素受体α(ESR1)、CC类趋化因子配体2(CCL2)、编码NF-κB1(NF-κB1)是山药干预小儿消化不良性腹泻的潜在靶点蛋白。山药治疗小儿消化不良性腹泻的作用机制可能与5-羟色胺能突触、钙离子信号通路、感染性疾病、缺氧诱导因子1(HIF-1)信号通路、炎症性肠病等信号通路密切相关。结论山药的多种活性成分通过多条信号通路干预多个潜在靶点发挥作用,体现了中药多成分、多通路、多靶点的作用特点,为探索山药治疗小儿消化不良性腹泻的作用机制提供了思路。

镀镍织物的制备及应用

介绍了国外用化学镀方法制备镀镍织物的工艺研究现状和产品开发概况。

电磁屏蔽织物的制备及应用

本文介绍了电磁屏蔽织物的制备技术和国外电磁屏蔽织物的产品开发概况。

二氧化锆的制备及其应用进展

ZrO2 (Y2 O3)是重要的结构陶瓷和功能陶瓷的原材料。有关ZrO2 (Y2 O3)的研究包括ZrO2 (Y2 O3)粉体原料制备研究及应用开发研究 ,二者相互促进。本文就国内外目前ZrO2 (Y2 O3)粉体原料的制备方法及其相关应用进展进行了讨论 。

撞击流管式反应制备超细氧化锆粉体

我国氧化锆粉体产业目前基本上“精进粗出” ,迫切需要开发氧化锆粉体制备新工艺 ,特别是具有高附加值的纳米氧化锆粉体制备技术。液相反应沉淀法具有成本低、易于工业化等优点而成为研究的热点。本文采用撞击流管式反应新工艺 ,撞击流接触反应强化了过程的微观混合 ,实现了均匀成核 ,使得成核过程易于控制 ,而管式反应器的独特设计克服了返混 ,因而使得反应沉淀过程易于控制 ,粒子分布窄。用该工艺结合醇热处理表面改性制备的超细氧化锆粉体 ,平均粒径约为 14nm ,粒度分布窄并无硬团聚发生。该方法过程简单 ,易于工业化大生产。

高折射率镀膜材料LaTiO3

高稳定高折射率光学镀膜材料是应用光学发展的迫切需求。直接采用TiO2和La2O3粉体为原料,低成本制备了单相LaTiO3高折射率光学镀膜材料。利用该LaTiO3材料制备的薄膜在折射率、色散、消光系数等方面表现出良好的性能,多层高折射率膜的反射率也很低,批次稳定性实验表明该材料具有良好的稳定性。因此,该单相LaTiO3材料具有好的推广应用前景。

AZO靶材热压致密化及Al元素扩散研究

以98∶2(质量比)的ZnO-Al2O3混合粉体为原料热压制备AZO靶材。通过阿基米德排水法测定试样密度,XRD分析物相组成,TEM观察靶材的微观结构,研究靶材热压致密化和Al元素扩散的规律。结果表明:Al元素在未经煅烧的原料粉中以Al2O3的形式存在;而在煅烧处理后的粉末中,Al元素部分扩散进入了ZnO的晶格中,导致其层状属性c/a值的减小,另一部分Al元素由于固溶度的限制形成ZnAl2O4尖晶石。在热压温度为1 000℃时,未经煅烧的原料粉中Al2O3与ZnO发生反应生成ZnAl2O4;而煅烧处理后的粉末在1 000℃热压时,尖晶石含量最高为3.41%(质量分数,下同),温度升至1 150℃,ZnAl2O4的含量下降至2.64%,延长保温时间,ZnAl2O4含量逐渐减少。由此说明,热压温度为1 000℃时,易于形成ZnAl2O4相,在升温过程中,ZnAl2O4与ZnO中的Al元素存在互扩散。通过靶材的微观结构分析发现,ZnO晶粒中夹杂着ZnAl2O4,Al元素含量在ZnO晶粒中呈梯度分布。在热压过程中插入合适的保温保压点能改进热压工艺,有效提高靶材的致密度。

