采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器

射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15d B;噪声系数低于5.5d B,最小噪声系数达到2.6d B.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内.

国防科技成果转化服务平台的多维要素与一体化关系探析

0引言加快推进国防科技成果转化是深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想、强军思想及军民融合发展战略思想,构建一体化国家战略体系和能力的重要举措。相对于一般的科技成果,国防科技成果转化存在诸多的特殊性,尤其是国防专利的保密性和不完全市场性直接制约了国防专利转移转化工作的实施。国防科技成果转化所涉及的范围更广、层次更深,影响因素交织复杂,是一项环环相扣的系统工程。建设国防科技成果转化服务平台是高效集聚资源、有效促进国防科技成果加速转化的一个重要途径。

工科大学生课外科技学术活动存在的问题与对策

工科大学生的教学有其自身的特点,课外科技学术活动对培养具有创新精神和实践能力的工科大学生显得尤为重要。文章结合广东工业大学目前开展学生课外科技学术活动的现状,探讨了在工科院校开展课外学术科技活动所存在的问题,并提出相关的措施与建议。

建立和谐师生关系,构建和谐校园

和谐的师生关系是构建和谐校园的必须要求。和谐的师生关系有其本身特有的内涵,受多方面因素的影响。教师须转变传统的教学观念,以学生为本,树立为学生服务的意识,做到德才兼备,严格要求,悉心教育, 才能建立和谐的师生关系。

大学生诚信危机的思考

当今高校诚信教育严重滞后,且由于各方面原因导致大学生诚信状况令人担忧。大学生诚信危机威胁着高等教育、社会主义事业建设的健康发展,高校加大力度发展诚信教育刻不容缓。文章对当今大学生诚信危机现状及原因做了剖析,在诚信教育措施上做了一些探讨。

新常态下地方高校科技管理改革的问题及对策

随着国家科技体制改革的深入推进,新的科研常态正逐步形成。把握科研工作新常态,加强高校科技管理改革,是高水平大学建设的重要战略举措。该文从地方高校科技管理的角度,从科技管理改革的顶层设计、科技资源投入体系的变化、科技项目管理的规范化、以及科技与市场结合的趋势等方面,宏观的分析了科研新常态的特点。在此基础上,本文结合新常态下地方高校科技管理存在的问题,从思想认识、制度体系建设、资源配置方式转变、新型协同创新平台建设等方面探讨了高校科技管理改革的对策。

一种低功耗双频段低噪声放大器

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA)。在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段的输入阻抗匹配。在放大级中,采用CMOS互补共源放大结构和电流复用技术,在提高系统增益的同时,实现了DB-LNA的低功耗。在输出级中,采用NMOS晶体管作电流源的源跟随器,对信号电压进行缓冲,实现了输出阻抗匹配。利用ADS进行仿真验证,结果表明,该低噪声放大器在1.9GHz和2.4GHz 2个工作频段下,其增益(S21)分别为26.69dB和20.12dB;输入回波损耗(S11)分别为-15.45dB和-15.38dB;输出回波损耗(S22)分别为-16.73dB和-20.63dB;噪声系数(NF)分别为2.02dB和1.77dB;在3.5V的工作电压下,静态功耗仅有9.24mW。

新时代军民融合发展与创新服务

军民融合是国家发展战略，是高层次的产学研深度合作；新时代的历史使命下，对产学研各方如何创新合作模式与方法提出更高的要求.

用于5G-WiFi的可变增益有源巴伦LNA

设计了一款应用于5G-WiFi的可变增益有源巴伦LNA。该LNA输入级在采用共源共栅结构的基础上加入了阻容并联负反馈和源级电感负反馈,在保证低噪声的同时提高了电路线性度;第二级通过编程和改变控制电压实现了增益双调节功能;输出级采用有源巴伦结构实现了信号振幅相同、相位相反的差分输出。电路基于TSMC 0.18μm CMOS工艺库仿真,结果表明,在5.8GHz频率下,电路噪声系数为3.7dB,最大增益可调节范围为5-20dB,线性度IIP3达到-2.5dBm,输入、输出的回波损耗均小于-25dB。

横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响

为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.

