平面介质靶周围离子体鞘的特征

该文研究了在等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ） 中介质材料（ 高聚物、半导体等） 为被注入对象时，其周围离子体鞘的扩展厚度和电势特征。在常规应用中，薄膜型介质材料的厚度和相对介电常数对离子体鞘的厚度和离子集群势能分布及大小影响不大。因此在现有的等离子体处理、沉积、聚合。

等离子体浸没离子注入对金属表面的改性

报道用自制等离子体浸没离子注入设备进行三种不同处理以改善金属表面性质的研究：氮离子注入、钛的离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）和氮及钛离子混合（ＩＢＭ）注入．俄歇浓度分布表明氮离子在金属表面层的注入是非常光滑的．Ｘ－光电子能谱指出ＩＢＥＤ和ＩＢＭ处理后样品表面有ＴｉＮ薄层形成．实验显示所有处理后金属的表面硬度和抗磨损性能都大为改善．

从非封闭物理系统研究非相对论粒子在碰撞过程中的阈能值

本文从非封闭物理系统的功能关系出发,对粒子之间相互碰撞的阈能值进行计算。在教学过程中采用这种计算方法能使学生对粒子碰撞过程中能量转化问题有较透彻的理解,并对开拓学生思路、活化思维都是有利的。

物理实验课不同考核方式的改革与实践——操作考试的积极效应最为明显

通过对我校光电专业05、06、07级3届学生普通物理实验课程考核方式的改革与实践,总结得出:实验课的期末考核十分必要;操作与笔答相结合的考核方式较为适宜;特别是操作考试的积极效应最为明显.

碳氮薄膜的制备及其拉曼光谱研究

使用自行设计的真空系统 ,采用弧光放电等离子体的方法 ,成功制备了表面光滑致密的碳氮薄膜 .牛顿环干涉图样进一步验证了薄膜厚度的均匀性 .拉曼光谱显示了 3个主要的散射峰和几个相对较弱的峰 ,拉曼光谱分析表明 ,膜的结构是一种无定形非晶碳氮膜 ,碳原子与氮原子在薄膜中以各种不同的键态存在 .通过比较样品不同区域的拉曼光谱图发现 ,谱图几乎没有变化 。

基于LabVIEW的锁相放大器的设计与测量

利用LabVIEW软件和PCI-6251采集卡设计了虚拟锁相放大器.通过对图形化锁相放大器的相敏检波特性,奇偶谐波的抑制能力以及频率响应,白噪声抑制等进行了测量,发现其具有与仪器化锁相放大器同等甚至更好的抑制噪声的能力.

基于LabVIEW的阿贝4F系统成像实验的仿真设计

利用LabVIEW软件设计了在阿贝4F系统成像过程中的各个环节,利用生成的二维光栅作为物面图像,之后利用傅里叶变换得到频谱,再通过滤波器对频谱信息进行处理,最后通过傅里叶逆变换得到像面图像。在生成的二维光栅与二维滤波器的设计与仿真中,可方便操作和控制光栅与滤波器的类型和大小,对理解频域与空域图像的对应关系起到了积极作用。

基于LabVIEW的电子顺磁共振信号的采集

基于LabVIEW数据采集设计了电子顺磁共振信号系统.采用自制扫场电路和带有GPIB接口的高斯计,实现了扫场过程中信号电压与磁场强度的同步采集并实时显示电子顺磁共振谱线.DPPH顺磁材料的g因子和谱线半高全宽的测试结果表明该扫场系统准确性高且重复性好.

利用发射光谱进行常压介质阻挡放电等离子体诊断及其在材料表面改性上的应用(英文)

使用介质阻挡放电光谱诊断装置,对常压介质阻挡放电在材料改性过程中的等离子体发射光谱进行测量,记录和比较了空气、氦气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,并运用氩元素谱线的相对强度来诊断电子温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控。

空心阴极放电沉积氮化碳薄膜的结构和成键性质

利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)衬底上沉积了氮化碳薄膜.用XRD,SEM,XPS及拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.XRD分析表明,制备的氮化碳薄膜为非晶结构.XPS分析证实了薄膜中以C—C,sp2CN和sp3CN键为主,并得出薄膜中的氮碳比为0.71,而sp3—CN相的含量也达到了0.39.拉曼和红外吸收光谱的结果也与XPS分析的键态结果一致.

偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响

利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.在拉曼光谱中可以看到典型的G,D和C N键的峰.当偏压为250 V时,薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失,此时薄膜的N/C比达到了0.81.通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C—C,sp2CN和sp3CN键的组分也发生了明显的变化.当偏压为250 V时薄膜的sp3CN相的含量达到了最大值为40%,同时氮含量也达到了最大值.实验结果给出了直接的证据:薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制.

