磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。

温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响

为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。

多孔硅形成机理的逆结晶学模型(英文)

本文概述了多孔硅形成机理和现有模型。通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型。这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制。此模型的提出对研究晶体生长有用。

N^+注入ZnO薄膜表面性质的变化

用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化。经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002)。经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1μm。N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型。

快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究

鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.

利用SiO_2颗粒增强薄膜太阳能电池中硅膜对入射可见光的吸收

以正硅酸乙酯(TEOS:Tetraethoxysilane)、氨水、乙醇(EtOH:Ethyl Alcohol)、去离子水为原料,采用溶胶-凝胶法,在普通玻璃衬底的上表面制备出一层最大粒径在400nm左右的SiO2颗粒,利用这层颗粒对可见光的散射作用,提高Si薄膜对入射可见光的吸收率。在相同的沉积条件下,分别在带有该层颗粒的玻璃和普通玻璃的上表面沉积了同样厚度的Si薄膜,制成两组样品。通过比较这两组样品在可见光波段的漫反射率和透射率以及Si薄膜样品的暗电导和定态光电导,证明该层颗粒增强了Si薄膜对入射可见光的吸收,有一定的实用前景。

电针足三里穴治疗恶性肿瘤化疗所致恶心呕吐：多中心随机对照研究

目的:比较电针足三里穴联合静脉滴注格拉司琼与单纯静脉滴注格拉司琼治疗恶性肿瘤化疗致恶心呕吐的临床疗效差异。方法:采用多中心随机对照试验的方法,观察组(127例)采用电针足三里穴加静脉滴注格拉司琼,对照组(119例)单纯采用静脉滴注格拉司琼,观察两组患者恶心呕吐症状改善情况。结果:观察组总有效率90.5%,优于对照组的84.0%(P<0.01);治疗后两组恶心呕吐积分均明显降低(均P<0.001),且观察组降低的程度优于对照组(P<0.001)。结论:电针足三里穴后,可明显减轻患者化疗后出现的恶心呕吐症状。