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基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器 被引量:1
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作者 王健 窦志鹏 +10 位作者 李光昊 黄晓峰 于千 郝智彪 熊兵 孙长征 韩彦军 汪莱 李洪涛 甘霖 罗毅 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第1期25-28,共4页
高速850 nm GaAs/AlGaAs面入射型单行载流子光电探测器(PD)是短距离光链路中的重要器件,面临着带宽和响应度之间的相互矛盾。报道了一种基于分布布拉格反射器(DBR)增强的GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器(UTC-PD)。DBR由20个周期的高/... 高速850 nm GaAs/AlGaAs面入射型单行载流子光电探测器(PD)是短距离光链路中的重要器件,面临着带宽和响应度之间的相互矛盾。报道了一种基于分布布拉格反射器(DBR)增强的GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器(UTC-PD)。DBR由20个周期的高/低Al组分的Al_(x)Ga_(1-x)As三元合金组成,可以在830~870 nm范围内形成大于0.9的反射。在AlGaAs DBR的增强下,将GaAs吸收层所需的厚度降低到1 040 nm,兼顾PD对光的吸收率和光生载流子的渡越时间。采用双台面、聚合物平面化、共面波导电极结构制作了UTC-PD器件。该器件在850 nm波长、-2 V偏压下具有19.26 GHz的-3 dB带宽和0.492 6 A/W的响应度。 展开更多
关键词 GAAS ALGAAS 光电探测器 单行载流子 分布布拉格反射器 850 nm波长
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ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED 被引量:4
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作者 张贤鹏 韩彦军 +3 位作者 罗毅 薛小琳 汪莱 江洋 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期6-9,15,共5页
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,... 采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变。 展开更多
关键词 氮化镓基发光二极管 表面微结构 ICP干法刻蚀 湿法腐蚀
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超宽带高饱和单行载流子光探测器研究(特邀) 被引量:2
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作者 熊兵 晁恩飞 +6 位作者 罗毅 孙长征 韩彦军 王健 郝智彪 汪莱 李洪涛 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第7期64-69,共6页
超宽带单行载流子(UTC)光电探测器因其仅需快速的电子输运过程,较传统PIN探测器具有明显宽带优势,是6G宽带无线通信、太赫兹成像、超宽带噪声发生器等亚太赫兹频段系统中的核心光电子器件之一。面向亚太赫兹频段光电转换需求,针对UTC探... 超宽带单行载流子(UTC)光电探测器因其仅需快速的电子输运过程,较传统PIN探测器具有明显宽带优势,是6G宽带无线通信、太赫兹成像、超宽带噪声发生器等亚太赫兹频段系统中的核心光电子器件之一。面向亚太赫兹频段光电转换需求,针对UTC探测器中大带宽与高饱和功率之间的矛盾问题,分别研究并突破了光生载流子高速输运机理、感性共面波导器件(CPW)结构等关键技术,研制成功带宽106 GHz、饱和输出功率7.3 dBm的双漂移层结构MUTC探测器芯片,和带宽超过150 GHz的超宽带MUTC探测器芯片。 展开更多
关键词 光探测器 单行载流子结构 亚太赫兹 高饱和功率
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微型化原子磁力仪灵敏度上限的原子气室尺寸依赖性分析 被引量:2
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作者 王皓 熊兵 +7 位作者 郝智彪 罗毅 齐京 孙长征 汪莱 王健 韩彦军 李洪涛 《真空》 CAS 2015年第4期70-74,共5页
本文通过分析碱金属原子在原子气室中的自旋弛豫作用,得出了原子磁力仪灵敏度上限受气室尺寸影响的理论模型。计算了不同气室尺寸下,工作物质为87Rb、工作温度为383.15 K时缓冲气体Ar的最优压强,此压强值随气室尺寸减小而快速增大。在... 本文通过分析碱金属原子在原子气室中的自旋弛豫作用,得出了原子磁力仪灵敏度上限受气室尺寸影响的理论模型。计算了不同气室尺寸下,工作物质为87Rb、工作温度为383.15 K时缓冲气体Ar的最优压强,此压强值随气室尺寸减小而快速增大。在此基础上,计算了不同气室尺寸下磁力仪灵敏度上限。结果表明,磁力仪灵敏度上限随原子气室尺寸减小而快速恶化,当气室直径由1 cm减小到0.1 cm时,磁力仪灵敏度上限由0.4 p T Hz-1/2恶化为15 p T Hz-1/2。 展开更多
关键词 原子磁力仪 自旋弛豫 灵敏度
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量子级联波长上转换系统红外响应特性研究
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作者 罗毅 郝智彪 +10 位作者 王磊 康健彬 汪莱 熊兵 孙长征 王健 韩彦军 李洪涛 王禄 王文新 陈弘 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第1期14-19,共6页
