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第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景
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作者 朱曦 黎晓华 +9 位作者 贺威 李煜 朱德亮 曹培江 柳文军 姚蕾 韩舜 曾玉祥 吕有明 刘新科 《广东化工》 CAS 2024年第4期49-51,75,共4页
随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的... 随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的制备方法的原理及优缺点(如VLS法、HVPE法、氨热法等)、简述了在光电、射频、电子电力领域中的应用,并展望了未来的发展前景。 展开更多
关键词 氮化镓 一维纳米线 单晶衬底 光电器件 微电子
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射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究 被引量:4
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作者 曹培江 姜志刚 +4 位作者 李俊杰 金曾孙 王欣 郑伟涛 李哲奎 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期275-278,共4页
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进... 使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有~ 70 0 cm- 1 ,~ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5~ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ ) 展开更多
关键词 射频磁控溅射 化学结合状态 结构 氮化碳薄膜 衬底温度 退火温度 FTIR XPS 拉曼光谱
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氧气流量对脉冲激光沉积ZnO薄膜的形貌及光学性质影响 被引量:7
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作者 曹培江 林传强 +5 位作者 曾玉祥 柳文军 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期239-242,共4页
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(... 使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(~40.71%)、较快的生长速率(~252nm/h)和较好的发光特性:450~580nm附近发射峰最弱,同时~378nm附近的紫外发光峰最强,表明薄膜材料中含有较少的氧空位等缺陷。 展开更多
关键词 氧气流量 脉冲激光沉积 ZNO薄膜
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N离子注入金刚石膜方法合成的CN_x膜的成键结构 被引量:4
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作者 曹培江 姜志刚 +6 位作者 李俊杰 金曾孙 王欣 郑伟涛 牟宗信 董闯 李哲奎 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期49-52,共4页
使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)... 使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,~ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于~ 398.5e V和~ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于~ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :~ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;~ 398.5e V则属于 sp3C—N键 . 展开更多
关键词 N离子注入 金刚石膜 成键结构 氮化碳薄膜 RAMAN光谱 XPS光谱
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ZnO纳米/微米结构传感器对乙醇气敏性研究 被引量:3
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作者 曹培江 彭双娇 +5 位作者 韩舜 柳文军 贾芳 曾玉祥 朱德亮 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期460-464,共5页
采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构,并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示:合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm^100μm之间,传感器最... 采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构,并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示:合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm^100μm之间,传感器最佳工作电流区间为120~130 mA,其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127,展现出优异的气敏特性。在4种结构中,微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高,结合气敏测试与荧光光谱结果,我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。 展开更多
关键词 ZNO 化学气相法 气敏特性 缺陷含量
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氮离子注入法合成CN_x膜的化学键表征 被引量:3
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作者 曹培江 朱德亮 +1 位作者 马晓翠 潘跃武 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期328-330,354,共4页
采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究。通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属:≈400.0 eV属于sp2C-N键;≈398.5 eV则属... 采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究。通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属:≈400.0 eV属于sp2C-N键;≈398.5 eV则属于sp3C-N键。结果显示:碳原子、氮原子间的化学键合状态,明显地依赖于衬底材料及注入N离子的能量。 展开更多
关键词 N离子注入 金刚石 化学键
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生长温度对Ga掺杂ZnO薄膜光电性能的影响 被引量:2
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作者 曹培江 邓海峰 +4 位作者 柳文军 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期318-321,共4页
在不同衬底温度(室温~750℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。结果显示:衬底温度的变化导致衬底表面吸附原子扩散速率和脱附速率的不同,从而导致合成薄膜结晶质量的差异,衬... 在不同衬底温度(室温~750℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。结果显示:衬底温度的变化导致衬底表面吸附原子扩散速率和脱附速率的不同,从而导致合成薄膜结晶质量的差异,衬底温度450℃时制备的GZO薄膜具有最好的结晶特性;GZO薄膜中载流子浓度随衬底温度升高而单调减小的现象与GZO薄膜中的本征缺陷密切相关,晶界散射强度的变化导致迁移率出现先增大后减小的趋势,衬底温度450℃时制备的GZO薄膜具有最小的电阻率~0.02Ω.cm;随着衬底温度的升高,薄膜载流子浓度的单调减小导致了薄膜光学带隙变窄,所有合成样品的平均可见光透过率均达到85%以上。采用PLD方法制备GZO薄膜,衬底温度的改变可以对薄膜的光电性能起到调制作用。 展开更多
