层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响

利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜 ,借助 HP4 192 A低频率阻抗分析仪对样品的C- V特性进行了测试 ,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明 ,在同一频率下不同结构的铁电薄膜其界面电压降不同 ,同一结构的多层铁电薄膜在不同频率下其界面电压降也不同。

准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究

采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。

激光制备多层薄膜及铁电性能的研究

利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明，单层ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为４ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度为３．４μＣ／ｃｍ２；ＰＺＴ／ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为８２ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为３６μＣ／ｃｍ２；ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ夹层铁电薄膜的矫顽场Ｅｃ为５７ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为２９μＣ／ｃｍ２。

多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。

多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压

利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )

在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降

利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。

钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征

采用铌掺杂的方法制备钛酸锶（STO）粉末，烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压（I-V）特性和介电特性测试表明，多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能，其介电常数很大，有良好的介电温度系数和频率系数，介电损耗小，压敏电压低，非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标，并与文献中的数值进行了比较。εeff高达（4～9）×10^5，具有良好的介电温度系数（｜αs｜〈0．3％）、频率系数（fr〈12％）和电压温度系数（｜k｜=0．2％）；介电损耗小（tanδ〈1％）；非线性系数大（α=4～10）；电流密度为1mA时的场强（E1 mA）值很低（0．3～2．9V／mm）；电压系数小于10％。

激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性。

在180°畴超格子中的铁电畴层波对能带的影响

铁电180°畴超格子在超声波的作用下将被诱导出铁电畴层波,在这个波的作用下,存在许多新现象,其特征归纳为一个元激发“畴子”。本文研究了在180°畴超格子中导带和价带中的载流子与畴子的相互作用,这样一种相互作用将在导带和价带形成子能带,同时改变电子或空穴分布,从而影响铁电体的电导率。

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度PS及矫顽场VC之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。

激光合成Al_2O_3-WO_3线性热敏材料

应用大功率CO_2激光器非平衡态高温、快速合成陶瓷新工艺,合成了Al_2O_3-WO_3系线性NTC热敏材料。并从激光合成工艺、材料组成、热老化、材料的抗氧化性及耐酸碱性等方面对合成陶瓷材料进行了试验。

铁电畴层波波场的界面激发分析

通过对180°铁电畴结构中铁电畴层波的格林函数分析,得到了铁电畴层波波场的界面激发的一般解.并从格林函数的极点导出了色散关系,进一步明确了畴层波的物理意义,指出沿表面或沿畴界面激发,铁电畴层波的振动模式相同,最后给出了用格林函数表示的畸层波位移场和电势场的解.

不同压电陶瓷中的铁电畴层波

本文对SH型压电表面波在由不同压电陶瓷组成的180°畴层结构中的传播问题进行了讨论,通过理论分析和数值计算得出了铁电畴层波在此结构中传播时的存在条件和色散关系.文中给出了铁电畴层波的一般化存在条件.研究结果表明,层状结构中除了Love型波外,还能传播另一类SH型表面波,即铁电畴层波.

Mn掺杂BST薄膜的制备与表征

采用醋酸水溶液体系溶胶 -凝胶法制备了未掺杂和掺 Mn( )钛酸锶钡 (BST)薄膜。用这种方法 ,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子 ,并可在室温下长期保存。根据 X-射线衍射图 (XRD)和表面形貌 ,薄膜的晶化温度取为 6 5 0～ 75 0°C。根据掺 Mn BST的 Mn2 p3/2 X-射线光电子能谱 (XPS)图中 Mn2 p3/2 的峰位置 ,显示出薄膜中 Mn的价态与加入的 Mn( )离子价态相同。根据结合能的峰移 ,可以得到掺 Mn BST的费密能级降低0 .7e V。 I- V特性和介电特性测试表明 ,掺 Mn( ) BST的漏电流明显降低 ,相对的介电常数增加 ,损耗角正切降低0 .0 1。根据漏电性质、介电常数和损耗的关系 ,2 % (摩尔分数 )的 Mn掺杂的 BST薄膜适合于低频小信号 (2 V以下 ,约 5 0 0 k Hz)应用 ,而高浓度的 Mn掺杂适合于大信号较高频率 (1MHz以上 )应用。

一种新型廉价太阳级硅制备技术

介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价大阳级硅制备系统，运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析，建立了硅粉在该系统中的运动模型，并且对系统内硅粉运动速度进行了讨论，提出了优化冶金效果的措施。

聚苯胺／维尼纶导电复合纤维的制备与性能

采用简便的化学氧化现场吸附聚合法制得了聚苯胺／维尼纶导电复合纤维，并研究了制备条件对其性能的影响。该导电复合纤维具有较好的导电性及力学性能，并在空气中有很高的稳定性，其电导率可达１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ数量级。采用扫描电镜（ＳＥＭ）对该导电复合纤维的微观结构进行了观察。

麻痹性贝毒的表面等离子体共振快速检测方法研究

采用表面等离子体共振（SPR）技术研究了赤潮毒素麻痹性贝毒（PSP）的快速检测方法，分别采取固定化PSP抗体分子和PSP分子的方法，进行直接和间接检测溶液中PSP的含量，检测下限分别为70．2μg·L^-1（-235nmol·L^-1）和0．5μg·L^-1（-1．67nmol·L^-1），相对标准偏差（RSD）为4．2％～7．7％，同收率为101％～105％。检测方法的选择性好，样品、标准物和抗体的用量少，检测成本低，单个样品的测试时间不到10min，能够满足赤潮毒素的快速检测需求。

溶胶-凝胶法制备高取向Bi_4Ti_3O_(12)/SrTiO_3(100)薄膜

Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of pH value of solution on quality of the thin films was studied.

压电陶瓷扫描管在纳米加工中的应用

用一圆筒形压电陶瓷作三维微位移器，控制扫描隧道显微镜金属探针，利用场蒸发原理，实现了纳米加工。用Ａｕ、Ｃｕ和Ｎｉ等金属针尖在金表面制作了纳米尺寸的图案、汉字，其中组成这些图案和汉字的每个原子堆的直径约１０～４０ｎｍ。实验表现出非常好的可控性、重复性和稳定性。

铁电材料Bi_4Ti_3O_（12）及应用

叙述了Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）材料的结构、性质和制备方法，并对Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）铁电薄膜的研究现状和应用前景作了简单分析。