采用图示法求解相干波叠加问题

一、相干波叠加问题的提出在由清华大学编制的《大学物理》题库中有一道选择题（题号为5321）:S1和S2是波长均为λ的两个相干波的波源,相距3λ/4,S1的相位比S2超前。若两波单独传播时,在过S1和S2的直线上各点的强度相同,不随时间变化,且两波的强度都是I0,则在S1、S2连线上S1的外侧和S2的外侧。

等离子体源离子注入表面改性

研究了等离子体源离子注入对聚酰亚胺薄膜电性能的改变。处理后该薄膜面电阻率下降6个数量级。由X光电子能谱及全反射衰减红外谱分析,注入时聚酰亚胺表面分子链上的C=0、C—H、C—N、C=C等化学键被离子部分地打断而形成富碳层,并有无定形碳存在,是面电阻率下降的主要原因。

直流脉冲偏压协同射频等离子体对PET膜的表面改性

利用协同射频等离子体对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜进行表面改性,主要研究了直流(DC)脉冲偏压协同作用对PET膜表面快速(15 s)处理效果的影响。实验表明:DC脉冲偏压作用后PET表面润湿性得到了明显的改善,接触角可在15 s的处理时间内降到20°。改性后的PET与Au膜的剥离力比未处理样品提升了近6倍。场发射扫描电镜测试结果发现,薄膜表面刻蚀现象明显,表面粗糙程度增加。经过X射线光电子能谱分析表明,改性后的PET表面生成了大量的含氧极性官能团,使得表面含氧量有了很大的提高。结果表明DC脉冲偏压可快速有效地提高PET膜表面粗糙程度和含氧官能团数量,进而影响其亲水性和表面黏结性,为进一步改善等离子体表面改性工艺提供了依据。

移动式单探针诊断空心阴极等离子体的研究

利用移动式单探针对不同电源偏压、不同气压以及不同位置的空心阴极等离子体进行了诊断,分析了电压和气压对空心阴极等离子体的影响,并对测量数据中表征等离子体空间电位Vsp的拐点不明显这一现象进行了解释。

潘宁型放电等离子体的发射光谱分析

重新设计了潘宁型等离子体源实验装置,在低气压下得到了稳定的等离子体.分析了等离子体的发射光谱,得到了等离子体光谱强度与放电气压和放电电压之间的关系,并且对氮气的发射光谱进行了分析.

管型空心阴极放电的流体模型模拟

采用二维流体模型对管型空心阴极放电（HCD）进行了模拟，得到放电稳定状态下的电势分布、电子和离子的密度分布、电子平均能量分布．利用模拟结果，理论研究了在气压为30～130Pa．电压为150～300V，阴极孔径在3～7．5mm的范围内氩（Ar）空心阴极放电的特点．结果表明，放电中存在空心阴极效应，放电中的等离子体区域主要分布在管型空心阴极的两端，且改变放电电压、气压和阴极孔径等参数对放电特性有较大影响．

空心阴极放电的粒子模拟研究

应用粒子模拟软件对空心阴极放电进行粒子模拟,得到放电稳定状态时的电势分布和带电粒子的密度分布。利用模拟结果研究了放电电压为-800 V,气压为1 Torr,基板偏压为-250 V和-400 V放电条件下的空心阴极放电特性。结果表明,放电中存在空心阴极效应,放电时的等离子体区在阴极管的中心轴附近,且改变基板偏压对电子密度、粒子密度的空间分布有所影响,随着基板负偏压增加更有利于沉积均匀致密的薄膜。

大气压下Ar/CF_(4)纳秒脉冲放电等离子体特性

探索大气压下Ar/CF_(4)放电产生的高活性含氟等离子体的特性,为含氟基团的材料改性提供理论和试验支持,选取纳秒脉冲电源对Ar/CF_(4)混合气体进行同轴管状介质阻挡放电研究。改变CF_(4)的体积分数后,测量气体放电的点火电压和脉冲电流,拍摄其放电发光图像,同步采集气体放电的发射光谱图。利用玻尔兹曼斜率法计算放电产生的等离子体的电子激发温度,采用非类氢原子Ar的Stark展宽计算电子密度。结果表明:Ar/CF_(4)混合气体的点火电压随CF_(4)的体积分数的增大而升高;Ar掺入CF_(4)后气体放电的颜色由纯Ar的淡紫色变为暖黄色;随脉冲电压的增大,Ar和F谱线的强度增强;放电管内的电子温度在CF_(4)体积分数为4.0%时相对最高,此时电子密度为1.54×10^(14) cm^(-3)。

低气压CF4等离子体发射光谱分析

通过观察容性耦合等离子体放电中CF4等离子体光谱来对电子温度和电子密度进行诊断与分析。结果表明:在CF4等离子体中,电源功率小于180 W时,电子温度随气压的增大先升高后降低,随着功率的增大而略升高;电子密度随着气体压强增大而始终减小,随功率的增大而增大;在CF4+O2混合情况下电子温度随着O2和CF4流量比的增大而降低。