无压烧结制备Y_(2)MgAl_(4)SiO_(12)∶Ce^(3+)荧光陶瓷及光学性能

Y_(3)Al_(5)O_(12)∶Ce^(3+)荧光粉是目前白光LED的主要发光材料,但在使用时存在封装树脂因散热不佳而发生老化等问题。本文采用无压烧结制备了Y_(2)MgAl_(4)SiO_(12)∶Ce^(3+)透明陶瓷荧光体,用于替代荧光粉体和调控发光性能。首先通过化学共沉淀法制备前驱体粉体,经高温煅烧后采用冷等静压成型,最后在马弗炉中1 600℃煅烧制得透明荧光陶瓷。研究了Ce^(3+)掺杂浓度和样品厚度对材料性能的影响,其中掺杂量为0.5%的样品在800 nm处具有56%的透过率,在450 K下发光强度仍能保持室温强度的84%。与蓝光芯片组装成器件测试表明,荧光陶瓷在蓝光LEDs/LDs的激发下发出白光,其CIE色度坐标分别为(0.307 6,0.332 9)和(0.308 0,0.331 6),光效分别为62.6 lm/W和146.3 lm/W。研究结果表明,YMAS∶Ce荧光陶瓷可应用于白光LEDs/LDs领域。

开发普及型剑杆织机的几点看法

国内普及型剑杆织机近几年来进展迅速,不同类型的机型已有6～7家纺机厂通过了生产鉴定,取得了可喜的成绩。但是,目前采用现有开发的普及型剑杆织机来改造更新有梭织机,对符合使用厂的要求尚有一定差距。主要差距反映在织造效率低,织物下机一等品率低,机物料消耗大,机器售价高,直接影响推广使用。笔者对上述问题谈几点具体看法,供同行讨论。

用于高功率交流白光发光二极管的半透明Gd AGG:Ce-SiO_(2)玻璃陶瓷的制备、结构和发光性能

透明玻璃陶瓷荧光转换材料是高功率固态照明技术领域的研究热点。以非晶SiO_(2)纳米粉体和Gd_(2.94)Al_(2)Ga3O_(12):0.06Ce^(3+)(GdAGG:Ce)荧光粉为原料,采用低温共烧工艺制备了半透明GdAGG:Ce-SiO_(2)玻璃陶瓷。结果表明:GdAGG:Ce荧光粉颗粒未受到明显破坏,均匀分散于SiO_(2)玻璃基体中;玻璃陶瓷保留了GdAGG:Ce荧光粉的发光性能,在450 nm激发下呈现峰值位于536 nm的宽发射带,量子效率约为63%,且荧光热猝灭效应不显著;停止激发后,玻璃陶瓷呈现明亮的黄绿色余辉,余辉强度衰减到初始强度80%时的寿命约为27 ms;将玻璃陶瓷与450 nm蓝光芯片或激光器耦合,所得白光发光二极管器件在150 mA直流电驱动下的光效为81.7 lm/W、色温为5 805 K、显色指数为70.8,在交流电驱动下的闪烁指数降低为68.9%,所得白光激光器件的光效为132.6 lm/W、色温为6 528 K、显色指数为70.6;因此,GdAGG:Ce-SiO_(2)玻璃陶瓷是一种优良的交流白光发光二极管用荧光转换材料。