低品位铝土矿草酸光催化除铁研究

利用草酸预浸出低品位铝土矿,降低铁含量对酸法氧化铝生产工艺的影响,可提高低品位铝土矿的价值。同时,草酸浸出液通过光催化照射后分离出草酸溶液和草酸亚铁副产物,实现了草酸溶液循环利用。实验结果表明,75℃下,在1mol/L的草酸溶液中浸出2h,氧化铁的浸出率可达到96%,浸出后铝土矿中氧化铁含量由10.6%降低至0.5%以下。在光照催化300min内,浸出液中90%以上的草酸铁转变成草酸亚铁,实现浸出液中剩余草酸的循环再利用。从产品测试结果上看,光催化所得产品为β-FeC2O4·2H2O,是长度约为5μm的棒状结晶;浸出后的铝土矿采用酸法制备所得产品中氧化铁含量低于0.02%,达到国家标准的要求。

稀土元素Nd对Mg-Zn-Y合金组织结构和力学性能的影响

通过制备Mg-6Zn-1.5Y-0.8Zr-xNd(x=0、1、2、3、4)系列合金,研究了稀土元素Nd对Mg-6Zn-1.5Y-0.8Zr合金组织结构和力学性能的影响。通过金相显微镜、扫描电镜、EDS、XRD等手段,观察和分析了合金的微观形貌和组织结构,测量了合金抗拉强度、屈服强度和伸长率等力学性能。结果表明:合金中添加稀土元素Nd后晶粒明显细化,随着Nd元素含量的增加,晶粒细化效果更为明显;通过XRD分析可知,添加Nd元素后,合金中并没有出现新的含Nd的物相;扫描电镜和EDS分析表明,合金中加入的Nd置换了部分Y,形成了Mg3(NdY)2Zn3、Mg3-(NdY)Zn6的相结构,Nd元素对Y的置换主要出现在Mg3(NdY)2Zn3结构中,在Mg3(NdY)Zn6相结构中出现较少;力学性能测试结果表明,随着Nd含量增多,合金晶粒细化,细晶强化作用明显,合金屈服强度逐渐增大,而抗拉强度和伸长率在Nd含量为3%(质量分数)时达到最大,比未添加Nd元素时提高约25%以上。

两段焙烧法制备六硼化镧工艺研究

研究了以氧化镧（La2O3）、氧化硼（B2O3）和石墨（C）为原料采用两段焙烧工艺制备六硼化镧（LaB6）粉末的工艺路线。首先采用TG-DTA测试确定了La2O3、B2O3、C原料在室温至1100℃下的反应情况,随后采用X射线衍射分析了低温段（1100~1500℃）和高温段（1500~1700℃）的反应温度和保温时间对产品相组成的影响,从而确定两段焙烧法制备LaB6的工艺流程及参数,最后采用扫描电镜和ICP-MS分析方法分析了产品LaB6粉末的颗粒尺寸、形貌及纯度。实验结果表明,采用La2O3-B2O3-C体系制备LaB6,在1300℃保温4h,将原料B2O3中的B元素转化进入中间体,随后在1700℃高温反应4h可得到紫红色LaB6粉末,测试结果显示LaB6的含量大于99.9%,其中La和B的原子比为1∶6,粒径约为2μm。

TiCl_4除钒方法的研究

本文介绍了采用铝粉作为除钒试剂的TiCl_4除钒新方法。在连续蒸馏的条件下,研究了除钒的工艺条件和残渣性质,选择合理的工艺流程,得到高纯的精TiCl_4产品。并探讨了制备低价钛浆液的影响因素,得到相应的数学模型。

织物上化学镀镍工艺的研究

本文介绍了用化学镀方法制备镀镍织物的工艺，研究了影响镀层沉积速度和镀层含磷量的主要工艺参数，并对镀镍织物的导电性及镀层与织物表面的结合强度进行了考察。

几种新颖的光学镀膜材料

当前光学镀膜技术和应用光学的进展迅速,新的各种形式光学镀膜材料不断涌现。介绍了"预熔化"光学镀膜材料、高阈值激光膜材料、用于树脂基片的冷镀材料和光学镀膜用靶材,并对这几种新型材料的应用情况及国内外的现状进行了简要介绍。

透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体

将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明：750—850℃低温无压烧结时，扩散反应发生缓慢，只有少量的Cd2SnO4生成．大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950～1050℃无压烧结，随着温度升高，扩散反应速率较快，发生大量合成反应生成Cd2SnO4，当SnO2过量时，CdO完全参加反应。当温度上升至1150℃时，Cd：5nO4含量大幅度增加，伴随出现第二相CdSnO3。四探针测试结果显示：随着温度的升高，Cd：SnO4主相含量增加，靶材电阻率逐渐降低至19．9×10^-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律，采用2：1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料，充分混合后在1000℃下煅烧2—3小时，可得到均匀单相亮黄色Cd，SnO4原料粉体。

