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Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration for optical interconnection
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作者 李乐良 李贵柯 +5 位作者 张钊 刘剑 吴南健 王开友 祁楠 刘力源 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期1-9,共9页
The performance of optical interconnection has improved dramatically in recent years.Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration is the key enabler to achieve high performance optical interconnection,which ... The performance of optical interconnection has improved dramatically in recent years.Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration is the key enabler to achieve high performance optical interconnection,which not only provides the optical gain which is absent from native Si substrates and enables complete photonic functionalities on chip,but also improves the system performance through advanced heterogeneous integrated packaging.This paper reviews recent progress of silicon-based optoelectronic heterogeneous integration in high performance optical interconnection.The research status,development trend and application of ultra-low loss optical waveguides,high-speed detectors,high-speed modulators,lasers and 2D,2.5D,3D and monolithic integration are focused on. 展开更多
关键词 silicon-based heterogeneous integration heterogeneous integrated materials heterogeneous integrated packaging optical interconnection
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纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能 被引量:19
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作者 梁继然 胡明 +6 位作者 王晓东 李贵柯 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1523-1529,共7页
采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利... 采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对二氧化钒薄膜的红外透射性能进行了测试分析.结果表明,所制备的氧化钒薄膜以非晶态V2O5和四方金红石结构VO2为主,经400℃、2h热处理后获得了(011)择优取向的单斜金红石结构纳米VO2薄膜,提高热处理温度至450℃,纳米结构VO2薄膜的晶粒尺寸减小.FT-IR结果显示,纳米VO2薄膜透射率对比因子超过0.99,高温关闭状态下透射率接近0.小晶粒尺寸纳米VO2薄膜更适合在热光开关器件领域应用. 展开更多
关键词 双离子束溅射 纳米二氧化钒薄膜 透射率
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纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性 被引量:11
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作者 梁继然 胡明 +7 位作者 王晓东 李贵柯 阚强 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1002-1007,共6页
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变... 采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63℃,高于光学相变温度,60℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性。 展开更多
关键词 纳米二氧化钒薄膜 光学相变 电学相变
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不同升温热处理方式二氧化钒薄膜的制备与光学相变性能 被引量:8
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作者 梁继然 胡明 +3 位作者 王晓东 阚强 李贵柯 陈弘达 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期457-460,共4页
采用双离子束溅射方法制备氧化钒薄膜,分别利用常规和快速两种升温方式对氧化钒薄膜进行热处理,利用傅里叶变换红外光谱技术对热处理后氧化钒薄膜的变温光学透射性能进行测试,并对5μm波长处透过率随温度的变化曲线进行相变特性分析.实... 采用双离子束溅射方法制备氧化钒薄膜,分别利用常规和快速两种升温方式对氧化钒薄膜进行热处理,利用傅里叶变换红外光谱技术对热处理后氧化钒薄膜的变温光学透射性能进行测试,并对5μm波长处透过率随温度的变化曲线进行相变特性分析.实验结果表明,经过常规和快速升温热处理后均获得了二氧化钒薄膜;快速升温热处理后得到的薄膜中二氧化钒晶粒较小,尺寸分布均匀;而常规升温热处理后的二氧化钒薄膜中晶粒尺寸分布较宽、常规和快速升温热处理后,氧化钒薄膜的光透过率均存在可逆突变特性,变化幅度均超过60%.相变性能分析结果表明,快速升温热处理获得的二氧化钒薄膜相变持续的温度宽度较大,光学相变温度为63.74℃,高于常规升温热处理的60.31℃. 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 红外透射光谱 快速升温
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低成本LED智能照明系统的设计 被引量:7
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作者 李秘 丁时栋 +2 位作者 李贵柯 赵柏秦 吴南健 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期173-176,共4页
提出了一套LED智能照明系统的设计方案,给出了系统的设计思路和具体电路的实现方法。人体红外感应模块和环境亮度感应采集环境信号,通过LED驱动电路、开关控制电路和调光控制电路共同控制LED灯珠的状态。控制系统采用低成本纯模拟电路设... 提出了一套LED智能照明系统的设计方案,给出了系统的设计思路和具体电路的实现方法。人体红外感应模块和环境亮度感应采集环境信号,通过LED驱动电路、开关控制电路和调光控制电路共同控制LED灯珠的状态。控制系统采用低成本纯模拟电路设计,非基于单片机的控制方案。测试结果表明,系统长时间运行稳定,照明效果良好,高效节能,省电70%以上,在室内照明和室外景观中都有一定的应用前景。 展开更多
关键词 智能照明 LED 线性调光
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无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:2
