量子霍尔效应

从经典的霍尔效应开始 ,比较系统地。

InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱

将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下，存在亚稳生长构形的实验证据．

异常霍尔效应和自旋霍尔效应

异常霍尔效应和自旋霍尔效应是在常规霍尔效应的基础上引发出的2种新现象.本文介绍了这2种现象及其原理和潜在的应用.

Ni^＋注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别

在不同条件下退火的Ｎｉ＋注入ｎ－ＧａＰＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０～０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰．对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进行了计算．结合分析实测各能级热发射率数据，对其中起源于ＮｉＧａ中心的ＤＬＴＳ峰作出了判断．

不同磷压下生长的MOVPE n-GaP中的Ni杂质浓度

用二次离子质谱(SIMS)技术测定了不同磷压下生长的MOVPE n-GaP中的Ni杂质相对浓度.所得结果与用结电容技术测得的同一系列样品中存在的一个具有光-热激发行为的深中心D_5的浓度变化规律相符,为将D_5中心的化学本质指认为Ni(d^9)提供了直接证据.对MOVPE n-Gap中Ni杂质随磷压变化规律作了热化学分析,对实测结果得到了合理解释.

离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究

一、引言近年来,国内外发光二极管(LED)及其所用材料中深能级的检测和研究取得了不少成果。研究表明:某些深能级的存在所引起的载流子复合的“旁路”,是限制LED效率提高的一个重要因素。热激电流(TSC)是检测深能级,研究材料中杂质、缺陷的一种简便方法,[1—3,12]都曾用这种方法研究过GaAsP LED中的深能级。在LED生产中,

GaAs_(1-x)P_x:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ＊（ｈν）的温度依赖性进行了研究．随温度（Ｔ）由～４０Ｋ升至～１００Ｋ，三个样品的谱峰位均有红移；峰高Ｉｐ增高，增高速度随ｘ增大而减小．σ＊（ｈν）谱可近似拟合为两个高斯型成分的叠加．以上结果支持关于ＥＬ２０／＋中心存在两个激发态（ｅ１，ｅ２）的论点．解谱结果表明：０Ｋ时ｅ１和ｅ２的能级外推值ｅ１（０）＝１．０１６ｅＶ，ｅ２（０）＝１．０４６ｅＶ与ｘ值无关．

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究

利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析 .用该法可生长出正化学比的ZnO ,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙 ,工艺还有待进一步改进 .

GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究

用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。

对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究

对不同的O，Ce束流比条件下用离子束外延（IBE）方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱（AES）深度剖析测量．结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO2和林的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨．结果还表明IBECeO2／Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO2，而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性．

缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱

以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．

InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．

太阳能电池

简述了太阳能电池的原理 ,从材料、价格、成本、转换效率变化等方面介绍了太阳能电池的发展现状 ,展望太阳能电池的发展趋势 .

半导体低维体系简介

介绍了量子阱、量子线、量子点、半导体超晶格。

EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度

应用扫描电子显微镜 (SEM )对GaP半导体材料的 p n结进行线扫描 ,得到电子束感生电流 (EBIC)的线扫描曲线 .给出一简单模型 ,对GaP样品n区的EBIC线形进行计算 ,拟合实验曲线 。

Se^+注入ZnSe晶体的深能级研究

将Se离子注入到ZnSe晶体中,用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se^+前后ZnSe晶体中深能级的变化,发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se^+和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级分别与Se双空位和包含一个Se单空位的复合体有关的论点。同时注Se^+后在导带下0.34eV出现一个新的能级,其电子俘获截面明显区别于0.33eV能级。该能级可能与Se填隙原子或占Zn位的反位Se原子有关。

N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算

本文根据化学反应的吉布斯自由能及ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ等人的介电理论计算了Ｎ在ＧａＰ中的溶解度及Ｐ在ＧａＮ中的溶解度．计算结果表明，Ｎ在ＧａＰ中有一个相当好的溶解度，在这个溶解度下，ＧａＰ（１－ｘ）Ｎｘ合金的能带可以发生有意义的变化，我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道．