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势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响 被引量:2
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作者 朱嘉麟 唐道华 +1 位作者 顾秉林 熊家炯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期565-575,共11页
在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础... 在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础上,我们计算所得结果与实验吻合得很好. 展开更多
关键词 量子阱 激子 GAAS GaA/As
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纳米BaTiO_3及其陶瓷材料的特殊物性的研究 被引量:2
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作者 任天令 朱嘉麟 +2 位作者 熊家炯 王晓慧 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期68-71,共4页
报导了硬脂酸凝胶法制备的 Ba Ti O3纳米晶及烧制的陶瓷材料的特殊物性。用 X射线衍射、高分辨透射电镜、X荧光光谱、表面光电子能谱、介电谱、热释电谱研究了纳米微粉及陶瓷材料的晶体结构、晶粒尺寸、体相和表面相组份及铁电性能。结... 报导了硬脂酸凝胶法制备的 Ba Ti O3纳米晶及烧制的陶瓷材料的特殊物性。用 X射线衍射、高分辨透射电镜、X荧光光谱、表面光电子能谱、介电谱、热释电谱研究了纳米微粉及陶瓷材料的晶体结构、晶粒尺寸、体相和表面相组份及铁电性能。结果表明 ,所有样品在室温下均为立方结构 ,没有铁电性 ,陶瓷样品在低温下 ( <2 0 0 K)具有铁电性。并发现纳米晶 Ba Ti O3及陶瓷具有湿敏特性。 展开更多
关键词 纳米晶 铁电性 湿敏性 钛酸钡 晶体
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Pb(Mg_(1+x)/3Nb_(2-x)/3)O_3铁电材料中有序-无序相变的理论研究 被引量:3
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作者 王强 顾秉林 +1 位作者 朱嘉麟 张孝文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期412-416,共5页
基于Kikuchi自洽迭代方法,利用有序-无序相变理论,并取最近邻相互作用近似,研究了Pb(Mg_((1+x)/2)Nb_((2-x)/2)O_3晶粒中在x=0.5时有序区形成的原因,提出Mg^(2+)∶Nb^(5+)=1∶1(离子数比)时,形成B位有序排列最为有利,并且弱的空间电荷... 基于Kikuchi自洽迭代方法,利用有序-无序相变理论,并取最近邻相互作用近似,研究了Pb(Mg_((1+x)/2)Nb_((2-x)/2)O_3晶粒中在x=0.5时有序区形成的原因,提出Mg^(2+)∶Nb^(5+)=1∶1(离子数比)时,形成B位有序排列最为有利,并且弱的空间电荷场不影响这种有序排列的形成,同时给出了温度-组份的有序-无序相图。 展开更多
关键词 铁电材料 有序无序相变 自洽迭代法
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(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质 被引量:1
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作者 段文晖 顾秉林 朱嘉麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期351-358,共8页
本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进... 本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述. 展开更多
关键词 半导体 合金材料 电子结构 金刚石
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三元合金 (GaSb)_(1-x)Ge_(2x),(IuP)_(1-x)Ge_(2x) 的亚稳有序无序相变以及相变对于能隙的影响
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作者 倪军 顾秉林 朱嘉麟 《Journal of Semiconductors》 CSCD 北大核心 1994年第2期103-108,共6页
根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Kikuchi近似,我们计算了合金(Gash)1-xGe2x,(InP)1-xGe2x的亚稳相图.在计算亚稳相图时,Ge原子取为无序分布以消除相分离.对于亚... 根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Kikuchi近似,我们计算了合金(Gash)1-xGe2x,(InP)1-xGe2x的亚稳相图.在计算亚稳相图时,Ge原子取为无序分布以消除相分离.对于亚稳合金(Gash)1-xGe2x,相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度xc为0.26,对于亚稳合金(InP)1-xGe2x,xc为0.61.计算值与实验值符合较好.根据关联虚晶格近似我们还计算了合金的能隙. 展开更多
关键词 化合物半导体 三元合金 相变 能隙
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再议英语专业基础英语课程的定位问题 被引量:1
