无碱铝硼硅系玻璃结构的红外光谱

用熔融退火方法制备无碱SiO2-B2O3-Al2O3-RO(R=Mg,Ca,Sr,Ba)系玻璃。玻璃的成分范围以摩尔计为:SiO2,64.17%～70%;B2O3,7%～14.12%;Al2O3,9.88%～16.94%;RO总量,12%(2.4%MgO,4.8%CaO,2.4%SrO,2.4%BaO)。用Fourier变换红外光谱研究了上述玻璃系统结构随成分的变化规律,同时,对玻璃结构与热膨胀系数、密度等物理性质的关系也进行了研究。结果表明:在Al含量较高的铝硼硅系玻璃中,B更多的以[BO3]形态存在。随着SiO2和B2O3摩尔比的增大,[BO3]的量有所减少,而热膨胀系数呈增加趋势,密度出现极大值。随着Al2O3和B2O3摩尔比的增大,[BO3]的量出现极值,热膨胀系数也出现极值,密度总体趋势是增加的。铝硼硅系玻璃的热膨胀系数、密度等物理性质与玻璃结构密切相关。

在线化学气相淀积法镀硅膜玻璃的理论研究

本文论述了多晶薄膜在玻璃基片上淀积的原理及主要影响因素,阐明了薄膜淀积的总速率是由玻璃基片的表面反应速率和反应剂分子扩散到玻璃表面的扩散速率决定的。硅烷浓度,玻璃板运动速率等因素也是重要影响参数。

喷雾热解法制备SnO_2:Sb透明导电薄膜

采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11％(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82％,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm。

F掺杂SnO_2透明导电薄膜微结构及性能研究

通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质,详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现,将基板温度从375℃提高到525℃以上,薄膜结晶程度大大提高,薄膜厚度从25nm提高到近300nm,方块电阻下降了两个数量级,中远红外的反射率达到了85%以上。

CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因.

基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。

基于火焰空间与玻璃液热耦合的玻璃熔窑数值模拟

采用数值模拟方法,对火焰空间和玻璃池窑之间的热耦合模拟可行性进行研究,以玻璃液表面中轴线温度偏差作为比较标准,判断热耦合过程是否收敛。研究结果表明:在六至七次循环迭代后计算结果可收敛,而且热耦合模拟的收敛速度与给定的初始条件有关。建立燃天然气富氧助燃玻璃熔窑模型,与火焰空间、玻璃池窑单独模拟相比,热耦合模拟的结果能够更准确地反映喷枪燃料分布等条件对玻璃液流动情况及温度分布的影响,更为细致全面地模拟出玻璃液表面热传输的不均匀性。

铝硼硅系玻璃中Al2O3，B2O3对化学稳定性的影响

采用熔融退火方法制备SiO2-B2O3-Al2O3-RO（MgO，CaO，SrO，BaO）系玻璃。玻璃的成分范围如下：SiO2（66mol％），B203（6．38—12．94mol％），Al2O3（9．06—15．62mol％），∑RO（12mol％）。研究了Al2O3/B2O3比例变化对玻璃化学稳定性能的影响。结果表明：在研究的成分范围内，随着n（Al2O3/B2O3）的增加，对耐水、耐酸性都出现了转折点，样品中G2（n（Al2O3／B2O3）=1．20）成分的耐水、酸性最好；耐碱性能先减弱后增强，样品中G3（n（Al2O3／B2O3）=1．70）成分的耐碱性最好。

电子束蒸发制备氧化钨、氧化镍薄膜的电致变色性能

电致变色 (EC)材料在外加电压作用下能可逆地改变其光学性能。其中氧化钨与氧化镍是典型的电致变色用材料。本文用电子束蒸发的方法在ITO玻璃基片上制备了此两种薄膜 ,研究了热处理工艺对薄膜结构与电致变色性能的影响。电致变色性能由电化学方法测试。封装的半固态智能窗器件具有很好的电致变色性能。

浮法玻璃在线镀膜工艺技术概况

长期以来,人们已经认识到玻璃和薄膜之间有明显而密切的关系,与玻璃表面结合的透明薄膜可以用来产生各种透明的色彩及镜面效果,以达到实用的装饰和遮阳功能,此外,膜面所产生的表面压缩效应也使玻璃的理论强度增强。

晶相形成对TiSi_2薄膜光学性能的影响

通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2；薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定，受晶相颗粒大小和晶相致密度控制，TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400—750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比，薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区，薄膜电阻率越小，对红外辐射的反射比越高，且随着波长增加至25000nm，TiSi2薄膜的反射比逐渐上升到约0．95。

一种获得半导体薄膜光学参数的方法

实现薄膜光学参数的简便测量对于薄膜的制备和应用具有重要意义。引入适用于半导体材料的Forouhi_Bloomer模型,用其表征薄膜折射率与色散的关系。考虑到粗糙度的影响,假设薄膜厚度服从正态分布,给出了模拟退火法与迭代法相结合、由可见光光谱测定薄膜光学参数的方法。作为尝试,以硅系薄膜为例进行了计算。结果表明,获得的厚度与用椭偏仪测量的结果较为吻合。该方法适用于研究和测量半导体薄膜的光学性能和膜厚,具有很高的实用价值。

AP-CVD法制备的二氧化钛薄膜结构及亲水性研究

基于实现在线镀膜的目的,研究了以TiCl4为钛源,用AP-CVD法在玻璃基板上制备TiO2薄膜的工艺.利用扫描电子显微(SEM)技术和X射线衍射(XRD)技术,研究了不同基板反应温度下薄膜的表面形貌和晶体结构,分析了表面形貌和结构对亲水性的影响.结果表明通过改变反应温度可以控制锐钛矿和金红石的相对量,薄膜的亲水性和表面形貌、粗糙度有密切的关系.

