稀土Y^(3+)取代(Bi_(1.5)Zn_(0.5)(Ti_(1.5)Nb_(0.5))O_7陶瓷材料

研究了Y3+取代对(Bi1.5-xYxZn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7(0≤x≤1.5,BYZNT)陶瓷结构和介电性能的影响。结果表明:未用Y3+取代的BZNT陶瓷,其结构为立方焦绿石单相;在整个取代范围内,BYZNT陶瓷的结构仍然保持立方焦绿石单相。同时,随着Y3+取代的增加,晶胞常数减小,介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。

Al对Mg-Cu-Y合金非晶形成能力及热稳定性的影响

采用单辊快速凝固法制备出Mg80 x Alx Cu15Y5(x=0,1)合金薄带,再将薄带在不同温度下进行退火处理,利用XRD、DSC和HRTEM分析Al元素对Mg80 x Alx Cu15Y5(x=0,1)合金薄带的非晶形成能力及热稳定性的影响。结果表明:Al的加入使得Mg-Cu-Y合金的玻璃转变温度和初始结晶温度升高,过冷液相区宽度ΔTx因Al部分置换Mg而增大,约化玻璃转变温度Trg从0.616升至0.631,合金的非晶形成能力及热稳定性提高。随着退火温度的升高,Mg79Al1Cu15Y5合金的晶化率低于Mg80Cu15Y5合金的。当退火温度为523 K时Mg80 x Alx Cu15Y5(x=0,1)合金均发生明显晶化,在非晶基体上弥散析出大量HCP-Mg和Mg2Cu纳米颗粒;当温度升高至573 K时,Mg79Al1Cu15Y5合金中有针状AlMg化合物相形成。

微波介质陶瓷的助烧与掺杂改性

为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能。

LED散热铝基板用导热介质材料的制备与性能研究

通过浇注工艺制备环氧树脂(EP)/Si3N4复合材料,研究Si3N4含量对复合材料的热学和力学性能的影响。结果表明,复合材料的热导率和升温速率随Si3N4含量的增加而增大,当Si3N4体积分数为25%时,热导率达到0.511W/(m.K),平均线性热膨胀系数随Si3N4含量的增加不断下降,在Si3N4体积分数为25%时,平均线性热膨胀系数为49.18×10–6/℃,而EP/Si3N4复合材料的剪切强度则随着Si3N4的含量的增加先升高后下降,最高达47.6 MPa。

模板晶粒生长技术制备织构化SrBi_2Nb_2O_9陶瓷

以熔盐法合成各向异性的片状单相SrBi2Nb2O9(SBN)陶瓷粉体作为模板,采用模板晶粒生长(templated grain growth,TGG)技术制得织构化SBN陶瓷。研究结果表明:随着烧结温度的升高和模板数量的增加,其晶粒取向率升高。当模板数量(质量分数)为20%时,在1300℃烧结3h可获得晶粒取向率为0.86的织构化SBN陶瓷。同时,TGG技术制得的织构化SBN陶瓷的相对体积密度在烧结温度低于1300℃时,随烧结温度的升高而升高;在1300℃时为91.22%;在高于1300℃时开始下降。

CuO和V_2O_5掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响

采用传统的固相反应法制备了CuO和V2O5掺杂的ZnNb2O6介质陶瓷。通过X射线衍射,扫描电镜以及电感–电容–电阻测试仪等测试手段对其烧结特性,晶体结构,微观形貌和介电性能进行研究。结果表明:CuO和V2O5掺杂能降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌并优化介电性能。掺杂质量分数为0.25%CuO和0.25%V2O5的ZnNb2O6陶瓷样品在1025℃烧结后,在100MHz下具有较好的综合介电性能:介电常数εr=35,介电损耗tanδ=0.00021,频率温度系数τf=-44.41×10-6/℃。