6
作者 朱嘉麟 《上海海关学院学报》 2012年第6期118-120,共3页
本文追溯了英语专业基础阶段主课名称的变化以及相应的教材和教法的改变,分析了它们的得失。作者对现在颇为盛行的基础课教法进行了反思并重新肯定了传统精读课的价值,指出我国英语专业教育应充分考虑中国语境中学习英语的特性。
关键词 精读 综合英语 基础英语 英语教学
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英语学习者的交际策略初探——一项针对中国学生的调查
7
作者 朱嘉麟 《上海海关学院学报》 2012年第1期122-126,共5页
本文记录数年前一项针对英语学习者使用交际策略情况的小型调查。作者以第二语言习得研究中的过渡语理论为依托、以Faerch和Kasper(1984)提出的交际策略分类为基本框架、用学习者内省和笔译相结合的方法,对参与问卷调查的大学英语专业... 本文记录数年前一项针对英语学习者使用交际策略情况的小型调查。作者以第二语言习得研究中的过渡语理论为依托、以Faerch和Kasper(1984)提出的交际策略分类为基本框架、用学习者内省和笔译相结合的方法,对参与问卷调查的大学英语专业一年级学生和从事某涉外工作的国家公务员,使用交际策略的异同进行初步的分析和归纳。 展开更多
关键词 二语习得 过渡语 交际策略
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用团簇法计算单层纳米碳管的电子结构 被引量:1
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作者 周刚 王山鹰 朱嘉麟 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期91-96,共6页
用分子团簇法计算了三种边界条件下单层纳米碳管的电子结构,依靠得到的态密度、能级、分子轨道和结合能,对合成纳米尺度器件时可能出现的结果进行了预测。
关键词 团簇法 单层纳米碳管 电子结构 边界条件 态密度 能级 分子轨道 结合能
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金融精准扶贫的现实困难与对策建议 被引量:1
9
作者 朱嘉麟 《现代金融》 2017年第2期44-46,共3页
改革开放以来扶贫开发工作取得了显著成效,但随着工作的深入推进,难度也在不断增大,导致扶贫效益递减。以大空间区域为目标的"大水漫灌"式扶贫已不再适合当前的扶贫要求,实施金融精准扶贫成为现阶段脱贫攻坚新形势的现实需要... 改革开放以来扶贫开发工作取得了显著成效,但随着工作的深入推进,难度也在不断增大,导致扶贫效益递减。以大空间区域为目标的"大水漫灌"式扶贫已不再适合当前的扶贫要求,实施金融精准扶贫成为现阶段脱贫攻坚新形势的现实需要。本文分析金融精准扶贫的有关内涵,结合扶贫开发工作现状,提出相关的政策建议。 展开更多
关键词 扶贫开发工作 金融 改革开放 扶贫效益 脱贫
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多媒体教学在中职数学教学中的应用——以“正弦函数的图像和性质”为例
10
作者 朱嘉麟 《中国科技经济新闻数据库 教育》 2021年第8期149-149,151,共2页
中职学生普遍数学基础较差,在初中阶段没有养成良好的数学学习习惯,长期的数学成绩低迷导致学生对数学课程的学习兴趣较低,对学习数学的信心不足,也导致了他们对传统教学手段产生了厌烦情绪。随着现代科技的进步与发展,多媒体技术在教... 中职学生普遍数学基础较差,在初中阶段没有养成良好的数学学习习惯,长期的数学成绩低迷导致学生对数学课程的学习兴趣较低,对学习数学的信心不足,也导致了他们对传统教学手段产生了厌烦情绪。随着现代科技的进步与发展,多媒体技术在教学过程中的应用已经越来越广泛。在课堂上合理利用多媒体,可以有效激发学生学习兴趣,使学生觉得数学不再枯燥,合理利用多媒体技术也可以将抽象的数学问题变得生动形象,易于理解,使学生觉得数学课不再枯燥难懂,从而提高数学课的课堂效率。 展开更多
关键词 正弦函数 图像性质 多媒体教学
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Cluster Model for p-Type Doping of ZnSe
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作者 REN Tian-ling ZHU Jia-lin +2 位作者 XIONG Jia-jiong DUAN Wen-hui WANG Fu-he 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1997年第7期528-530,共3页
Cluster model with DV-Xαmethod is used to study the structural and electronic properties of the p-type doping of ZnSe.It is found that there is Jahn-Teller distortion for P doping and almost no Jahn-Teller distortion... Cluster model with DV-Xαmethod is used to study the structural and electronic properties of the p-type doping of ZnSe.It is found that there is Jahn-Teller distortion for P doping and almost no Jahn-Teller distortion for N doping,and that the impurity levels with respect to the maximum of valence band are 118 and 96meV for N and P doping,respectively.The reasons why N can serve as a better dopant than P for p-type ZnSe are discussed. 展开更多
