第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景

随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的制备方法的原理及优缺点(如VLS法、HVPE法、氨热法等)、简述了在光电、射频、电子电力领域中的应用,并展望了未来的发展前景。

利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜

选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下生长的薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性能的变化。结果表明:所有的薄膜样品都是单一的ZnO六方相,禁带宽度随生长压强的升高而增加,变化范围在3.83～4.05eV之间,最短吸收边接近300nm。

基于共生理论的桂黔湘边区民族旅游竞合模式研究

我国西南部的桂黔湘边区是以侗族文化为主体,以民族风情为主要旅游吸引物的民族旅游区域。丰富的景观资源与多姿多彩的民俗风情使其成为近年来主要的民族旅游目的地之一,但是由于旅游产品雷同、区域合作滞后等问题,导致区域旅游难以实现规模的联动发展。文章以共生理论为分析框架,从桂黔湘边区民族旅游发展的现状与存在的问题出发,对这一地区实施共生竞合模式的条件进行分析,认为一体化共生是实施桂黔湘边区旅游竞合的理想模式。在此基础上,构建了桂黔湘边区一体化共生竞合模式的基本框架与空间布局,并进一步探讨了该模式的实施措施。本研究的目的旨在加强桂黔湘民族县域之间的实质性合作,以实现区域旅游的跨越式发展。

Nd_(1-x)Ca_xMnO_3中A位替代导致的铁磁性及磁化强度跳变

研究多晶Nd1-xCax-δBaaMnO3(x=0．5,0．45)中,大尺寸Ba2+对Ca2+的替代可在样品中导致铁磁基态以及低温下阶梯状的磁化强度跳变．结果表明,因Ba2+的“反畸变效应”,样品中的铁磁百分比随Ba替代量的增加迅速增大,当δ为0．03-0．04时达到一极大值,然后随Ba替代量的增加而减小,这是由于此时对铁磁不利的A位阳离子间的尺寸失配占了优势．对相同的Ba替代量,高Nd(x=0．45)体系中的铁磁含量总是比低Nd(x=0．5)体系中的大很多．当增加磁场时,前一体系磁化强度的增加比后一体系迅速得多,在5．5 T磁场下其磁化强度极大值要显著大于后一体系的相应值,前一体系出现阶梯状跳变的临界磁场要小于后一体系．指出上述结果是由于Nd0.55Ca0.45MnO3中的电荷轨道序比Nd0.5Ca0.5MnO3较弱造成的．奇异的磁化强度跳变用建立在相分离基础上的类马氏体相变模型得到了较合理解释．

开关柜接地刀闸电气联锁缺陷分析及改进方案

鉴于开关柜联锁性能的好坏、完善与否直接关系到整个电力系统能否安全稳定运行,分析现有开关柜接地刀闸电气联锁的结构、原理及存在的缺陷,并提出改进方案。

Pr_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3中A位La^(3+)替代导致磁化强度跳变

用大尺寸La3+部分替代Pa3+,制备出多晶体系Pr0.5-xLaxCa0.5MnO3,研究该体系的磁学性质.对样品进行磁化强度测量,低温下(2.5K)由反铁磁向铁磁转变时呈现出阶梯状跳变.随着替代量x值增加,出现第一个阶梯状跳变的临界磁场逐渐减小,样品的磁化强度逐渐增大.与Ba2+或Sr2+对A位Ca2+的替代结果相比可知,在导致磁化强度阶梯状跳变和场致铁磁性的能力上,Ba2+替代的能力大于Sr2+,Sr2+的能力大于La3+.利用建立在相分离基础上的类马氏体相变模型,上述实验结果可得到较合理的解释.

全域旅游背景下海南旅游教育发展对策研究

旅游教育是海南全域旅游发展的基础环节,是旅游人才供给和旅游道德体系建设的重要保障性工作。海南全域旅游建设对海南旅游教育提出了更高要求,同时为海南旅游教育带来了新的发展机遇。本文从政府宏观管理角度、旅游专业课堂教学和海南全民旅游素质教育等方面,提出全域旅游建设背景下海南旅游教育的发展对策。