BiVO_4掺杂对(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7陶瓷介电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Bi VO_4掺杂的(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7(bismuth zincate niobate,BZN)介质陶瓷,用X射线衍射、扫描电镜以及电感电容电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究。结果表明:Bi VO_4掺杂能显著降低BZN的烧结温度,由1000℃降至850℃,同时可优化频率温度系数τf,由-450×10-6/℃变为-254×10-6/℃。Bi VO_4的掺杂量为5%,烧结温度为900℃时,BZN陶瓷具有较好的介电性能:介电常数ε=153,品质因数Q=2100,频率温度系数τf=-350×10-6/℃。

高介电常数微波介质陶瓷的发展及研究现状

对高介电常数微波介电陶瓷中的BaOLn2O3TiO2、复合钙钛矿CaO2Li2O2Ln2O3TiO2及铅基钙钛矿体系的发展及研究现状进行了概述,归纳了研究中存在的问题,同时对未来的发展趋势做了预测。对新型填满型钨青铜结构陶瓷也进行了简要的介绍,指出其具有良好的发展前景,但其介电弛豫性需要进一步的研究。

熔盐法合成片状BaBi_4Ti_4O_(15)粉体

以NaCl-KCl为助熔剂,熔盐法合成了片状BaBi4Ti4O15粉体。采用X射线衍射分析粉体的相结构,用扫描电镜观察其微观形貌,研究了不同预烧温度及熔盐含量对粉体形貌及相结构的影响。结果表明;在850～1050℃范围,可生长出各向异性的片状BaBi4Ti4O15粉体;随着温度的升高,合成粉体的片状更趋明显,但生长各向异性程度减小;生长各向异性粉体的最佳预烧温度为850～950℃。当熔盐含量与反应物的质量比小于1时,晶粒尺寸随熔盐含量增加而增大;当熔盐含量继续增加时,粉体的晶粒尺寸反而减小。

NdFeB粘结磁体的使用温度及磁性能

对磁粉进行表面处理 ,利用冷、热模压法制备了金属基及塑料基两种粘结NdFeB磁体 ,研究了表面处理前后及不同基体磁体的使用温度和磁性能。研究结果表明 :磁粉的表面处理可以提高磁体的磁性能及使用温度 ,塑料基磁体的磁性能低于金属基磁体的 ,但其使用温度却较高 ,可达 180℃左右。

熔盐法合成片状Bi_4Ti_3O_(12)粉体的研究

以Bi2O3和TiO2为原料,采用熔盐法合成了纯的铋层状结构的Bi4Ti3O12粉体。利用XRD和SEM等手段对其结构和形态进行了表征。结果表明,熔盐法合成的Bi4Ti3O12粉体呈现规则的片状。当温度从800℃升高到1050℃时,粉体片状尺寸增大,径高比增加;当盐与反应物的质量比为0.8时,所得粉体片状尺寸较小,形状不规则;盐与反应物质量比增加到1时,粉体的尺寸明显增大。

熔盐法合成片状SrBi_2Nb_2O_9粉体

以分析纯的Bi2O3,Nb2O5和SrCO3为原料,以NaCI和KCI为熔盐,采用熔盐法在800～1150℃合成了单相生长的各向异性的片状SrBi2Nb2O9 陶瓷粉体。X射线衍射分析表明:熔盐法合成的陶瓷粉体为单相SrBi2Nb2O9,没有其它杂相生成。扫描电镜分析显示:所得粉体呈明显的片状,无团聚现象。研究了合成温度、熔盐含量对粉体颗粒形貌和尺寸的影响。结果表明:在熔盐与原料的质量比≤1的情况下,随着合成温度的升高和熔盐含量的增加,片状粉体尺寸增大。探讨了熔盐法合成SrBi2Nb2O9陶瓷粉体的机理。

熔盐法制备SrBi_2Nb_2O_9陶瓷粉体的研究

分别以KCl或NaCl-KCl作为盐,采用熔盐法合成各向异性的单相片状SrBi2Nb2O9陶瓷粉体。XRD分析结果表明,用KCl或NaCl-KCl作为盐均可以合成单相片状SrBi2Nb2O9陶瓷粉体;SEM照片分析显示熔盐法合成的粉体呈片状,无团聚现象。并研究了工艺参数对粉体尺寸及形貌的影响,盐的种类和含量、煅烧温度、保温时间对粉体形貌和显微结构均有较大的影响。

