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高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si TFT 被引量:7
1
作者 熊绍珍 孟志国 +6 位作者 代永平 周祯华 张建军 莫希朝 李德林 赵庚申 徐温元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期130-135,共6页
本文报道了采用倒置交错结构(Ta/(Ta2O5)SiNx/in+a-Si/A1)的TET矩阵研究结果.其关态电流(I_off(-5V))在5—7×10 ̄-14A(对W/L=10),开态电流I_on(Z0V)大于10... 本文报道了采用倒置交错结构(Ta/(Ta2O5)SiNx/in+a-Si/A1)的TET矩阵研究结果.其关态电流(I_off(-5V))在5—7×10 ̄-14A(对W/L=10),开态电流I_on(Z0V)大于10μA,I_on/Ioff在108量级,场效应迁移率可达0.79cm2/V.s. 展开更多
关键词 液晶显示屏 高开关比 非晶硅 开关
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Al栅a-Si TFT栅绝缘膜研究 被引量:5
2
作者 熊绍珍 谷纯芝 +6 位作者 李峻峰 周桢华 孟志国 代永平 张建军 丁世斌 赵颖 《光电子技术》 CAS 1995年第2期116-121,共6页
Al栅可明显降低AM-LCD中a-SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟,有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的阳极氧化技术,获得了适于a-SiTFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。
关键词 Al栅 非晶硅 薄膜晶体管 阳极氧化 栅绝缘膜
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a—Si TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究 被引量:2
3
作者 熊绍珍 张建军 +6 位作者 周祯华 孟志国 戴永平 谷纯芝 马京涛 丁世斌 赵庚申 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期257-262,共6页
研究了Ta的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管(a─SiTFT)的复合栅绝缘层Ta2O5厚度,膜质均匀、性能优良,使复合栅绝缘层a─SiTFT的开启电压(VT)控制在3─5V之间,开关电流比(... 研究了Ta的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管(a─SiTFT)的复合栅绝缘层Ta2O5厚度,膜质均匀、性能优良,使复合栅绝缘层a─SiTFT的开启电压(VT)控制在3─5V之间,开关电流比(I(on)/I(off))大于107,场效应迁移率为0.86cm2/V·S. 展开更多
关键词 阳极氧化 五氧化二钛 薄膜晶体管
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a-Si PIN太阳能电池中PI间缓冲层的作用 被引量:2
4
作者 熊绍珍 孟志国 +5 位作者 王玉冰 王广才 孙云 王宗畔 孙钟林 徐温元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期39-43,共5页
本文测量了电池表观禁带宽度E_g^(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼... 本文测量了电池表观禁带宽度E_g^(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼顾电池性能与稳定性而优化选择缓冲层的厚度。 展开更多
关键词 太阳能电池 非晶硅 PI层 缓冲层
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Al:Ti合金栅a-Si TFT研究 被引量:1
5
作者 熊绍珍 赵颖 +6 位作者 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期771-775,共5页
本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a-SiTFT中的应用.所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6.6μΩ·cm,与纯铝的相近.Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强,有效地抑制了小丘(Hillock)的产生和阳极氧化时的... 本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a-SiTFT中的应用.所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6.6μΩ·cm,与纯铝的相近.Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强,有效地抑制了小丘(Hillock)的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象.采用Al∶Ti合金栅和Al2O3/SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a-SiTFT相近的I-V参数,但前者稳定性明显提高.经+10V栅偏压处理1小时,未见VT漂移.这种双层冗余技术还能有效提高成品率. 展开更多
关键词 半导体 铝钛合金栅 硅栅器件 α-硅 TFT
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低缺陷TFT-LCD研究 被引量:2
6
作者 熊绍珍 赵颖 +1 位作者 孟志国 孙钟林 《光电子技术》 CAS 1996年第4期321-331,共11页