通过对波长上转换红外探测过程的分步测试和理论计算,对量子级联波长上转换器件与系统的红外响应特性进行了深入的研究。结果表明:量子级联波长上转换红外探测器件可以在较低的本底发光下实现较强的红外响应。上转换器件的响应度在平带... 通过对波长上转换红外探测过程的分步测试和理论计算,对量子级联波长上转换器件与系统的红外响应特性进行了深入的研究。结果表明:量子级联波长上转换红外探测器件可以在较低的本底发光下实现较强的红外响应。上转换器件的响应度在平带偏压附近迅速增加,且红外光转换为上转换器件电流的线性度良好。对于波长上转换器件的近红外发光过程,文中应用ABC模型,获得了与测试结果非常一致的系统响应电流与电流转换效率,并合理地解释了波长上转换红外探测系统的非线性响应特征。 展开更多
关键词 上转换 级联输运 响应特性 线性度 ABC模型
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利用表面微结构提高波长上转换红外探测器效率
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作者 王超 郝智彪 +12 位作者 王磊 康健彬 谢莉莉 罗毅 汪莱 王健 熊兵 孙长征 韩彦军 李洪涛 王禄 王文新 陈弘 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期319-324,共6页
波长上转换红外探测器具有实现大面阵焦平面的优势,但光提取效率是制约器件整体效率的关键因素之一.本文主要研究利用表面微结构来提高波长上转换红外探测器的效率.首先通过仿真计算研究了表面微结构参数对光提取效率的影响,然后基于优... 波长上转换红外探测器具有实现大面阵焦平面的优势,但光提取效率是制约器件整体效率的关键因素之一.本文主要研究利用表面微结构来提高波长上转换红外探测器的效率.首先通过仿真计算研究了表面微结构参数对光提取效率的影响,然后基于优化设计的参数,采用聚苯乙烯纳米球掩膜刻蚀的方法制作了具有圆台型表面微结构的波长上转换红外探测器.测试结果表明,具有表面微结构的器件的光提取效率比无表面微结构的器件提高了130%.本文制作表面微结构的方法可以实现波长上转换红外探测器件整体效率的提高. 展开更多
关键词 波长上转换 表面微结构 纳米球 光提取效率
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基于宽禁带氮化物的微腔光频梳进展(特邀)
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作者 孙长征 郑焱真 +6 位作者 熊兵 汪莱 郝智彪 王健 韩彦军 李洪涛 罗毅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期18-24,共7页
微腔光频梳在光谱测量、微波光子学、光学原子钟和相干光通信等领域具有重要的应用。宽禁带氮化物半导体材料,如氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等属于非中心对称晶体,具有二阶和三阶光学非线性系数,宽带的透明窗口以及与蓝宝石衬底较高的折... 微腔光频梳在光谱测量、微波光子学、光学原子钟和相干光通信等领域具有重要的应用。宽禁带氮化物半导体材料,如氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等属于非中心对称晶体,具有二阶和三阶光学非线性系数,宽带的透明窗口以及与蓝宝石衬底较高的折射率差,使其成为研究非线性光子器件的理想平台。文中介绍了氮化物微腔的特性,同时对基于氮化物微腔光梳的相关研究进展,包括Al N微腔中的宽谱光频梳产生和光学参量振荡、GaN微腔中的孤子光频梳产生等进行了介绍和展望。 展开更多
关键词 氮化铝 氮化镓 光频梳 光学微腔
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表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理
8
作者 王磊 王嘉星 +2 位作者 汪莱 郝智彪 罗毅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期650-652,718,共4页
研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱(XPS)测试结果显示:氧... 研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱(XPS)测试结果显示:氧元素含量明显降低,表明这三种溶液可以有效地去除AlGaN表面氧化层,其中CS3CSNH2效果最佳;Ga3d峰位在表面处理后发生蓝移现象,相当于AlGaN表面处的费米能级向导带一侧移动,使电子在隧穿过程中的有效势垒高度降低。以上两个因素均对优化AlGaN/GaN欧姆接触有十分重要的意义。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN异质结 表面处理 欧姆接触 XPS能谱
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超宽带光电子芯片技术研究
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作者 熊兵 刘学成 +7 位作者 晁恩飞 孙长征 韩彦军 王健 郝智彪 汪莱 李洪涛 罗毅 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第1期56-60,共5页
超宽带光电子芯片是下一代无线通信、先进电子信息装备中光纤传输与信号处理的关键元器件,芯片中光子、电子、电磁场之间的相互作用是决定芯片性能的核心因素。文章通过介绍超宽带光电探测器芯片、电光调制器芯片等方面的研究进展,分享... 超宽带光电子芯片是下一代无线通信、先进电子信息装备中光纤传输与信号处理的关键元器件,芯片中光子、电子、电磁场之间的相互作用是决定芯片性能的核心因素。文章通过介绍超宽带光电探测器芯片、电光调制器芯片等方面的研究进展,分享课题组在破解上述核心科学问题、提高芯片性能的关键技术方案。 展开更多
关键词 光电子芯片 光探测器 电光调制器
