碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响

碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差。

半导体碳化硅衬底的湿法氧化

半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如KMnO_(4)、H_(2)O_(2)、K_(2)S_(2)O_(8)等。在此基础上,进一步总结了常用的氧化增效方法,如光催化辅助氧化、电化学氧化、芬顿反应等,并从理论计算的角度分析了单晶4H-SiC湿法氧化的机理,最后展望了4H-SiC湿法氧化未来的研究方向。

铝铒共掺氧化锌薄膜中氧含量对铒离子发光的影响

研究在不同氧气含量条件下通过磁控溅射沉积的铝铒共掺氧化锌薄膜及电致发光器件的光电性能。实验发现氧气含量的提高有利于增强Er^(3+)离子的光学活性并降低薄膜中电子陷阱的浓度。另外,由于沉积过程中溅射出的粒子与氧气碰撞导致能量损失,高氧气含量会引起薄膜结晶性下降。在电致发光中,由于氧填充了作为施主的氧空位,强烈依赖于多子浓度的npn异质结器件在纯氩条件下才能获得最强的电致发光。

电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响

4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。

基于硅/二维层状材料异质结的红外光电探测器研究进展

红外光是一种频率介于微波和可见光范围之间的电磁波,在光通信、人工智能、医用治疗、军事探测和航空航天等领域具有广泛的应用。硅的带隙为1.12 eV,导致硅基光电探测器的截止波长短(约1.1 mm)。近年来,研究发现了新型二维层状材料,它们具有带隙可调、载流子迁移率高、光谱响应宽、暗电流低、稳定性高以及制备工艺与互补金属氧化物半导体(Complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等诸多优点,引起了研究人员的广泛关注。通过将硅与二维层状材料结合,能够有效地将硅基光电探测器的探测波段向波长超过1.1 mm的红外光波段拓展。本文着重介绍了近年来可探测波长超过传统硅光电探测器的基于硅/二维层状材料异质结的光电探测器在近红外和中红外光波段的研究进展并展望了其发展前景。

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 .主要论述了硅基一维纳米半导体材料 (纳米硅线、纳米ZnO线 )的制备 ,着重一维纳米材料的阵列化制备 ,讨论了其生长机理 ,研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能 .

WebService核心协议与实施研究

本文首先介绍了Web Services、中间件和SOA。着重分析了Web Services的主要协议WSDL和SOAP,及其典型实施Axis, 最后指出了Web Services的新规范WS-Addressing及其带来的挑战。

中间件技术比较研究

本文归纳了中间件的定义,描述了中间件的分类方法和体系结构,比较了中间件的典型实现机制,论述了服务的共享机制和新型中间件,总结了中间件与系统性能的关系,最后展望了中间件的发展趋势及面临的挑战。

乳腺癌患者的DNA倍体、S期细胞比率、激素受体和淋巴结转移的检测

目的探讨ＤＮＡ倍体、Ｓ期细胞比率（ＳＰＦ）、激素受体和淋巴结转移与肿瘤恶性程度和患者预后的关系。方法用流式细胞术和免疫组织化学技术同步检测１２８例女性乳腺癌患者的ＤＮＡ倍体、Ｓ期细胞比率、雌激素受体（ＥＲ）和淋巴结转移（ＬＮＭ）等４项指标。结果ＥＲ（—）患者的异倍体率、ＳＰＦ和ＬＮＭ（＋）率均显著高于ＥＲ（＋）患者（分别为９３．３％、３０．７±７．２％、８０．０％和６４．０％、１５．２±６．２％、５２．０％，Ｐ＜０．０５或Ｐ＜０．０１）。异倍体患者ＳＰＦ、ＥＲ（－）率也显著高于二倍体患者（分别为２３．１％±１０．１％、３１．０％和１３．４％±５．３％、８．７％，Ｐ＜０．０５或Ｐ＜０．０１）。根据患者对４项指标反应程度不同，将患者分为预后好坏程度不同的５级，“１”级各项指标均为预后较好指标，而“５”级各项指标均为预后不好指标。这样从“１”级到“５”级患者肿瘤恶性度越来越高，预后越来越差，其５年生存率分别为１００％、８７．２％、６８．７％、３５．７％和２３．１％。结论ＤＮＡ倍体、细胞增殖特性、激素受体表达和淋巴结转移是反映肿瘤恶性程度和判断预后的重要参数。

