MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模

小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述．本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型．模型是横向场Ｅｙ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数．二维分布模型载有较充分的物理过程，可以基本反映电流密度的实际分布．模型可应用于与电流路径相关的ＭＯＳ器件特性的研究；特别重要的应用领域是ＭＯＳ热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模．选用深亚微米ＭＯＳ器件的横向场Ｅｙ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）及ＩＤＳ模型，所建分布模型可应用于该尺寸区器件的沟道电流和衬底电流二维分布的描述．

KOH蚀液的PN结自致蚀停技术研究

KOH碱性蚀液的PN结自致蚀停电化学腐蚀技术是制备硅三维微结构的基本方法之一。本文详细研究了它在90℃的PN结自致蚀停的基本特性，并发展了一种简化的三电极系统。该新的系统既保持了双电极系统的简便性又具备四电极系统可防错误腐蚀终止的功能。新系统PN结偏置独立回路中的监测电流和电压均能给出明显的腐蚀终止指示。实验结果和分析表明，用这种新的系统或四电极系统进行微机械加工时．加工样品的PN结结面应和腐蚀窗口面积接近，才能确保腐蚀终止指示的明显化。

JFFT控制特性的近似解析分析

由高Ｔｃ超导材料制备的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ磁通流晶体管（ＪＦＦＴ）的控制特性中呈现了很强的非对称性。笔者分析了ＪＦＦＴ的控制场分布，并在电流－相位线性近似条件下，获得了这种非对称控制特性的近似解析描述。解析分析结果揭示了由控制线产生的不均匀外磁场是控制特性中非对称性产生的原因。其解析分析与实验结果之间符合较好。文中还讨论了各结构参数对ＪＦＦＴ的最大电流放大倍数的影响。

超导逻辑门JAWS的电压态特性分析

本文是在数值分析基础上，用节点相位差的线性近似对ＪＡＷＳ门的非线性状态方程进行线性化，由此获得了门电压态特性的解析描述。其结果与数值分析非常一致，并揭示了门的隔离特性、扇出和电压态上叠加的高频振荡特性与门电路参数之间的关系。电压态振荡源于约瑟夫逊结的超流分量，因此它同样可存在于由约瑟夫逊结构成的以电压为状态特征的超导逻辑门中。

超导逻辑门RCJL的传输特性

ＲＣＪＬ（电阻耦合约瑟夫逊逻辑）是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路，本文用四阶龙格－库塔法（ＲｕｎｇｅＣｕｔｔａ）分析了ＲＣＪＬ的传输特性，并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析讨论。

超导磁通流晶体管的研究进展

对超导磁通流晶体管的结构、原理、特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.

MOSFET栅电流分布的理论建模

小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性、场畸变性和漏区尺度比例的增大，使它的分布效应增强．更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型．本文依据“幸运电子”概念，基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型，建立了ＮＭＯＳＦＥＴ 的电子和空穴栅电流的分布模型．空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的．所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程，这将有利于ＭＯＳＦＥＴ热载流子的损伤分布。

微系统集成大面积智能化衬底技术研究

智能化衬底技术既是集成微系统的载体，也是微系统集成的手段。采用真空盒吸片技术开发了一种实用的智能化衬底技术工艺方法。真空盒吸片技术解决了芯片的初始定位（对准装片）及芯片位置和共平面性的保持，确保了可用 Ｉ Ｃ工艺完成芯片间的互联。并使工艺的加工面积不受限制，且可达圆片尺度。因此，该智能化衬底技术工艺方法具有很强的实用性和很好的可靠性。

深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展

本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展．对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述．不仅对热电子，同时也对热空穴的影响进行了重点研究，为深亚微米ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础．本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型，尤其是ＭＯＳ器件的热载流子退化模型．

MOS器件热载流子效应的测试方法

对当前ＭＯＳ器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述．

超导场效应器件的统一小信号传输线模型

本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。

神经MOS晶体管

神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。

超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计

神经 MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文以新开发的神经MOS晶体管的 SPICE宏模型为模拟和验证的工具 ,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法。基于这种设计思想和方法 ,设计了一种大输入范围的低压(± 1 .5V)四象限模拟乘法器电路 ,给出的模拟结果验证了理论分析。

一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计

提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。

栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管

本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。

动态应力下MOSFET的热载流子效应与可靠性

叙述了动态应力下MOS器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前MOS电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述,为动态应力下CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础。还对动态应力热载流子可靠性的准静态表征方法进行了讨论。

在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用

述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生如何优化