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基于朗伯型反射微结构的LED室内照明光源设计 被引量:7
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作者 张伟望 韩彦军 +6 位作者 罗毅 李洪涛 王健 孙长征 郝智彪 熊兵 汪莱 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第1期118-123,共6页
提出了一种基于朗伯型反射面的LED间接照明系统,即LED光源出射的光全部通过朗伯型反射面反射后再照射目标区域,该系统具有光源亮度均匀、灯具效率高等优点,很好地解决了高亮度LED点光源给室内照明带来的眩光问题。首先提出了一种能够很... 提出了一种基于朗伯型反射面的LED间接照明系统,即LED光源出射的光全部通过朗伯型反射面反射后再照射目标区域,该系统具有光源亮度均匀、灯具效率高等优点,很好地解决了高亮度LED点光源给室内照明带来的眩光问题。首先提出了一种能够很好逼近朗伯反射面的复合型微结构表面,并通过Lighttools光学仿真对其分布参数进行了优化,使最终结果在不同光线入射角的情况下,都具有较理想的余弦反射特性。在此基础上,设计了整体光学系统,使其实现了近180°范围的角度亮度的均匀性和高达84.7%的灯具效率,验证了间接照明方法的可行性。 展开更多
关键词 LED 室内照明 朗伯型反射面 微结构 光学仿真
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基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器 被引量:5
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作者 郭智博 汪莱 +1 位作者 郝智彪 罗毅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1089-1092,共4页
制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×... 制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。 展开更多
关键词 ALGAN GAN高电子迁移率晶体管 氢气传感 灵敏度 恢复特性
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基于介质超表面的宽谱、大偏转角近红外光束偏转器 被引量:3
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作者 程宏 李洪涛 +6 位作者 韩彦军 孙长征 郝智彪 熊兵 汪莱 王健 余佳东 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1873-1880,共8页
设计了一种适合集成的基于介质超表面的透射式光束偏转器,可在1550 nm附近的红外波段实现大角度偏转,同时具有宽光谱、高效率的优势。根据广义斯涅尔定律设计并优化了光束偏转器的结构,由横截面为梯形的非晶硅纳米柱周期性排列在石英玻... 设计了一种适合集成的基于介质超表面的透射式光束偏转器,可在1550 nm附近的红外波段实现大角度偏转,同时具有宽光谱、高效率的优势。根据广义斯涅尔定律设计并优化了光束偏转器的结构,由横截面为梯形的非晶硅纳米柱周期性排列在石英玻璃衬底上构成,相比于传统超表面采用多个纳米柱实现离散的相位梯度,梯形纳米柱形成的连续相位梯度可以获得更好的偏转特性。利用时域有限差分算法对光束偏转器的效率、偏转角、宽光谱和入射角度依赖性等性能进行了仿真分析,采用电子束光刻等工艺制备加工出上述器件并进行了测试。仿真结果表明偏转器在1350~1650 nm波段均具备良好的偏转特性,平均透射率高于87%,平均偏转率为81%;器件在1550 nm处实现了42.8°的大偏转角,透射率为84%,偏转率为80%,且允许入射角度在-10°~5°变化。实验测试结果表明对于1550 nm波长,光束偏转角度在41°附近,器件透射率约为76%,约35%的入射光偏转到目标角度。上述方案为近红外超表面器件的设计提供了新的思路,实现了效率、偏转角和适用波长的优化,透射式光路更加适合集成,应用潜力更大。 展开更多
关键词 近红外 宽光谱、大偏转角 光束偏转器 介质超表面 梯形纳米柱
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红外波长上转换器件中载流子阻挡结构的研究 被引量:2
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作者 康健彬 郝智彪 +11 位作者 王磊 刘志林 罗毅 汪莱 王健 熊兵 孙长征 韩彦军 李洪涛 王禄 王文新 陈弘 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期398-405,共8页
复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响.本文针对一种新型的波长上转换红外探测器,研究了载流子阻挡结构对载流子分布和器件特性的影响.论文通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程和载流子速率方程分... 复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响.本文针对一种新型的波长上转换红外探测器,研究了载流子阻挡结构对载流子分布和器件特性的影响.论文通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程和载流子速率方程分析了不同器件结构中的空穴分布.同时,生长了相应结构的外延材料,并通过电致荧光谱分析了载流子阻挡结构对器件特性的影响.结果表明,2 nm厚的AlAs势垒层既能有效阻挡空穴又不影响电子输运,有利于制作波长上转换红外探测器.此外,论文分析了阻挡势垒层的厚度和高度以及工作温度对载流子分布的影响.本文研究结果亦可应用于其他载流子非均匀分布的半导体器件. 展开更多
关键词 波长上转换 载流子分布 阻挡结构 电致荧光