关键词 ZNSE DOPANT DOPING
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Two Electrons with Spin-Orbit Interactions in InAs Coupled Quantum Dots
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作者 赵楠 许东 朱嘉麟 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第2期361-369,共9页
We theoretically study the spin properties of two interacting electrons confined in the IhAs parallel coupled quantum dots (CQDs) with spin-orbit interactions (SOI) by exact diagonalization method. Through the SOI... We theoretically study the spin properties of two interacting electrons confined in the IhAs parallel coupled quantum dots (CQDs) with spin-orbit interactions (SOI) by exact diagonalization method. Through the SOI induced spin mixing of the singlet and the triplet states, we show the different spin properties for the weak and strong SOI. We investigate the coherent singlet-triplet spin oscillations of the two electrons under the SOI, and demonstrate the detailed behaviors of the spin oscillations depending on the SOI strengths, the inter-dot separations and the external magnetic fields. To better understand the underlying physics of the spin dynamics, we introduce a four-level model Hamiltonian for both weak and strong SOI, and find that the SOI induced in plane effective magnetic fields can be quantitatively extracted from the two-electron excitation energy spectra. 展开更多
关键词 coupled quantum dots spin-orbital interactions
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电场下GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中的子带和激子 被引量:4
13
作者 朱嘉麟 唐道华 +1 位作者 熊家炯 顾秉林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期385-393,共9页
本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105的GaAs/Ga_(0.66)Al_(0.34)As量子阱,电场由0—1.2×10~5V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子... 本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105的GaAs/Ga_(0.66)Al_(0.34)As量子阱,电场由0—1.2×10~5V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。 展开更多
关键词 电场 量子阱 子带 激子 CaAs
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浅杂质势与窄量子阱的耦合作用 被引量:1
14
作者 朱嘉麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期1093-1102,共10页
本文采用一种新的变分波函数描述GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs窄量子阱中的浅施主基态,并计算了杂质基态波函数和结合能。计算所得数值结果表明正确考虑窄量子阱与杂质势间的耦合作用是极为重要的。
关键词 量子阱 杂质势 耦合作用 半导体
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Ⅱ-Ⅵ族半导体研究概观 被引量:4
15
作者 任天令 朱嘉麟 +2 位作者 熊家炯 张春波 陈曦 《物理》 CAS 北大核心 1996年第11期662-665,共4页
回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况.结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧姆接触;(3)Ⅱ-Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;(4)量子线、... 回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况.结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧姆接触;(3)Ⅱ-Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;(4)量子线、量子点及稀磁半导体。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 P型掺杂 欧姆接触
