磁流变抛光材料去除的研究

磁流变抛光是近十年来的一种新兴的先进光学制造技术 ,它利用磁流变抛光液在梯度磁场中发生流变而形成的具有粘塑行为的柔性“小磨头”进行抛光。被抛光光学元件的材料去除是在抛光区内实现的。首先简要阐述了磁流变抛光的抛光机理 ,然后利用标准磁流变抛光液进行抛光实验。研究了磁流变抛光中几种主要工艺参数对抛光区的大小和形状以及材料去除率的影响情况。最后给出了磁流变抛光材料去除的规律。

B^(3+)+He碰撞过程中电子捕获几率的计算

利用分子轨道展开方法对B3+离子和He原子的碰撞势能进行了计算并与实验值做了比较,在确认了所使用的参数完全准确可靠的情况下。

S_3分子的结构与最可几解离过程理论研究

用量子化学从头算方法 ,计算得到了 S3分子优化的几何结构 (基态和几个低激发态 ) ;研究了其在 C2 v与 Cs群对称性下的解离过程 ,给出两种群对称性下基态和激发态的势能曲面及等高投影图 ;

S_4分子结构和振动光谱的从头算

利用量子化学的从头算方法 ,在 6 31 1 +G 基组下 ,分别应用HF ,MP2 ,BLYP ,B3LYP方法优化各种可能的S4分子构型 ,计算各构型的振动光谱 ,并在HF 6 31 1 +G 优化的几何结构基础上 ,分别在MP4 6 31 1 +G 和QCISD(T) 6 31 1 +G 水平上考虑相关能修正对总能量的影响 .比较各种方法计算的几何结构的差别和各构型的相对稳定性 ,得出顺式平面C2v对称构型为基态的结论 .计算表明 ,确定该类分子的基态构型必须考虑电子关联效应的影响 ,B3LYP是计算该类分子既经济又实用的方法 .

矩形口径离轴非球面在数控加工过程中的检测

介绍了空间相机中的离轴非球面第三反射镜 (矩形口径 )在数控加工过程中在研磨和抛光阶段的检测情况。利用自行研制的非球面测量机对研磨阶段离轴非球面的面形精度进行了测量 ,其最后的研磨精度达到了 1 μm(RMS)。抛光阶段离轴非球面的检测采用的是补偿法 ,其中零位补偿器是补偿检验的关键元件。该离轴非球面的最终面形达到了在 2 0 0mm通光口径内约λ/30的精度 (λ=0 .632 8μm)。

磁流变抛光液的研制

磁流变抛光是近十年来新兴的一种先进光学制造技术。首先简要介绍了磁流变抛光的抛光机理。然后对在磁流变抛光中起重要作用的磁流变抛光液的组成、流变性和稳定性进行了研究。在外加磁场强度高于 3 18kA m时 ,磁流变抛光液的剪切应力大于 2 0kPa ,该应力足以完成磁流变抛光。最后给出一个磁流变抛光的实例 ,证明了磁流变抛光液的实用性。实验中磁流变抛光的最大材料去除率约为 0 .2 μm s。

C_2F_5I分子C—I键解离的自旋-轨道从头算研究

采用考虑相对论效应的6-311G**全电子基组与多参考微扰理论,计算了该分子的包含自旋-轨道耦合效应的垂直激发能和基态、激发态C—I键解离势能曲线.理论计算发现,势能曲线33A″与11A″,21A′出现交叉,交叉区域在C—I键长为0.241nm附近;基态11A′到激发态33A″(3Q0)的垂直激发能为4.658eV,与实验值4.662eV非常吻合.讨论了C2F5I分子作为碘激光介质的可行性.

金刚石(111)面上乙炔合成金刚石薄膜的成核机理

运用量子力学半经验分子轨道ＡＭ１方法计算乙炔作为生长基在金刚石（１１１）附氢表面上的吸附和成核过程，提出了两种可能的由乙炔合成金刚石薄膜的成核机理。

C/H_2O复合微粒子的光学截面及发射率光谱计算

使用A.L.Aden和M.Kerker理论计算了C/H_2O复合微粒子在1.0～10.0μm红外波段的吸收、散射、消光截面及发射率光谱,给出了吸收、消光截面与碳粒子半径和水层厚度关系曲线,研究了发射率与碳粒子半径和水层厚度的关系。