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发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响
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作者 康健彬 王磊 +12 位作者 郝智彪 王超 谢莉莉 罗毅 汪莱 王健 熊兵 孙长征 韩彦军 李洪涛 王禄 王文新 陈弘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期281-286,共6页
波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发... 波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率. 展开更多
关键词 波长上转换 量子阱 发光效率 载流子分布
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Advances in neuromorphic computing:Expanding horizons for AI development through novel artificial neurons and in-sensor computing
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作者 杨玉波 赵吉哲 +11 位作者 刘胤洁 华夏扬 王天睿 郑纪元 郝智彪 熊兵 孙长征 韩彦军 王健 李洪涛 汪莱 罗毅 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期1-23,共23页
AI development has brought great success to upgrading the information age.At the same time,the large-scale artificial neural network for building AI systems is thirsty for computing power,which is barely satisfied by ... AI development has brought great success to upgrading the information age.At the same time,the large-scale artificial neural network for building AI systems is thirsty for computing power,which is barely satisfied by the conventional computing hardware.In the post-Moore era,the increase in computing power brought about by the size reduction of CMOS in very large-scale integrated circuits(VLSIC)is challenging to meet the growing demand for AI computing power.To address the issue,technical approaches like neuromorphic computing attract great attention because of their feature of breaking Von-Neumann architecture,and dealing with AI algorithms much more parallelly and energy efficiently.Inspired by the human neural network architecture,neuromorphic computing hardware is brought to life based on novel artificial neurons constructed by new materials or devices.Although it is relatively difficult to deploy a training process in the neuromorphic architecture like spiking neural network(SNN),the development in this field has incubated promising technologies like in-sensor computing,which brings new opportunities for multidisciplinary research,including the field of optoelectronic materials and devices,artificial neural networks,and microelectronics integration technology.The vision chips based on the architectures could reduce unnecessary data transfer and realize fast and energy-efficient visual cognitive processing.This paper reviews firstly the architectures and algorithms of SNN,and artificial neuron devices supporting neuromorphic computing,then the recent progress of in-sensor computing vision chips,which all will promote the development of AI. 展开更多
关键词 neuromorphic computing spiking neural network(SNN) in-sensor computing artificial intelligence
