高频印制板基材发展概况和选型探讨

概述了高频基材的发展现状,重点探讨了其选型原则,并介绍了高频印制板对基材的介电常数(Dk)、介质损耗因数(Df)、铜箔表面粗糙度等方面提出的特殊要求,最后分析了全球主要高频基材供应商的相关产品材料组成及其介电性能。

低频、轻质铁/碳纳米管吸收剂研究

以二茂铁和苯为原料采用CVD技术制备了定向、长为150～160μm铁/碳纳米管雷达波吸收剂,考察了反应温度、保温时间等对其生长状况的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X-射线光电子能谱(XPS)对所得产物进行了形貌、组成、结构表征。结果表明产物有较高的铁填充率,铁元素是以α-Fe晶型包覆在多壁碳纳米管中;吸收剂密度为2.4～2.6 g/cm^3,电磁参数在2～18 GHz范围内呈现良好的频散效应,低频段尤为显著。

三甲基硅基取代聚硅烷的合成与性能研究

利用聚甲基硅烷(PMS)的高分子反应合成三甲基硅基取代聚硅烷(SPS),研究其分子组成与结构,热分解性能和导电性能等.FT-IR、1H-NMR、29Si-NMR、UV和GPC分析表明,SPS具有Si—Si相连的主链结构,侧链的部分取代基中含有三甲基硅侧基.SPS可溶于一般常见的有机溶剂,其热分解特性表明,陶瓷产率为44%,可用作SiC陶瓷先驱体.通过热交联反应可以有效提高其分子量,将其与碘掺杂,电导率为10-6S/cm量级,在半导体范围.

液态SiC先驱体-锑掺杂聚硅烷的合成与性质

室温下用PMS(polymethylsilane,聚甲基硅烷)和SbCl_3合成了新型液态SiC陶瓷先驱体锑掺杂聚硅烷(Antimony-substitutedPolysilane,APS)。Sb元素的引入形成了部分支化结构,提高了APS的陶瓷收率。经320℃固化后,APS陶瓷收率为91%。1250℃烧结产物主要成分为β-SiC和Sb金属。

聚合物先驱体热解制备超长SiC纳米线

采用聚合物先驱体热解技术,以聚合物先驱体—聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为原料,在催化剂辅助作用下,于1200℃热解制备出超长碳化硅(SiC)纳米线。采用电子能量散射(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等分析手段对SiC纳米线进行了表征。结果表明,所制备的纳米线为高结晶性β-SiC,纳米线直径约为30 nm～300 nm,长度可达数毫米。利用"气—固"生长机制对SiC纳米线的生长过程进行了分析。

高厚径比多种孔径选择性树脂塞孔工艺研究

文章通过选择合适的刮胶、设计树脂塞孔模板、优化刮印及固化参数,利用丝网印刷技术进行电路板树脂塞孔的制作技巧。通过应用这些技巧实现了0.15mm^0.60mm孔径范围内高厚径比孔的无空洞、无凹陷塞孔。并对这些技术进行了实验验证。

印制板实测阻抗反推介质介电常数的研究

为实现印制板的阻抗精确设计,通过设计阻抗测试图形和借助阻抗模拟计算软件,用迭代分析反推出介电常数,然后用介电常数再计算出理论阻抗,并将其与实际阻抗测试结果进行比较分析。结果表明:将试验反推得出叠层结构中各不同介质的介电常数用于阻抗设计,理论设计阻抗值与实测阻抗值吻合。

超薄CPU BGA封装的无芯载板技术研究

无芯载板封装技术,因为其Z向高度需求低,在微型移动设备方面非常具有吸引力。为了充分表述无芯封装技术的高品质和多功能性,需要研究这项技术的几个特定方面,以了解其优缺点。设计制造了一款典型的无芯板BGA封装的样板,并表征了其电源特性和IO信号完整性。通过采用标准有芯BGA封装和无芯BGA封装,对比两种封装的性能。

光互连背板的发展现状

文章概述了光互连背板的发展现状和应用前景,着重介绍了光互连背板的关键材料光波导及其性能指标、加工工艺,并列举了几个重要的光互连背板相关研究工作。

科学课堂教学岂能舍本求末——新课改科学课堂教学之我思

随着新课程的深入，新课程使教师的教学观念耳目一新，但也存在一些问题。笔者结合所任教的学科特点、自己平时教学的体会和自课程改革以来所听取的公开课和优质课的情况，认真总结对比，发现了一些问题并进行了反思。

兴趣——牵住学生的一根红线

兴趣是最好的老师，是进行创造性活动的先导。激发学生积极主动的学习兴趣，是培养创造力的前提和内在的动力。为此，在科学教学过程中，应注重用各种方法来激发学生的学习兴趣。

由光敏性全氢聚硅氮烷制备透明高硬Si-O微/纳米结构压印模板

面向可用作压印模板的透明高硬微/纳米结构的低成本制备,无机高分子全氢聚硅氮烷用甲基丙烯酸(2-异氰酸基乙酯)进行光敏改性,经FTIR,1H-NMR,13C-NMR等手段表征,推断获得的是甲基丙烯酸酯化的全氢聚硅氮烷(MPHPS),并以此为原料,用一种含氟聚合物(FP)模板,施加0.1～0.4 MPa的压力,紫外压印制备MPHPS的微结构,发现增加压力,压印复制效果提高,0.23 MPa可以完全复制FP模板的微结构.此外,在0.4 MPa的压力下也制备了分辨率为90 nm,70 nm的纳米级结构.随后在碱性条件下室温水解,MPHPS聚合物结构转化为Si—O无机结构,最终获得透明高硬结构,硬度4.5×103MPa,弹性模量115×103MPa.

用聚碳硅烷制备柔性疏水型碳化硅纤维毡(英文)

以聚合物先驱体转化法用陶瓷工艺与静电纺丝技术相结合制备了碳化硅(SiC)陶瓷纤维毡。以聚碳硅烷为先驱体,利用静电纺丝技术制备先驱体原纤维毡。原纤维毡经过低温交联和1 000℃以上热解,得到SiC纤维毡。当温度达到1 200℃时,纤维毡为多晶态,保持典型的三维网络结构,纤维直径约为1.1mm。电子探针分析表明,纤维毡化学组成为Si、C、以及少量O元素。SiC纤维毡具有良好的疏水性,疏水角大于130°。1 000℃热解制备的SiC纤维毡的拉伸强度为0.6MPa,断裂伸长率为45%,可应用于高温极端环境。

产后中药足浴的应用对产褥期产妇产后康复护理的效果

目的:分析产褥期产妇产后康复护理干预过程中产后中药足浴应用效果差异。方法:选取2021年11月~2023年10月本院收治的64例分娩产妇为研究对象,并基于随机数字表法分为对照组与研究组,各有32例,分别接受常规护理干预与中药足浴干预。对比观察两组产后恢复情况及产后并发症发生率比较。结果:同对照组相比,研究组产后24h阴道出血量少、初次肛门排气时间、首次排尿时间、肠鸣音恢复时间、疼痛消失时间、泌乳始动、恶露持续时间短,产后3d宫底高度低于对照组(P<0.05);两组产后并发症发生率相比,研究组并发症发生率显著低于对照组,组间对比存在统计学差异(P<0.05)。结论:在产褥期产妇产后康复护理干预中,接受中药足浴干预方法,利于加快产后恢复进程,降低产后并发症发生率,改善产妇预后,临床可进一步推广运用。