一种电流舵结构大范围连续可变增益LNA

设计了一款应用于4G(TD-LTE)的可变增益低噪声放大器(VGLNA)。输入级采用共栅极跨导增强结构,实现了电路的输入阻抗匹配,并且加入共栅极噪声抵消电路,降低了电路的噪声系数;第2级采用改进型电流舵结构,实现了电路的增益大范围连续可变;输出级采用源跟随器,实现了良好的输出阻抗匹配。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦射频集成电路设计工具ADS2009进行仿真验证。结果表明:在1.88~2.65GHz频段内,该LNA在2.7~39.3dB增益范围内连续可变,且输入端口反射系数S_(11)小于-10dB,输出端口反射系数S_(22)小于-20dB,最小噪声系数NF为2.6dB,最大3阶交调点IIP3达到2.7dBm。

单载流子传输双异质结光敏晶体管频率特性分析(邀请论文)

为了缓解光敏晶体管探测器在响应度和响应速度优化时存在的矛盾并提高响应度和响应速度,分析了单载流子传输(uni—travelling—carrier,UTC)双异质结光敏晶体管(double hetero-junction phototransistor,DHPT)中光生载流子对发射结结电容和集电结结电容的影响,建立了UTC—DHPT的频率特性模型.基于所建模型,研究了UTC—DHPT在电学晶体管工作状态(double hetero-junction transistor,DHBT)、基极光偏置的二端工作模式(two terminal,2T)和基极光电混合偏置的三端工作模式(three terminal,3T)的光电流增益和光学特征频率.结果表明:UTC—DHPT比传统的单异质结光敏晶体管(single hetero-junction phototransistor,SHPT)有更好的频率特性,3T工作模式下的UTC—DHPT可以同时提供高响应度和高响应速度.

试析新形势下高校学生党支部组织生活模式创新

我国高等学校肩负着培养社会主义事业建设者和接班人的重任,能否保证党的事业后继有人,高校学生党建工作显得尤为重要。当前,由于国内外形势的变化,学生党建相对于高等教育的快速发展有滞后现象,如不及时采取措施,不利于党的事业更好更快地发展。

宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计

为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱.

新时期高校学生党建工作的几点思考

本文从新时期高校学生党建工作面临的几个问题入手,分析了这些问题的具体表现,并对高校学生党建工作在新的历史时期的加强和改善提出了一些个人的看法。

广东工业大学材料与能源学院贫困生扶助工作的实践

文章对广东工业大学材料与能源学院的贫困生扶助工作进行了总结,提出了完善电子档案、开展勤工助学活动和国家贷款工作等措施。

浅谈高校思想政治工作进公寓

在高校后勤管理社会化及高校扩招等条件下,高校的教育管理观念、教育方法和内容、教育环境、教育对象和载体等因素也随着发生了变化,这给高校的思想政治教育工作进公寓带来一系列的问题。文章对这些问题的产生原因及影响进行了分析,并针对存在的问题对高校思想政治教育工作进公寓的对策进行了探讨。

协同创新视角下高校资源的配置与管理

一、引言 “2011计划”全称“高等学校创新能力提升计划”，是继“985工程”、“211工程”之后，中国高等教育系统又一项体现国家意志的重大战略举措，于2012年5月7日正式启动。

兼有高Q值、高电感值、高线性度的新型全差分有源电感

联合采用Cascode拓扑、电阻反馈网络和电流前馈技术,提出了一款兼有高Q值、高电感值、高线性度的可调谐的Cascode新型全差分有源电感。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦公司的射频仿真工具ADS完成了有源电感的设计与仿真验证,应用Cadence Virtuoso工具完成了版图的绘制。结果表明,通过改变差分有源电感外加偏置,可以实现Q和电感值的可调,在1.2 GHz时Q值达到了最大值2 653,并且在此频率下电感值也高达15.563 n H,同时电感的线性度与没加电流前馈时相比提高了11.3 d BV。

基于DSP的不连续脉宽调制统一化实现方法研究

在高速永磁同步电机驱动场合,逆变器的开关损耗是影响电机系统驱动效率的主要因素之一,相比传统的七段式SVPWM调制,不连续脉宽调制(DPWM)能极大地降低开关损耗,提高系统效率。现有研究的DPWM调制策略有6种,不同调制策略的降低开关损耗性能及输出谐波都各有差异,为实现系统综合性能最优,采用分段复合调制或目标优化调制。基于DSP应用平台,提出一种新的不连续脉宽调制的统一化实现方法,分析不同调制方法下零序电压中零矢量的分配系数与三相指令电压的关系,针对第二、第三类不连续脉宽调制下零矢量分配系数不是定值的问题,引入基准指令电压,并根据基准指令电压中最大值与最小值之和的正负确定分配系数的值,完成了SVPWM及6种DPWM的统一化实现,不同的调制方法之间可快速切换,实现方法便捷可靠,仿真及实验结果验证了该方法的有效性。