关键词 Ga掺杂ZnO 脉冲激光沉积 衬底温度
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不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析 被引量:2
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作者 曹培江 解振宇 +5 位作者 韩舜 柳文军 贾芳 曾玉祥 朱德亮 吕有明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期1-3,共3页
采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO... 采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米棒面密度减小。氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520nm处的绿光峰增强。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒阵列 化学气相沉积 发光性能
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柔性衬底上AZO薄膜的附着力特性研究 被引量:1
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作者 曹培江 赖国霞 +4 位作者 柳文军 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期139-141,共3页
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在柔性衬底PMMA和PET上制备了具有高c轴择优取向的AZO(ZnO∶Al)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和纳米划痕仪,研究了在不同衬底下生长的薄膜样品的晶体结构、光学性能和附着力。结果表... 使用脉冲激光沉积(PLD)方法在柔性衬底PMMA和PET上制备了具有高c轴择优取向的AZO(ZnO∶Al)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和纳米划痕仪,研究了在不同衬底下生长的薄膜样品的晶体结构、光学性能和附着力。结果表明,两种柔性衬底上生长的AZO薄膜都是单一的ZnO六方相,可见光范围内光学透过率均大于85%;PMMA、PET衬底上AZO薄膜的临界载荷数值分别为31.31mN和16.97mN,PET衬底上ITO薄膜的临界载荷数值为40.55mN。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 附着力
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氧气压力对PLD ZnO薄膜形貌及光学性质影响
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作者 曹培江 曾玉祥 +3 位作者 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期311-314,共4页
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、表面轮廓仪、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、紫外可见分光光度计,对合成样品进行了结构、成分以及光学性能的... 使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有c轴择优取向的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、表面轮廓仪、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、紫外可见分光光度计,对合成样品进行了结构、成分以及光学性能的分析。结果显示,在1~10Pa的氧气压力条件下制备的所有ZnO薄膜均有着较高的光学透过率(】75%),氧气压力临界值为2Pa。氧气压力2Pa时合成的ZnO薄膜有着较平整的表面及较高的沉积速率(250nm/h),(002)峰的半高宽为0.20°,此时薄膜中氧空位含量较少,薄膜显示出良好的PL特性。 展开更多
关键词 氧气压力 脉冲激光沉积 氧化锌 PL谱
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节省PLC控制系统I/O点数的实用方法 被引量:2
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作者 曹培江 徐忠君 《工业控制计算机》 2007年第7期75-76,共2页
介绍了几种简单的节省PLC控制系统I/O点数的方法,运用这些方法可以实现小型PLC控制较大系统,从而降低设备投资,具有实用价值。
关键词 PLC 节省 I/O点数 控制
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三步升温法合成阵列碳纳米管
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作者 曹培江 朱德亮 +1 位作者 马晓翠 潘跃武 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期742-744,共3页
In a single-temperature furnace with the simple structure,three-step raising temperature process was used to fabricate aligned carbon nanotube film with a large-area(7 mm×15 mm) by pyrolysis of ferrocene/melamine... In a single-temperature furnace with the simple structure,three-step raising temperature process was used to fabricate aligned carbon nanotube film with a large-area(7 mm×15 mm) by pyrolysis of ferrocene/melamine mixtures on silica.SEM(scanning electron microscopy) and LR-TEM(low-resolution transmission electron microscopy) images show that these nanotubes have uniform outer diameters of about 22 nm and varying lengths from 10 to 40 μm.Each carbon nanotube is composed of many periodic structures with the same orientation.HR-TEM(high-resolution transmission electron microscopy) image shows that these periodic structures are made of 3-20 graphene layers.XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) spectra show that carbon nanotube grows in a top growth mode.The EELS(electron energy-loss spectroscopy) spectrum shows that these nanotubes are pure carbon tubes. 展开更多
关键词 碳纳米管 阵列 三步升温法
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全自动粉丝挂杆机控制系统 被引量:1
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作者 曹培江 徐忠君 曾瑞斌 《电气时代》 2007年第4期120-120,122,共2页
基于PLC和触摸式HMI的全自动粉丝挂杆机控制系统,在对粉丝挂杆机系统的结构及控制原理进行分析的基础上,详细阐述了该控制系统硬件和软件的设计,有较高实用价值。
关键词 控制系统 全自动 粉丝 控制原理 系统硬件 实用价值 HMI 触摸式
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高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜的场发射性质研究
