船舶电气设备水冷系统研究与开发

针对船舶电气设备体积大、功耗高、散热差、噪音高等问题,对船舶电气设备水冷系统的模块化水冷板、传感与控制单元进行了研究,对电气设备本体、循环水系统、监控与保护装置的典型特征进行了归纳,提出了一种基于模块化水冷板以及传感与控制技术的船舶电气设备水冷系统,利用联调试验和实船电气设备对该水冷系统的体积、功耗、散热、噪音进行了测试。研究结果表明,该系统可提高船舶电气设备的功率密度、稳定性、冷却效率、噪音水平,可保证船舶电气设备的体积、功耗、散热、噪音优越性。

HgCdTe多载流子体系的定量迁移率谱分析

本文利用定量迁移率谱分析技术，通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖关系，获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移率，结果表明了定量迁移率谱分析方法具有很高的准确性和可靠性，并且它对样品中少子的贡献非常敏感．

HgCdTe光导探测器的磁阻特性

测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好．

高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值。

n-HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究

利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．

表面固定电荷对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响

研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度。

舰船电力系统的限流保护技术

舰船电力系统关系着舰船的生命力,而随着舰船电力系统容量的增加和可靠性要求的提高,使用限流保护技术已成为舰船电力系统保护的必然趋势。也就是说,限流保护技术对舰船可靠性工程有着极其重要的影响。概述限流保护技术的重要性和现状,并重点分析几种短路限流装置的特点和运用情况。此外,介绍国内外的最新限流装置技术以及在实际应用过程中遇到的关键问题。可以预见短路限流装置的研制必然取得长足的发展,并最终广泛应用于舰船电力系统保护。

Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性

利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．

舰船消磁控制设备现状和发展趋势

在简要论述舰船消磁系统控制原理,并综合介绍舰船消磁控制设备现状的基础上,分析了不同舰船适用的最佳消磁控制方式和消磁控制新技术的研究方向。认为潜艇和大型水面舰艇适合选用地磁解算方式,猎扫雷舰适合选用三分量传感器方式,中小型舰船既可选用混合式(可进行摇摆运动抗干扰调整),也可单独选用地磁解算式。消磁控制设备应实现多信号融合、标准化、可扩展、可裁减和控制电源数量可设定等功能,重点加强分布式消磁系统、消磁系统智能监控和闭环消磁控制技术的研究。

Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器的电学参量分析

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系。

HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析

通过迁移率谱分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生长的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度．

电动船舶能量流通分析与管理技术研究

针对船舶航行时能量浪费等问题,以电动船舶为研究对象,分析船舶的能量流通情况,得出全船能量流通的初步特性,并以此为基础对船舶的能量综合利用技术开展初步研究。首先,从源头出发,分析船舶航行时全船能量流通的主要环节,清理、总结能量"浪费"现象。同时,以全船用电负荷清理入手,明确长期负荷、典型负荷,对典型负荷的能量流通和利用情况开展分析;最后,提出全船能量流通存在的主要问题,并从解决问题出发提出能量综合利用的初步想法或技术方案。

全塑料浮止阀阀口3D数值仿真研究

运用CFD软件FLUENT对全塑料浮止阀阀口进行3D数值仿真研究,掌握了浮止阀工作过程中阀腔内液体的压力场和速度场的分布情况,由仿真结果计算了作用在阀芯上的平衡力及液动力,分析比较了两种不同流道结构的浮止阀。研究结果可为合理设计浮止阀结构及研究同类元件提供借鉴。

掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 .

组合式三相逆变器输出变压器直流偏磁的抑制

本文针对数字化多环控制下组合式三相逆变器输出变压器的直流偏磁问题,详细分析了直流偏磁对逆变器的影响。结合基于ABC坐标系下重复控制加电压电流双环控制的多环控制方案,提出了一种针对多环控制的直流偏磁抑制策略。在一台额定功率为500kVA的组合式三相逆变器上进行了实验验证。实验结果证实了该策略对直流偏磁问题抑制的有效性和实用性。

常规潜艇动力系统的信息化平台

随着计算机和网络技术的发展,潜艇动力系统的信息化控制成为必然的趋势。介绍潜艇动力系统信息化平台的组成、功能和设计原则,并剖析了潜艇动力系统实现信息化的关键技术。

卫星早期轨道任务中测控站跟踪异常的应急处理

早期轨道任务中快速捕获目标是卫星测控站的重要任务之一，本文以北京国际海事卫星测控站10多年来执行卫星发射测控任务的实践经验为基础，深入分析了卫星早期轨道任务中几类异常跟踪情况产生的原因，并给出了应急处理对策和方法。

舰船电力系统国内外最新进展与发展趋势

近年来,舰船电力系统得到了突飞猛进的发展并受到越来越多的关注。本文介绍了舰船电力系统的最新发展及发展趋势,并详细论述了高功率密度电能变换装置、直流区域供电、交流变频调速和多智能体等几种最新技术。

赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究

测量了一系列不同隔离层 (spacer)厚度、阱宽和硅 δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管 (p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱 ,详细研究了 (el- hh1)和 (e2 - hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制 ,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率 ,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化 .

Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures

Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.