常压化学气相沉积法在玻璃上制备TiSi2薄膜的研究

高导电性TiSi2薄膜对低频电磁波有高反射率.在玻璃基片上成功制备TiSi2薄膜有望开发形成一种新型低辐射镀膜玻璃.本文结合工业在线和大面积生产的特点,以常压化学气相沉积法研究了TiSi2在玻璃基板上生长、制备及其与性能间的关系.研究发现:反应在温度低于680℃时,为反应控制;在高于680℃时,为传质控制.在700℃,Si/Ti摩尔比为3时,生成的TiSi2为低电阻的正交面心晶型(C54)TiSi2.Ti5Si3相和Si相的存在,对薄膜电阻的降低不利.TiSi2晶相含量越多,结晶越好,则电阻越小.

层状非均质各向异性地层中多分量感应测井数值模拟与响应特征

应用数值模式匹配算法研究层状非均质各向异性地层中多分量感应测井响应的数值模拟方法。针对柱状界面上积累面电荷对共轴线圈系电磁响应的影响,通过傅氏级数展开与分离变量技术以及电阻率径向导数的奇异性,推导出关于电磁场水平分量的2个奇异算子方程。该奇异算子有效描述了井壁以及侵入带与原状地层分界面上积累面电荷的效应。在此基础上,利用模式匹配技术给出层状非均质各向异性地层中磁场并矢Green函数的半解析解以及多分量感应测井响应的计算方法,最后通过数值模拟结果对该算法进行检验并考察不同井眼泥浆电阻率以及不同侵入深度情况下多分量感应测井仪器的响应特征。

低辐射镀膜玻璃的现状及展望

本文论述了低辐射镀膜玻璃的性能、用途、生产方法及国内外现状,提出对我国浮法在线生产低辐射镀膜玻璃的 展望。

掺铒氟氧化物透明玻璃陶瓷结构及光学性能研究

采用高温熔融及热处理工艺，制备了透明度良好的Er^3＋离子掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷，并研究了不同Er^3＋离子掺杂浓度下，玻璃陶瓷微晶结构、紫外一可见波段吸收光谱、近红外发射光谱的变化。结果表明：随着Er^3＋浓度的增加，玻璃陶瓷中的微晶相β-PbF2晶格常数减小；紫外-可见波段吸收光谱中超灵敏跃迁^4I15/2→^4G11／2和^4I15／2→^2G11／2的强度增强；同时1．53μm处近红外发射峰的半高宽增大。此外，还进行了上转换发射光谱的测试，结果表明经过热处理后，玻璃陶瓷的上转换峰要大大强于原先未经热处理的玻璃样品。

网络修饰体对铕-镝共掺铝硼硅酸盐玻璃白光发光影响

采用高温熔融的方法,在空气中制备了一系列添加不同网络修饰体氧化物的Eu2O3和Dy2O3共掺杂铝硼硅酸盐玻璃,并测试了其在紫外光激发下的发光性能。从发射谱中可以看到归属于Eu2+、Eu3+和Dy3+离子能级跃迁的蓝、绿、黄、红等多色发射带共存。这些发射带之间的相对强度会随着网络修饰体氧化物的改变而变化,从而导致发光色度的变化。加入适当的网络修饰体氧化物可得到合适的白光发射。此外,在空气中制备过程中发生了Eu3+→Eu2+的还原反应。用Li2O取代ZnO时,该还原反应程度降低,而用CaO取代BaO时该还原反应程度增强,其机制与玻璃组分的光碱度有关。

喷涂距离对APCVD制备的TiN薄膜性能的影响(英文)

以TiCl4和NH3为原料,用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了TiN薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电阻仪、紫外-可见光谱仪等研究了喷涂距离(输入TiCl4管道末端到基板之间的距离)对沉积的TiN薄膜的结晶性能和表面形貌,以及薄膜的电学性能和光学性能的影响。结果表明:当喷涂距离为5cm和10cm时,玻璃基板表面形成电阻较高、反射率较低的较疏松薄膜。当喷涂距离增加到13cm和15cm时,可以得到结晶良好、低电阻、高反射、致密的TiN薄膜。当喷涂距离进一步增加到20cm以上,得到的薄膜的电阻率随之升高而反射率下降。对喷涂距离对薄膜性能的影响机理进行了分析,认为喷涂距离的变化会影响扩散到达并吸附在基板表面的反应物分子数量比例,进而影响沉积薄膜的性能。

浅析嵌入式网络化电视硬盘自动播出系统

随着广播电视技术的高速发展,数字化是广播电视网络的必由之路。而广播电视节目播出的数字化、网络化是这一过程中的重中之重。县级广播电视台的播出系统在有限资金及其他条件的限制下如何进行自动化改造,如何采用适合县级台的网络技术是本文介绍的重点。