透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅱ—热压烧结

将2:1摩尔比的CdO与SnO_2混合粉体进行原位热压烧结,制备Cd_2SnO_4。采用XRD衍射仪、四探针电阻测试仪和扫描电镜,分析热压气氛,Sb掺杂元素以及热处理工艺对Cd_2SnO_4靶材的物相结构和导电性能的影响。结果表明:900℃原位热压烧结时,由于温度低,扩散反应发生不完全,生成部分Cd_2SnO_4化合物,少量Cd和Sn元素仍以氧化物的形式存在,未出现第二相CdSnO_3;氩气烧结比真空烧结更有利于扩散和化合反应发生;掺杂1%(质量分数)Sb元素的靶材电阻率降低至0.5×10^(-3)Ω·cm。高温退火热处理时扩散反应得以继续,靶材中Cd_2SnO_4含量有明显增加。为了克服原位热压温度和保温时间的限制所引起的化合反应不完全,优化热压工艺如下:采用单相Cd_2SnO_4复合粉体为原料,热压温度为1050℃,保温时间2小时,所得靶材均匀且晶粒细小,致密度达到92%,电阻率低至3×10^(-4)Ω·cm,第二相CdSnO_3含量低于2%,满足了镀膜用Cd_2SnO_4靶材的性能要求。

电解法生产镍箔工艺优化研究

运用二次回归正交设计对硫酸镍溶液电解生产镍箔影响工艺的主要因素安排了试验，建立了镍箔机械性能等五项指标的数学模型，分析各因素对指标的影响规律，确定最佳工艺条件为电流密度１４～２２Ａ／ｄｍ２，ｐＨ２．４～３．０，添加剂量１０～１５ｇ／Ｌ。然后在辊式阴极机列上进行了连续电沉积试验，结果表明：工艺稳定、重现性好、五项指标在不同程度上均有所提高，为工业生产提供了可靠的依据。

电解法生产镍箔半工业试验

电解法是生产宽幅薄镍箔的有效方法,本文研究了硫酸镍溶液电解制取镍箔的工艺技术。在φ350×400mm钛阴极辊电解机列进行了连续电沉积厚度25、50、100μm半工业试验,研究表明:工艺稳定、设备结构可行,制得的镍箔纯度99.41%,厚度偏差小于10%,针孔小于1孔/m^2抗拉强度900～1000N/mm^2,延伸率3.0～4.0%,热处理后延伸率10%,经多家用户使用,效果良好。本工艺为降低镍箔加工成本开辟了一条新的有效途径。

紫外级氧化铪的生产工艺研究

紫外级氧化铪具有优异的光学性能和抗激光损伤性能,是制备高功率激光薄膜、高折射率紫外薄膜以及其他光学薄膜的重要材料。锆铪分离是制备紫外级氧化铪的关键。本实验研究了N235-H2SO4萃取分离锆铪体系的影响因素,并得到用N235-H2SO4萃取分离体系制备低锆氧化铪的最佳工艺。经过4级萃取,制备出含锆量低于0.1%的紫外级氧化铪。

超音速火焰喷涂制备Cr_2AlC涂层组织性能研究

采用真空分段烧结法制备了两种不同粒度的高单相Cr2AlC化合物粉末,并使用超音速火焰喷涂(HVOF)方法在GH4169高温镍合金上制备了Cr2AlC涂层,对喷涂粉末及涂层进行了相结构分析,测试了涂层的显微硬度、孔隙率,并采用扫描电子显微镜(SEM)对喷涂粉末及涂层截面形貌进行了观察,结合扫描电镜能谱仪(EDS)和X射线衍射研究了涂层相组成,分析了粉末粒度对涂层微观组织结构的影响。研究结果表明:采用超音速火焰喷涂成功制备了厚度超过200μm的Cr2AlC涂层,涂层与基体紧密结合,涂层微观组织致密,采用较细的粉末有利于得到更高致密度的涂层。在喷涂过程中,有少量Cr2AlC粉末发生分解形成Cr7C3化合物。