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用原子集团的有序-无序相变理论研究Fe_xCu_(1-x)系统的非晶相形成 被引量:3
16
作者 王强 顾秉林 +1 位作者 朱嘉麟 张孝文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期273-279,共7页
借助Kikuchi四面体原子集团变分方法,引入二体相互作用参量,讨论了Fe_xCu_(ix)合金fcc结构的相图,并估算了在相变区中系统晶格常数的变化,指出非晶相的形成是由于晶格畸变的结果。
关键词 原子集团 非晶相 相变 铁铜合金
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硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构 被引量:3
17
作者 段文晖 顾秉林 朱嘉麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期437-445,共9页
本文在局域密度近似下利用从第一原理出发的标量相对论(scalar-relativistic)自洽LMTO-ASA方法,计算了CdSe,CdTe和SnSe的能带结构。计算中在高对称间隙点引入“空球”,晶体势的非球对称分量也得到了适当的考虑。计算结果与其它非自洽计... 本文在局域密度近似下利用从第一原理出发的标量相对论(scalar-relativistic)自洽LMTO-ASA方法,计算了CdSe,CdTe和SnSe的能带结构。计算中在高对称间隙点引入“空球”,晶体势的非球对称分量也得到了适当的考虑。计算结果与其它非自洽计算结果及实验结果进行了比较和讨论。 展开更多
关键词 半导体 电子结构 CDSE CDTE SnSe
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量子点中浅施主的能谱结构 被引量:5
18
作者 陈曦 朱嘉麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期1008-1016,共9页
在有效质量近似下,使用线性变分方法计算了处于GaAs-Ga_(1-x)Al_xA_s球形量子点中不同位置的浅施主杂质的能谱结构,讨论了能级的简并度和不同情况下的能级序,扩展了文献[10]中所得到的结果。计算结果表明电... 在有效质量近似下,使用线性变分方法计算了处于GaAs-Ga_(1-x)Al_xA_s球形量子点中不同位置的浅施主杂质的能谱结构,讨论了能级的简并度和不同情况下的能级序,扩展了文献[10]中所得到的结果。计算结果表明电子结构明显地依赖于量子点的半径和杂质离子所处的位置。计算结果还说明选择合适的基函数对于讨论量子点中问题的重要性。 展开更多
关键词 量子点 施主杂质 能级 电子结构
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Ⅱ-VI族半导体的掺杂与补偿 被引量:1
19
作者 任天令 朱嘉麟 《计算机与应用化学》 CAS CSCD 1998年第6期327-332,共6页
采用离散变分局域密度泛函(DVLDF)方法及团簇模型研究了IIVI族半导体中的掺杂及补偿问题。研究了ZnSe中的N,P,As,F,Cl,Br等杂质不同的结构和电子性质。发现NSe在ZnSe中没有JahnTel... 采用离散变分局域密度泛函(DVLDF)方法及团簇模型研究了IIVI族半导体中的掺杂及补偿问题。研究了ZnSe中的N,P,As,F,Cl,Br等杂质不同的结构和电子性质。发现NSe在ZnSe中没有JahnTeler形变,而PSe和AsSe存在这一形变,从而判定N是其中最有效的p型掺杂剂。对于n型的ZnSe,研究发现Cl是最有效的施主杂质。根据对缺陷复合体的计算,发现NSeZnVSe及诸如NSeZnint的多N集团对于p型ZnSe的补偿有着重要作用。研究表明,对于ZnTe来说,Cl不是有效的施主杂质,而N是有效的受主杂质。 展开更多
关键词 掺杂 补偿 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 DV LDF
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(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)系统中的有序结构及其电子性质
20
作者 段文晖 王世范 +2 位作者 倪军 顾秉林 朱嘉麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期809-816,共8页
从原子位形概率波理论出发得到了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)系统中可能出现的、稳定的完全有序结构。以此为基础,利用从第一性原理出发的自洽LMTO方法,系统地研究了组份x=0.5时5种典型的有序结构相应的电子性质。结果表明,具有不同有序结构的... 从原子位形概率波理论出发得到了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)系统中可能出现的、稳定的完全有序结构。以此为基础,利用从第一性原理出发的自洽LMTO方法,系统地研究了组份x=0.5时5种典型的有序结构相应的电子性质。结果表明,具有不同有序结构的材料的电子特性差别很大。材料中Ga-Ge和Ge-As键的比率越高,材料越有可能呈现金属性。 展开更多
关键词 半导体合金 有序结构 电子 合金
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