老年经皮冠状动脉介入治疗术后支架内再狭窄患者胱抑素C、基质金属蛋白酶抑制剂-1、分泌型卷曲相关蛋白5表达及临床意义

目的探讨老年经皮冠状动脉介入治疗(PCI)术后支架内再狭窄(ISR)患者胱抑素C(CysC)、基质金属蛋白酶抑制剂-1(TIMP-1)、分泌型卷曲相关蛋白5(SFRP-5)表达及对靶血管病变的预测价值。方法选取2020年5月至2022年5月保定市第一中心医院PCI术后1年内发生ISR的65例老年冠心病患者作为观察组,选取同期65例PCI术后1年内未发生ISR的老年冠心病患者作为对照组,比较两组一般资料、术后血清CysC、TIMP-1、SFRP-5水平,分析血清CysC、TIMP-1、SFRP-5水平与ISR发生的相关性,并比较观察组不同Mehran分型患者血清CysC、TIMP-1、SFRP-5水平,分析各指标水平与Mehran分型的相关性,分析血清CysC、TIMP-1、SFRP-5水平预测靶血管发生ISR的价值。结果观察组血清CysC水平高于对照组(t=6.949,P<0.05),TIMP-1、SFRP-5水平低于对照组(t=7.301、8.765,P<0.05);血清CysC水平与ISR的发生呈正相关(r=0.587,P<0.05),TIMP-1、SFRP-5水平与ISR的发生呈负相关(r=-0.609、-0.640,P<0.05)。观察组四种Mehran分型的患者CysC、TIMP-1、SFRP-5水平差异有统计学意义(F=10.759、8.326、19.764,P<0.05)。随着Mehran分型Ⅰ型到Ⅳ型的变化,CysC水平逐渐升高,TIMP-1、SFRP-5水平逐渐下降,差异有统计学意义(P<0.05)。血清CysC水平与ISR患者Mehran分型呈正相关关系(r=0.722,P<0.05),TIMP-1、SFRP-5水平与Mehran分型呈负相关关系(r=-0.799、-0.826,P<0.05)。血清CysC、TIMP-1、SFRP-5水平预测老年冠心病患者PCI术后1年内靶血管发生ISR的曲线下面积(AUC)分别为0.807(95%CI=0.729~0.871)、0.786(95%CI=0.706~0.853)、0.811(95%CI=0.733~0.874),联合预测的AUC最大,为0.943(95%CI=0.887~0.976)。结论老年冠心病PCI术后患者血清CysC水平升高,TIMP-1、SFRP-5水平降低与ISR的发生发展相关,术后早期检测各指标水平有助于预测靶血管发生ISR风险。

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定哈氏合金中Cr、Fe、Mn、Mo、Ni的含量

哈氏合金（Hastelloy alloy）由Ni、Cr、Mo、Fe等元素组成,属于高等镍基合金,镍为面心立方结构,晶体学上的稳定性使得它能够比铁基合金容纳更多的合金元素[1]。哈氏合金作为高级镍基合金,在湿氧、亚硫酸、强氧化盐介质中都有优异的抗腐蚀性能[1],同时具有优良的强度、塑性、韧性、冶金稳定性、可加工性及可焊接性,已广泛应用于航空航天、核电及船舶等领域[2]。

单体固化特性对光热敏微胶囊显影密度的影响

利用界面聚合技术制备了以不同单体为囊芯的新型感光材料光热敏微胶囊。借助于傅里叶红外光谱及原子力显微技术对不同单体的双键交联固化及固化产物的表面形貌进行了分析,利用热显影打印技术检测了光热敏微胶囊显影密度随曝光时间的变化。实验结果表明,不同单体的双键交联固化速度主要与单体官能度有关,并且单体固化产物的表面形貌与单体的双键含量有关,不同单体的固化速度和固化产物交联密度是影响光热敏微胶囊显影密度的主要因素。根据实验结果可以得出单体对显影密度的影响效果依次为TMPTA>(PO3)TMPTA>DPGDA。

自由基型光引发剂的瞬态及稳态荧光特性研究

利用荧光光谱技术研究了不同自由基型光引发剂的瞬态及稳态荧光光谱特性,从分子结构出发分析了共轭结构对光引发剂荧光光谱的影响。实验结果表明随共轭效应的增强,荧光激发与发射峰波长逐渐增大;瞬态荧光谱的衰减受电子基团的影响较为明显,含有吸电子基团的光引发剂荧光衰减快,而含有给电子基团的光引发剂荧光衰减慢。通过对溶剂极性及粘度研究发现:光引发剂荧光发射峰随溶剂的极性增加出现明显红移现象,表明激发跃迁类型主要是π—π*跃迁,并且随溶剂粘度的增大光引发剂荧光衰减明显得到延缓。当光引发剂浓度达到10-2mol.L-1时,由于粒子间碰撞加强及自吸收现象引起的自猝灭效应比较明显。