非小细胞肺癌手术前后血清肿瘤标志物的监测意义

目的探讨在非小细胞肺癌(non-small cell lung cancer,NSCLC)患者手术前后检测血清肿瘤标志物CA125,CEA和NSE的临床意义。方法对50例不同病理类型NSCLC患者(病例组)术前及术后7天、1个月、3个月进行血清肿瘤标志物CA125、CEA和NSE的测定,并与30例健康人群(对照组)做对照分析。结果肺腺癌患者术前CEA的阳性率明显高于鳞癌患者术前(P<0.05),而CA125和NSE则差异不明显(P>0.05)。病例组术前血清肿瘤标志物CA125,CEA,NSE测定值均明显高于健康对照组(P<0.05)。病例组术后7天、1个月、3个月血清肿瘤标志物CA125、CEA、NSE测定值均低于术前水平且呈下降趋势。结论监测术后血清肿瘤标志物CA125、CEA、NSE对于判断肺癌手术效果以及及时掌握病情变化非常重要。

微氮硅单晶中氧沉滨

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用．

高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质

利用低温红外光谱技术（８Ｋ），研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温１３００℃退火时的性质，实验指出，在此高温退火时，硅单晶中的原生氮－氧复合体被逐渐分解，氮杂质以很高的扩散速率。

卵巢癌患者血清CA125与癌基因表达检测的临床意义

目的 评价卵巢癌患者血清CA 12 5表达水平的临床意义。方法 采用酶联免疫分析和流式细胞术对 3 3例卵巢癌患者血清CA12 5浓度和癌组织 p5 3V+ 、CD44S+ 、p170 + 及DNA异倍体细胞检出率进行了检测。结果 卵巢癌患者CA 12 5浓度、p5 3V+ 和 p170 + 细胞检出率均显著高于正常对照 (P <0 .0 1) ;CA 12 5浓度和 p5 3V+ 细胞表达率随临床分期增加而逐渐升高 ;p5 3V+ 和DNA异倍体细胞检出率随CA 12 5浓度增加而逐渐升高 ,CD 44S+ 细胞检出率却逐渐降低。结论 卵巢癌患者血清CA12 5浓度与癌组织 p5 3V+ 、CD44S+ 和DNA异倍体细胞检出率、肿瘤临床分期的关系都十分密切。

深亚微米集成电路用硅单晶材料

由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度。最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势。

微氮硅单晶中的热受主

本文研究了微氮硅单晶在经历不同温度热处理时电阻率的变化,发现在700℃以上退火时,n型微氮硅单晶的电阻率首先上升,随后逐渐下降,保持一稳定值,而p型微氮硅单晶的电阻率变化则相反.实验证明微氮硅单晶在 7 00℃以上退火时,产生了热受主(T A),其浓度可达 2 ×10^(14)个/cm^3,它的产生是氧氮杂质共同作用的结果,可能是一种硅中氮氧复合物.

《半导体材料》课程改革

根据《半导体材料》课程的自身特点,对该课程在教学内容、教学形式和教学考核上进行了综合改革。改革目的在于探索培养高素质半导体材料人才的教学方法,提升学生的自我学习能力、资料收集和整合能力以及在半导体材料领域的创新能力。

氮气氛下直拉硅单晶的杂质控制

通过改变埚转、氮气流量及多晶熔化时间等拉晶参数,便能简单而有效地控制其氧碳氮杂质,并在实际生产中运用获得成功。

微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．

硅晶片切割损伤层微观应力的研究

作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶片切割层的微观应力。

网络游戏体系结构的研究与应用综述

介绍了网络游戏体系结构的重要性,重点分析讨论了网络游戏的体系结构研究进展和搭建策略,解剖了2个典型的智能游戏平台,从而指出了该领域的研究重点。