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作者 冯鹏 邓元明 +5 位作者 伯林 刘力源 于双铭 李贵柯 王开友 吴南健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期572-578,602,共8页
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及... 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550μm×450μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40~125℃,传感器的系统误差为-1.4~2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2~2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2 V电源电压下传感器电路(不含控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 温度传感器 超低功耗 无源 温度标签
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基于电量检测的WSNs智能休眠方法 被引量:4
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作者 李秘 花仕海 +2 位作者 李贵柯 赵柏秦 吴南健 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第11期27-29,33,共4页
为使无线传感器网络(WSNs)中传感器节点的电池电量得到充分利用并降低传感节点能量消耗,提出了一种基于传感节点电量检测的WSNs智能休眠方法,以达到智能化管理WSNs传感节点电池电量的目的。详细地论述了WSNs智能休眠方法的设计思路和实... 为使无线传感器网络(WSNs)中传感器节点的电池电量得到充分利用并降低传感节点能量消耗,提出了一种基于传感节点电量检测的WSNs智能休眠方法,以达到智能化管理WSNs传感节点电池电量的目的。详细地论述了WSNs智能休眠方法的设计思路和实现方法。测试结果表明:此休眠方法可"智能"地降低WSNs节点的功耗,为WSNs的进一步发展与应用奠定了一定的基础。 展开更多
关键词 无线传感器网络 电量检测 休眠 TINYOS
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一种休眠机制下无线传感器网络的自治愈方法
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作者 刘波 张祥 +3 位作者 李贵柯 丁时栋 赵柏秦 吴南健 《传感器与微系统》 CSCD 2015年第5期26-28,37,共4页
为减少无线传感器网络(WSNs)大规模应用中出现的节点同步失效、数据丢失的问题,通过对现有WSNs应用系统的研究,提出了一种全网节点同步休眠机制下WSNs的自治愈方法。详细介绍了该方法的设计思路、实现方法及测试过程。测试结果表明:此... 为减少无线传感器网络(WSNs)大规模应用中出现的节点同步失效、数据丢失的问题,通过对现有WSNs应用系统的研究,提出了一种全网节点同步休眠机制下WSNs的自治愈方法。详细介绍了该方法的设计思路、实现方法及测试过程。测试结果表明:此方法可针对数据丢失和时间同步失效的节点进行节点自救,实现丢失节点的再入网、再同步,提高WSNs系统的稳定性,为WSNs的应用提供更好的条件。 展开更多
关键词 无线传感器网络 同步失效 自治愈 时间同步
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动态路由机制下无线传感器网络的拓扑控制方法 被引量:1
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作者 王亚聪 赵柏秦 +1 位作者 吴南健 李贵柯 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第11期106-109,共4页
通过分析传感器节点的功耗模型和无线信道的传输模型,从理论上说明节点功耗控制的重要性以及如何确定最优的发射功率。文中介绍了基于动态路由协议和信道评估的网络拓扑控制方法的实现。首先通过动态路由建立树型拓扑,其次根据RSSI和LQ... 通过分析传感器节点的功耗模型和无线信道的传输模型,从理论上说明节点功耗控制的重要性以及如何确定最优的发射功率。文中介绍了基于动态路由协议和信道评估的网络拓扑控制方法的实现。首先通过动态路由建立树型拓扑,其次根据RSSI和LQI指标对信道进行评估后调整传感器节点的发射功率,最后阐述了网络拓扑结构的维护,保证网络的连通性和可靠性。实验结果表明,基于功率控制的拓扑控制算法可以提高系统的稳定性,延长网络的生命周期。 展开更多
关键词 自适应功率控制 无线传感器网络 拓扑控制 动态路由
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纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究 被引量:7
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作者 梁继然 胡明 +4 位作者 阚强 王晓东 李贵柯 李昌青 陈弘达 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期323-327,共5页
采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结... 采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结果表明,经400℃N2热处理后,获得了由纳米颗粒组成的VO2薄膜;在所测试的红外波段,纳米VO2薄膜内颗粒发生相变的初始温度随波长的增加而升高,薄膜的相变温度点随波长增加也逐渐升高。 展开更多
关键词 VO2 光学相变 红外透射
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A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process 被引量:1
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作者 李贵柯 冯鹏 吴南健 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期133-138,共6页
We present a monolithic ultraviolet(UV) image sensor based on a standard CMOS process.A compact UV sensitive device structure is designed as a pixel for the image sensor.This UV image sensor consists of a CMOS pixel... We present a monolithic ultraviolet(UV) image sensor based on a standard CMOS process.A compact UV sensitive device structure is designed as a pixel for the image sensor.This UV image sensor consists of a CMOS pixel array,high-voltage switches,a readout circuit and a digital control circuit.A 16×16 image sensor prototype chip is implemented in a 0.18μm standard CMOS logic process.The pixel and image sensor were measured. Experimental results demonstrate that the image sensor has a high sensitivity of 0.072 V/(mJ/cm^2) and can capture a UV image.It is suitable for large-scale monolithic bio-medical and space applications. 展开更多
关键词 UV image sensor standard CMOS process floating gate
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