热敏型微胶囊显示材料的渗透与显影特性研究

利用界面聚合技术制备了以聚脲为壁材的热显影微胶囊。采用热重-差示扫描量热分析技术(TG/DSC)研究了聚脲囊壁的热稳定特性;利用红外光谱技术对显色剂D-8在不同温度及时间条件下热渗透结果进行了检测,并与微胶囊显影密度随加热时间及温度的变化进行了对比。实验结果表明,由IPDI聚合形成的聚脲囊壁热稳定温度在250℃左右,在170℃附近发生玻璃态到高弹态的相转变;显色剂D-8的渗透率随加热温度升高呈单指数增长而随加热时间的延长呈线性增长;微胶囊显影密度随加热温度及时间的增加而增大,且热显影结果与红外检测结果具有较好的一致性。

ICP–AES法测定硼铝复合材料中的硼

建立电感耦合等离子体发射光谱法（ICP–AES） 测定辐照后硼铝复合材料中元素的方法.用氢氧化钠将辐照后的硼铝复合材料溶解过滤,滤纸和滤渣采用碱熔法制样.采用基体匹配法消除基体干扰,仪器工作条件RF发生器功率为1 150 W,雾化器压力为151.7 kPa,辅助气流量为0.5 L/min,硼元素的分析线为249.678 nm,积分时间为5 s.硼的质量浓度在15～28 mg/L 范围内与光谱强度呈良好的线性关系,线性相关系数为0.999 7.方法的回收率为99.1%～100.8%,测定结果的相对标准偏差为0.76% （n=10）.该方法快速,准确度和精密度高,能够满足样品测量需要.

光引发剂对微胶囊光信息记录材料特性的影响

采用界面聚合技术获得了新型光热敏微胶囊信息记录与显示材料,利用红外光谱技术和热显影技术研究了不同光引发剂的光吸收特性及浓度变化对微胶囊信息材料聚合与显色密度的影响。实验结果表明,光引发剂由于在紫外波段光吸收能力的差异造成引发微胶囊内部单体聚合效率的不同,光引发剂联合应用引发单体聚合效果好于单独应用,且光引发剂引发聚合效率随浓度的增加出现先增大后减小的变化;光聚合产物对部分染料分子形成包裹与冻结作用,造成微胶囊显色密度的下降,且显色密度下降程度随光引发剂引发聚合效率的提高逐渐增大。根据实验结果得出微胶囊内部光引发剂适宜浓度范围为5%～7%。

双层耦合介质中四边形图灵斑图的数值研究

采用双层线性耦合Lengyel-Epstein模型,在二维空间对简单正四边和超点阵四边形进行了数值分析.结果表明:当两子系统波数比N>1时,随耦合强度的增大,基模的波矢空间共振形式发生改变,系统由简单六边形自发演化为结构复杂的新型斑图,除已报道的超六边形外,还获得了简单正四边和多种超点阵四边形,包括大小点、点线、白眼和环状超四边等斑图.当耦合系数α和β在一定范围内同步增大时,两子系统形成相同波长的Ⅰ型简单正四边;当α和β不同步增大时,由于两图灵模在短波子系统形成共振,系统斑图经相变发生Ⅰ型正四边→Ⅱ型正四边→超点阵四边形的转变;当系统失去耦合作用时,短波子系统波长为λ的Ⅰ型正四边斑图迅速失稳并形成波长为λ/N的Ⅰ型正四边,随模拟时间的延长,两子系统中不同波长的正四边均会经相变发生Ⅰ型正四边→Ⅱ型正四边→六边形的转变.

囊芯包覆量变化对光热敏微胶囊特性的影响

采用界面聚合技术制备了以囊芯质量为变量的光热敏微胶囊,利用红外光谱及热显影技术对其光聚合及热显影特性进行了检测.红外光谱检测结果表明,光热敏微胶囊中预聚单体三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)随囊芯包覆质量的增加聚合速度逐渐加快,聚合程度逐渐增大;从热显影结果可以看出随囊芯质量增加显影密度逐渐增大,且曝光前后的密度反差也同时逐渐增大,热显影检测结果与红外检测具有一致性,根据实验结果得到了囊壁与囊芯最佳质量比为1/2.17.