类硼离子N^(2+)光电离的R-矩阵理论计算

本文首次运用R 矩阵理论方法 ,分别在单通道近似和三态密耦近似下计算了离子N2 + 基态(1s2 2s2 2 p) 2 P的不同过程、不同分波的光电离截面及各分波的光电离截面随有效量子数的变化规律。在三态密耦近似下 ,由于大量的自电离态与连续态的相互作用 ,计算结果显示了光电离过程中非常丰富的Rydberg系列共振结构 ,是以前的理论计算中所从未涉及到的。

激光场中H原子的多光子电离速率

建立了激光与原子相互作用的伪分立态模型 ,并用此模型计算了激光场中 H原子的多光子电离速率。对于光子能量较小的激光 ,计算结果与其它理论计算结果相符合。

EuC分子的电子态结构和稳定性理论研究

本文分别采用Gaussian98程序的密度泛函B3LYP方法和Gamess程序的CAS-MCSCF方法,研究了EuC分子的结构问题。两种方法均得到了12重态是EuC分子的基态的结论。基于B3LYP方法,得到12∑+态的LUMO和HOMO能量差达到3·689eV,明显的高于其他多重度的结果。基于MCSCF方法的结果显示,需要进一步的考虑相对论效应修正以及增大活性空间的尺寸将会得到对高自旋电子态更为可靠的结论。

金刚石(111)面上乙炔生长金刚石薄膜的机理

运用量子力学半经验分子轨道AM1方法，计算乙炔作为生长基在金刚石（111）附氢表面上存在核结构时的外延生长过程，结果表明，乙炔是金刚石（111）表面外延生长的有效生长基之一。

MCDF程序包和电偶极辐射跃迁几率的相对论计算程序

本文讨论如何利用Grant等多组态Dirac—Fock(MCDF)程序包(1980)中的现成资源,依据相对论辐射跃迁的普遍理论,计入组态相互作用和跃迁中的轨道驰豫效应,在Coulomb规范和长度规范下,续编原子的电偶极辐射跃迁几率的计算程序。

锂原子激发态(1s^22p)~2P的光电离的R-矩阵计算

本文首次运用 R-矩阵理论方法 ,分别在单通道近似和三态密耦近似下计算了锂原子 L i激发态(1 s2 2 p) 2 P的不同过程、不同分波的光电离截面及分波的光电离截面随有效量子数的变化规律 .在三态密耦近似下 ,由于大量的自电离态与连续态的相互作用 ,计算结果显示了光电离过程中非常丰富的 Rydberg系列共振结构 。

A_a－B_b型缩聚反应的0－次和1－次回转半径

Ａ_ａ－Ｂ_ｂ型缩聚反应的０－次和１－次回转半径巴信武，李泽生潘守甫（吉林大学理论化学研究所长春，１３００２３）（吉林大学原子与分子物理研究所）关键词缩聚反应，回转半径，差分方法高分子回转半径是表征高分子尺度的重要物理量，Ｄｏｂｓｏｎ和Ｇｏｒｄｏｎ［１...

硅(100)非重构表面上乙炔吸附反应的理论研究

采用量子力学 AM1半经验分子理论轨道方法计算了在 Si(1 0 0 )非重构光滑附氢表面上乙炔化学吸附反应过程中的体系生成热 ,由此得到各步骤反应的活化焓和反应热数值。结果表明 ,乙炔分子容易在 Si(1 0 0 )表面上形成稳定的双位 σ键吸附。

类锂离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数

在库仑-玻恩交换近似及由我们改善了屏蔽常数定义和算法的Z标度类氢模型下,计算了类锂CⅣ、NⅤ和OⅥ离子的内、外壳层电子被入射电子碰撞的直接电离和非直接的激发自电离截面和速率系数。与实验结果比较,对于CⅣ、NⅤ和OⅥ,我们的计算截面值的最大相对误差分别不超过3％、11％和20％,并随入射电子能量的增加误差越来越小。与其它的理论结果相比,随着Z增加,我们计算的速率系数与实验结果符合得更好些。

SSCH_3光解离的多参考理论计算

运用多参考微扰理论(Mu ltireference Mller-P lesset theory)计算了SSCH3垂直激发能及其S—C与S—S两种断键方式的绝热(Ad iabatic)与非绝热(D iabatic)的基态和激发态势能曲线,研究了在193 nm激光作用下SSCH3的光解离过程,理论计算值与实验值相符.

金刚石(111)光滑表面上甲基合成金刚石薄膜的成核生长机理

运用量子力学半经验分子轨道 AM1方法 ,计算了金刚石 (1 1 1 )光滑表面上甲基合成金刚石薄膜的成核和生长反应过程的机理 ,给出反应体系和过渡态的能量 .结果表明 ,甲基是金刚石 (1 1 1 )