旅游业发展的困境与出路——论茶园观光旅游的文化产业管理

茶园观光旅游是近年来一种比较受欢迎的农业休闲旅游,它不仅以自然的茶园风光吸引着人们,更以其丰富的文化内涵感染着人们。因此茶园观光旅游不仅是作为一种自然风景区来开发,更是作为一个文化资源产业带动了多方面的综合发展。但是由于茶园观光旅游业的起步时间晚,文化产业体系发展不成熟,在发展上还存在许多问题。本文主要从茶园观光旅游的产业类型着手,分析当前茶园观光旅游的困境,进而找到茶园观光旅游产业的出路所在。

竞合视角下的桂西黄金旅游线路的开发

旅游市场竞争日趋激烈,桂西旅游业要在激烈的竞争中求生存和发展,就必须形成区域联动,树立旅游品牌形象,开发有桂西资源特色的黄金旅游线路。文章分析了桂西黄金旅游线路开发的可行性和必要性,明确了开发的原则以及线路的设计等方面问题,探讨桂西黄金旅游线路开发。

射频溅射功率对AZO薄膜结构及光电特性和热稳定性的影响

采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究。研究结果表明:不同溅射功率下沉积的AZO薄膜具有六角纤锌矿结构,均呈c轴择优取向;(002)衍射峰强和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;随溅射功率的提高,AZO薄膜的透射率有所下降,但在可见光(380～780nm)范围内平均透射率仍>80%;薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小;功率为160～200W时,薄膜的热稳定性最好,升温前后方块电阻变化率为13%。

氧气流量对脉冲激光沉积ZnO薄膜的形貌及光学性质影响

使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(～40.71%)、较快的生长速率(～252nm/h)和较好的发光特性:450～580nm附近发射峰最弱,同时～378nm附近的紫外发光峰最强,表明薄膜材料中含有较少的氧空位等缺陷。

重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性

以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究。结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率>80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽。

酒店微信营销探讨

微信是当下中国移动互联网时代最主流的通讯方式之一,为酒店提供了信息传播、品牌推广、产品购买、转账支付、客户服务等一系列营销服务。微信营销已成为酒店创造自身价值、提升顾客体验的重要战略工具。文章解析了酒店微信营销的概念和优势,对酒店微信营销的现状和问题进行了说明;从流程和策略两个方面提出酒店微信营销的对策,为相关领域实践活动提供借鉴参考。

ZnO纳米/微米结构传感器对乙醇气敏性研究

采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构,并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示:合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm^100μm之间,传感器最佳工作电流区间为120~130 mA,其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127,展现出优异的气敏特性。在4种结构中,微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高,结合气敏测试与荧光光谱结果,我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。

恶性淋巴瘤并发特发性血小板减少性紫癜5例报告

目的 探讨恶性淋巴瘤 (ML)并发特发性血小板减少性紫癜 (ITP)的诊断与治疗。方法 通过本组病例分析 ML并发 ITP的诊断治疗。结果 本组资料 ML50 0例中并发 ITP5例 ,其中 NHL4例 ,HD1例 ,发生率为 1 % ;ML并发 ITP可于 ML诊断之前、两者同时发生或于肿瘤治疗缓解多年以后发生。强的松或联合化疗可使 ITP缓解 ,但与肿瘤反应不完全平行。结论 提出ML患者并发血小板减少的诊断及合理选择治疗的重要意义。

氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响

采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar+O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.

氮离子注入法合成CN_x膜的化学键表征

采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究。通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属:≈400.0 eV属于sp2C-N键;≈398.5 eV则属于sp3C-N键。结果显示:碳原子、氮原子间的化学键合状态,明显地依赖于衬底材料及注入N离子的能量。

生长温度对Ga掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

在不同衬底温度(室温～750℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。结果显示:衬底温度的变化导致衬底表面吸附原子扩散速率和脱附速率的不同,从而导致合成薄膜结晶质量的差异,衬底温度450℃时制备的GZO薄膜具有最好的结晶特性;GZO薄膜中载流子浓度随衬底温度升高而单调减小的现象与GZO薄膜中的本征缺陷密切相关,晶界散射强度的变化导致迁移率出现先增大后减小的趋势,衬底温度450℃时制备的GZO薄膜具有最小的电阻率～0.02Ω.cm;随着衬底温度的升高,薄膜载流子浓度的单调减小导致了薄膜光学带隙变窄,所有合成样品的平均可见光透过率均达到85%以上。采用PLD方法制备GZO薄膜,衬底温度的改变可以对薄膜的光电性能起到调制作用。