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作者 曹培江 朱德亮 +3 位作者 柳文军 贾芳 马晓翠 吕有明 《广东化工》 CAS 2008年第10期12-15,共4页
采用热解二茂铁/三聚氰氨混合物方法合成了高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜。二氧化硅基底上生长的碳纳米管具有一致的外部直径约22 nm和一致的长度约40μm;陶瓷基底上生长的碳纳米管具有变化的外部直径为10~90 nm和不同的长度约20... 采用热解二茂铁/三聚氰氨混合物方法合成了高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜。二氧化硅基底上生长的碳纳米管具有一致的外部直径约22 nm和一致的长度约40μm;陶瓷基底上生长的碳纳米管具有变化的外部直径为10~90 nm和不同的长度约20~100μm;合成的纳米管为多壁纯碳管并存在大量的缺陷和石墨断层;高取向碳纳米管薄膜的开启电场为3.9 V/μm,场增强因子为3000;碳纳米管束薄膜的开启电场为2.9 V/μm,场增强因子为5200。 展开更多
关键词 碳纳米管 热解 FEE 增强因子
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轰击离子能量对CN_x薄膜中sp^3型C—N键含量的影响 被引量:7
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作者 李俊杰 曹培江 +3 位作者 郑伟涛 吕宪义 卞海蛟 金曾孙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期880-883,共4页
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CN_x薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(V_h)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态。样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CN_x薄膜中N原子分别... 对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CN_x薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(V_h)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态。样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CN_x薄膜中N原子分别与sp,sp^2和sp^3杂化状态的C原子结合,其中sp^3型C—N键含量先随着衬底偏压(V_b)的升高而增加,并在偏压V_b=-50V时达到最大值,但随着V_b继续升高,sp^3型C—N键含量减少,这表明CN_x薄膜中,sp^3型C—N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关。 展开更多
关键词 非晶CNx薄膜 C-N键 磁控溅射 化学键合 结构 氮化碳薄膜 碳氮键
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射频溅射功率对AZO薄膜结构及光电特性和热稳定性的影响 被引量:8
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作者 马晓翠 叶家聪 +4 位作者 曹培江 柳文军 贾芳 朱德亮 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期235-238,共4页
采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究。研究结... 采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究。研究结果表明:不同溅射功率下沉积的AZO薄膜具有六角纤锌矿结构,均呈c轴择优取向;(002)衍射峰强和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;随溅射功率的提高,AZO薄膜的透射率有所下降,但在可见光(380~780nm)范围内平均透射率仍>80%;薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小;功率为160~200W时,薄膜的热稳定性最好,升温前后方块电阻变化率为13%。 展开更多
关键词 磁控溅射 AZO薄膜 射频功率 热稳定性
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甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用 被引量:5
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作者 姜志刚 金曾孙 +5 位作者 白亦真 曹培江 张露 杨广亮 李俊杰 吕宪义 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1648-1650,共3页
采用热阴极 DC-PCVD方法制备了金刚石膜 ,研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响 .结果表明 ,通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态 ,保持阴极清洁 ,提高膜的生长质量 .
关键词 热阴极DC-PCVD 甲醇 辉光放电 金刚石膜 生长特性 直流等离子体沉积
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利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜 被引量:6
18
作者 朱德亮 陈吉星 +4 位作者 曹培江 贾芳 柳文军 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期223-226,共4页
选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下... 选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下生长的薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性能的变化。结果表明:所有的薄膜样品都是单一的ZnO六方相,禁带宽度随生长压强的升高而增加,变化范围在3.83~4.05eV之间,最短吸收边接近300nm。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 MgZnO薄膜 光学性能
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重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性 被引量:4
19
作者 吕有明 曹培江 +5 位作者 贾芳 柳文军 朱德亮 马晓翠 林传强 刘稳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期307-312,共6页
以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电... 以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究。结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率>80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽。 展开更多
关键词 AZO薄膜 Burstein-Moss效应 光电特性
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氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响 被引量:2
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作者 马晓翠 柳文军 +3 位作者 朱德亮 曹培江 江宗章 萧活杰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期160-162,共3页
采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar+O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.... 采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar+O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 O2/(Ar+P2)比 XRD分析
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