激光直写光刻中线条轮廓的分析

考虑了光刻胶对光吸收作用 ,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上 ,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布 使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线 ,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓 ,为直写光刻中曝光量的选择提供了依据

极坐标激光直写系统原点定位的实验研究

分析了旋转线性光栅法对准光轴与旋转机械轴中心的理论准确度 ,实验研究了极坐标激光直写系统的原点定位 在极坐标激光直写系统下进行了圆环线条写入实验 ,得出了原点定位的准确度 ,原点定位准确度优于 0 .5 μm 。

慢性炎性脱髓鞘性多发神经根神经病误诊为颈椎病3例临床分析

慢性炎性脱髓鞘性多发神经根神经病(Chronic inflammatory demyelinating polyradicuroneuropathy,CIDP)是以周围神经和神经根病变为主的自身免疫性脱髓鞘疾病,临床表现复杂,早期极易误诊为颈椎病或其它疾病.本文报告3例CIDP入院前都曾被误诊为颈椎病.

糖尿病假性脊髓痨5例临床分析

目的:探讨糖尿病假性脊髓痨的临床特征。方法:对5例糖尿病假性脊髓痨的临床资料进行回顾性分析。结果:糖尿病假性脊髓痨主要损害脊髓后索,临床表现以受损节段以下的深感觉障碍及感觉性共济失调为主,可合并周围神经损害。结论:糖尿病脊髓痨亦不少见,应引起临床重视。

基底动脉尖综合征临床及影像学特征分析

目的 :研究基底动脉尖综合征 (Topofthebasilararterysyndrome,TOB)的病因、临床表现和影像学表现 ,加深对这种疾病的认识。 方法 :对 1 1例TOB患者的原始资料进行回顾性分析。结果 :TOB患者以中老年为主 ,病因及高危因素有高血压、糖尿病、心脏病、高血脂等。临床表现多以突然眩晕或意识障碍起病 ,合并眼球运动障碍及瞳孔异常 ,运动障碍、偏盲 ,可伴有行为异常等。MRI提示重要的特征是中脑、丘脑、小脑、枕叶及颞叶的梗死。结论 :TOB的诊断主要依赖临床及影像学表现。

关于急性缺血性脑卒中治疗的若干问题

急性缺血性脑卒中(Acute ischaemic stroke,AIS)是当前世界三大死亡疾病之一,其治疗原则是迅速恢复脑灌注,预防和控制并发症,抢救受缺血损害尚未死亡的脑细胞,有效阻止、延迟或逆转脑缺血和神经损伤.目前国内主张全面综合及个体化治疗,我们在复习近期文献的基础上,结合多年实践中的体会,扼要阐述AIS治疗上共同关心的问题,供同道商榷.

曲面复眼成像系统的研究

研究了两种曲面复眼成像系统,并首次将曲面场镜阵列引入曲面复眼成像系统,使其边缘视场的成像质量进一步提高,视场角进一步加大。进行了成像系统的建模以及光线追迹,两种结构的视场角分别达到60°和88°,整个系统的体积分别为0.9 mm×0.9 mm×0.5 mm和0.9 mm×0.9 mm×0.75 mm。文中给出了用激光直写设备在曲面基底上进行光刻来制作曲面微透镜阵列的方法。

亚波长介质光栅的制作误差分析

利用严格耦合波理论 (RCWA )分析了方向误差和面形误差对亚波长光栅衍射效率的影响 通过分析发现 ,方向误差和图案边缘钝化对光栅的衍射效率影响不大 ,而刻蚀过程中由于侧壁倾斜而产生的面形误差对光栅的衍射效率影响非常大 在制作亚波长光栅时 ,可以通过选取合理的刻蚀系统或增大占空比的方法来避免基底型误差的出现 该结论对于制作亚波长光栅具有重要的指导作用 同时根据得出的结论 ,选用专门用于硅深刻蚀的等离子体辅助刻蚀系统制作出了红外30 μm亚波长抗反射光栅 ,检测结果显示 。

原发性桥脑出血8例分析

本文报告8例经 CT 证实,具有不同特征的原发性桥脑出血,报告如下。1 临床资料1.1 一般资料男6例,女2例。年龄50～55岁5例,56～59岁2例,79岁1例,平均56岁。既往离血压病史5例,眩晕发作史3例。

星上LED定标光源的可行性研究

对发光二极管作星上定标光源的可行性进行了分析研究。测量了LED的工作稳定性,对LED做了开合试验,讨论了它的电流特性。在真空环境下,分析了LED的冷热特性和抗辐射性能。结果表明,LED持续点燃1 200 h的衰减量<1.2%;其开合重复性很好,但存在10~15 min的不稳定性;改变电流会引起LED发光强度和波长不同程度的变化;温度的变化也同样会影响LED的发光强度、正向偏压以及峰值波长。真空状态下,由于传输介质不同,LED的发光强度会有所增加,但其封装材料真空挥发产生的影响不大;在抗辐射外壳的保护下,空间辐射对LED发光强度的影响不超过0.5%/a。经过分析讨论,证明将LED应用于星上定标是可行的。

红外30μm亚波长抗反射光栅的制作

利用严格耦合波理论设计出亚波长抗反射光栅 ,并通过等离子体辅助刻蚀制作出了立方状抗反抗光栅 .测量结果发现该光栅具有良好的增透特性 ,并且测得光栅参数和理论设计参数基本一致 ,表明等离子体辅助刻蚀是制作深光栅的有效方法 .对实验结果进行了分析和讨论 ,结果表明 。