化学增感中心促进卤化银潜影形成的理论解释

针对化学增感中心的特点,采用经典近似,从理论角度分析了硫加金化学增感中心的存在有利于卤化银感光材料潜影的形成,并借助于理想模型,通过简化因子计算了硫加金增感中心的有效电荷数z(0.42)、光电子在增感中心上的停留时间τ(1.4ns)及捕获中心的半径R(0.59nm)和截面积S(1.1×10-14cm2)等相关参数。

光热敏微胶囊的光信息记录与再现特性

采用界面聚合技术获得了新型光信息记录材料光热敏微胶囊。利用红外光谱及热显影技术对微胶囊光信息记录过程及再现特性进行了研究。实验结果表明,曝光瞬间自由基型光引发剂引发单体分子间交联聚合,从而造成不饱和碳碳双键含量呈双指数衰减,同时碳碳单键含量增加,从微观体现了微胶囊对光信息的记录;光聚合产物对染料分子形成包裹,降低了染料前体与显色剂的反应几率,造成曝光区微胶囊涂层显色密度的下降,与未曝光区显色密度形成明显的密度反差,从宏观体现了微胶囊对光信息的再现。

染料前体对光热敏微胶囊光聚合的影响

利用界面聚合技术获得了新型光信息记录材料光热敏微胶囊。借助荧光光谱及红外光谱技术研究了染料前体ODB-2对光引发剂激发态及光热敏微胶囊内部光聚合特性的影响。实验结果表明染料前体在紫外的光吸收竞争造成光引发剂荧光激发谱与发射光谱强度的降低,引起光引发剂激发态分子数的减少,进而影响到光引发剂初级自由基的量子产率以及光聚合的反应过程;在光热敏微胶囊内部发现单体光聚合速度与最终聚合程度随染料前体浓度的增加均减小,且不同种类染料前体对微胶囊内部光聚合的影响程度也不相同。

环境对光热敏微胶囊自由基聚合的影响

采用界面聚合技术获得了新型信息记录材料光热敏微胶囊,利用红外光谱技术研究了外部环境因素对包裹聚合体系自由基聚合的影响.实验结果表明:聚合体系经包裹后曝光瞬间聚合速度与程度迅速增大,氧对微胶囊内部自由基聚合抑制作用不明显,但单体不饱和双键最终转化率降低;囊芯单体的聚合速度与程度随曝光强度的增加而增大,不饱和C C双键转化率与曝光能量的平方根[I]1/2具有很好的线性关系;温度对微胶囊内部自由基聚合影响明显.

不同增感对AgCl乳剂光吸收谱的影响

利用U-3010紫外可见分光光度计检测了不同增感条件下AgCl立方体乳剂的光吸收谱。实验结果表明：化学增感后样片的光吸收谱基本与未增感样片的一致，光谱与化学共同增感后样片的光吸收谱与光谱增感样片类似，在可见光长波波段475～510nm明显增加了AgCl乳剂对光的吸收，化学增感对卤化银的光吸收没有影响，并且与光谱增感之间不存在负面影响。

长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S∶Eu中碱土金属离子M2+和Ti4+离子对Y3+离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用。利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子M2+和Ti4+掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应关系,利用所得结论估算出共掺杂的空穴陷阱[MgY]-和电子陷阱[TiY]+的有效捕获半径分别为0.117 nm和0.071 nm。

晶体中光电子涨落的影响因素

针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素。在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;而深电子陷阱由于对光电子形成强束缚或作为复合中心加速了光电子的衰减。

S+Au增感对AgBrI T-颗粒乳剂中光电子衰减行为的影响

利用35ps脉冲激光发源,采用微波吸收介电谱检测技术,获得了S+Au增感后的AgBrI-T颗粒微晶中光电子衰减时间分辨谱,通过分析自由光电子和浅束缚光电子衰减曲线的变化,得到了S+Au增感的不同时间与AgBrI-T颗粒乳剂自由光电子寿命和衰减时间及浅束缚光电子衰减时间的对应关系,给出最佳增感时间。

利用变分法对卤化银微晶中掺杂中心参数的估算

从量子力学出发利用变分原理采用尝试波函数,探讨了不同情况下卤化银微晶中掺杂中心的势阱深度和捕获半径之间的对应关系。利用得出的结论估算了室温下浅电子陷阱掺杂剂[Fe(CN)6]4-引入的电子陷阱捕获截面为70 A2,而掺杂剂[IrBr6]3-引入的电子陷阱势阱深度为1.07eV。

核工程水泥基防腐防水材料防放射性浸出性研究

将CN2000系列防腐防水材料刮涂在放射性蒸残液水泥固化样品上,通过测量其浸泡液的p H值、电阻率及其中的^(60)Co、137Cs的活度浓度,来考察CN2000系列防腐防水材料是否具有优良的防放射性浸出性能。研究表明CN2000系列防腐防水材料具有较好的抗放射性浸出能力,第42天137Cs、^(60)Co的浸出率均低于国标要求;且CN2000Ⅰ、Ⅱ样品137Cs的42d累积浸出分数比空白样品低4~5倍,^(60)Co的42d累积浸出分数比空白样品低4倍。

KDP(KH_2PO_4)晶体材料的研究进展

回顾了近年关于KDP晶体材料的研究成果,对KDP晶体的不同生长技术、晶体中散射颗粒形成的原因以及晶体的光透过谱进行了介绍,特别对影响KDP晶体激光损伤阈值的原因进行了讨论与分析,并展望了今后KDP晶体的发展趋势。