棒状Sr_(0.4)Ba_(0.6)Nb_2O_6陶瓷粉体的合成

以K2SO4为熔盐采用熔盐法合成了棒状的Sr0.4Ba0.6Nb2O6粉体,并与用KCl-NaCl为熔盐合成的Sr0.4Ba0.6Nb2O6粉体做了对比,讨论了合成温度和熔盐种类对粉体晶粒形貌和尺寸大小的影响。结果表明:合成温度为1300℃,以K2SO4为熔盐,采用熔盐法可以合成较好晶形的Sr0.4Ba0.6Nb2O6粉体。

快速凝固Mg_(80)Cu_(10)Y_(10)金属玻璃的晶化行为

采用单辊快速凝固法制备了Mg80Cu10Y10合金薄带,并对合金薄带进行热处理,利用XRD、DSC和HRTEM分析研究了该合金薄带的晶化过程及其晶化后的微观结构。结果表明:快速凝固Mg80Cu10Y10合金薄带为单一的非晶态结构,其约化玻璃转变温度Trg为0.62,具有较强的非晶形成能力;非晶合金具有三阶段晶化行为;在热处理温度为423 K时合金仍为非晶态;当温度达到473 K时,合金发生明显晶化,在非晶基体上弥散析出Mg2Cu、Cu2Y和hcp-Mg纳米晶粒;随着温度由523 K升高至623 K时,析出晶粒尺寸增大、数目减少,合金中的晶体相为hcp-Mg、Mg2Cu和Mg24Y5。

CuO掺杂对ZnNb_2O_6介质陶瓷性能的影响

采用传统的固相反应法制备 CuO 掺杂 ZnNb_2O_6介质陶瓷,借助 XRD、SEM 和 LCR 测试仪,研究了CuO 掺杂对 ZnNb_2O_6介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明,CuO 掺杂能有效降低 ZnNb_2O_6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,优化频率温度系数。1050℃烧结掺杂1.0wt%CuO 的 ZnNb_2O_6陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数ε_r=34,介电损耗 tanδ=0.00039,频率温度系数τ_f=-46.21×10^(-6)/C。

电脉冲在现代材料制备与研究中的应用

介绍了电脉冲在金属凝固组织控制、金属再结晶、纳米晶制备、非晶防脆、提高材料力学性能及损伤材料自修复等方面的应用现状 ,对其研究和应用的前景做了分析。

快速凝固 Cu-Cr-Zr-Mg 合金的原位再结晶与不连续再结晶

对快速凝固Ｃｕ－０．６Ｃｒ－０．１５Ｚｒ－０．０５Ｍｇ合金伴随时效析出的再结晶过程进行了观察和研究。发现该合金在形变后的时效过程中，析出相非常细小、弥散，阻碍了再结晶的进行，出现了原位再结晶与不连续再结晶同时发生的现象。在再结晶的形核和长大过程中，析出相在晶界前沿快速粗化或重新溶解，并在再结晶区域中重新析出，导致更加弥散的析出相分布。

熔盐法制备Sr_(0.4)Ba_(0.6)Nb_2O_6粉体

采用熔盐法(MSS)合成了各向异性生长的棒状Sr0.4Ba0.6Nb2O6粉体。用XRD分析表明,熔盐法合成的是单相Sr0.4Ba0.6Nb2O6陶瓷粉体,没有其它杂相生成;用SEM分析合成粉体的形貌,结果表明,熔盐法合成的粉体呈棒状,且随着反应条件的不同,棒状粉体的长度在2～20μm。研究表明,影响粉体形状和尺寸的主要因素是合成温度以及原料和盐的比例。

V_2O_5掺杂对ZnNb_2O_6介质陶瓷性能的影响

采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能。结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加。经1050℃烧结,1．O％V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr＝28,tanδ＝0．000 6,τf＝-42．50×10-6℃-1。