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薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性
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作者 邹翔 汪莱 +3 位作者 裴晓将 赵维 王嘉星 罗毅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期165-167,共3页
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧... 制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧壁进行了钝化。测试结果表明,结面积为1.825×10-4cm2的器件在-1V时的反向漏电流面密度为3.0×10-9 A/cm2,优质因子达到3.7×109Ω.cm2。 展开更多
关键词 GAN P-I-N 紫外探测器 优质因子 反向漏电
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GaN基三维结构生长与器件应用
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作者 王珣 汪莱 +6 位作者 郝智彪 罗毅 孙长征 韩彦军 熊兵 王健 李洪涛 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1984-1995,共12页
目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题。为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN。其中,基于传... 目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题。为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN。其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究。本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理。接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性。最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 三维结构 无荧光粉白光 效率下降
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热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响
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作者 刘中涛 韩彦军 +4 位作者 张贤鹏 薛小琳 陈栋 汪莱 罗毅 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期507-511,515,共6页
系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为In... 系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低。提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释。 展开更多
关键词 p-InGaN/GaN异质结 退火 光致荧光 欧姆接触
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GaN基高速蓝绿光光源的研究进展
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作者 李振浩 汪莱 +6 位作者 郝智彪 罗毅 孙长征 韩彦军 熊兵 王健 李洪涛 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期405-429,共25页
随着射频通信频谱资源的逐渐饱和,局域范围内高速通信亟需开辟一条新的赛道,而可见光通信得益于光的大带宽本质和通信范围有限而频谱免许可,是传统通信的理想补充之一。GaN基蓝绿光发光光源近十年来的快速发展,特别是性能优良的小尺寸... 随着射频通信频谱资源的逐渐饱和,局域范围内高速通信亟需开辟一条新的赛道,而可见光通信得益于光的大带宽本质和通信范围有限而频谱免许可,是传统通信的理想补充之一。GaN基蓝绿光发光光源近十年来的快速发展,特别是性能优良的小尺寸高速光源micro-LED的发展,使其成为“万物互联”的物联网时代终末端通信的重要促进力量。文章分蓝绿光micro-LED和带有谐振腔的GaN基蓝绿光光源(含超辐射发光二极管和激光器)两个主要类别,回顾了蓝绿光高速光源的发展历程和最新进展,主要包括micro-LED结构与阵列、面发射腔增强光源、边发射腔增强光源三个方面。 展开更多
关键词 光通信 氮化镓 高速 micro-LED 谐振腔
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铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
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作者 胡懿彬 郝智彪 +3 位作者 胡健楠 钮浪 汪莱 罗毅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期826-829,共4页
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的... 采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。 展开更多
关键词 PA-MBE ALN Al插入层 SI衬底
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