综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的系列研究工作。它包括材料及器件优化研究,冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-si界面的氢化处理Al:Ti栅金属及其AI/Ta、Al_2O_3/SiN... 综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的系列研究工作。它包括材料及器件优化研究,冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-si界面的氢化处理Al:Ti栅金属及其AI/Ta、Al_2O_3/SiNx双绝缘层、低温致密ITO及AI腐蚀相容性工艺以及TFT动态特性研究等手段,所研制的200×151象素的TFT矩阵可基本消除线缺陷仅存少量点缺陷。最后给出用我们研制的TFT-LCD屏所显示的电视效果。 展开更多
关键词 非晶硅 薄膜晶体管 氢化处理
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非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量
7
作者 熊绍珍 耿新华 +4 位作者 周启明 王玉冰 孟志国 孙仲林 徐温元 《电子科学学刊》 EI CSCD 1990年第1期57-64,共8页
提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生(?)流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模... 提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生(?)流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性. 展开更多
关键词 非晶硅 太阳能电池 载流子 测量
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单结a-Si太阳电池稳定性的研究
8
作者 熊绍珍 王玉冰 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期15-19,共5页
本文报道了单结非晶硅太阳电池稳定性研究结果,对S-W效应在总衰退中所占的比重进行了分析,结合工艺提出了几项与改善电池稳定性有关的措施,最后对a-Si材料和电池稳定性的前景作了讨论。
关键词 电池 太阳能 单结 α-Si 稳定性
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2.7" a-Si TFT矩阵
9
作者 熊绍珍 孟志国 +4 位作者 代永平 周祯华 张建军 李庄诚 卢桂章 《液晶通讯》 1993年第3期88-93,共6页
本文报导了a-Si TFT矩阵的制备及其性能。TFT的有源层是在一高真空低漏气体的分室连续沉积PECVE系统中制备而得,本文详细研究了漏气体与换气体对TFT的关态电流的影响。在目前水平下可使Ioll,(V0=-5V)降至10^10A的数量级。本文同时研... 本文报导了a-Si TFT矩阵的制备及其性能。TFT的有源层是在一高真空低漏气体的分室连续沉积PECVE系统中制备而得,本文详细研究了漏气体与换气体对TFT的关态电流的影响。在目前水平下可使Ioll,(V0=-5V)降至10^10A的数量级。本文同时研究了提高开态电流的若干途径及实验结果。为获得高性能参数啊矩阵,I层及其与SiNx绝缘层的界面是至关重要的。所研究矩阵含196×144个元件,该TFT的宽长比(W/L)为10:1。我们组装了a-Si TFT-LCD样品,采用的是常规TN型液晶材料,驱动方式采用准静态驱动,用计算机控制该类AM-LCD的显示动作,可得到良好的显示效果。 展开更多
关键词 TFT-LCD 有源层 显示效果 液晶材料 元件 准静态 矩阵 连续 数量级 气体
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TFT LCD数模混合适配器
10
作者 熊绍珍 黄宇 +4 位作者 赵颖 王峻松 周祯华 莫希朝 张苑岳 《现代显示》 1997年第2期45-48,共4页
利用常见芯片加以改造设计制造了一个TFTLCD计算机显示适配器。其控制器用数字电路,而驱动器是模拟方式的,并在现有芯片基础上实现了多灰度级,还编制了较为完善的软件系统。
关键词 薄膜晶体管 TFTLCD 适配器 液晶显示器 计算机
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气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究 被引量:14
11
作者 张晓丹 朱锋 +8 位作者 赵颖 侯国付 魏长春 孙建 张德坤 任慧志 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ; 展开更多
关键词 VHF-PECVD 制备方法 气压 μc-Si:H 薄膜 微晶硅材料 太阳能电池 光致衰退效应 SWE
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1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用 被引量:14
12
作者 张晓丹 张发荣 +5 位作者 赵颖 陈飞 孙建 魏长春 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期209-212,共4页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜太阳电池 高沉积速率 化学气相沉积技术
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聚合物发光器件中输运特性的模拟分析 被引量:7
13
作者 熊绍珍 赵颖 +6 位作者 吴春亚 郝云 王跃 陈有素 杨恢东 周祯华 俞钢 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1176-1181,共6页
对聚合物发光二极管 I- V特性的测量发现 ,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性 .模拟分析表明 ,一种反向势垒的存在及其击穿 ,应是引起负阻现象的原因 .缺陷态的存在及其电荷填充的变... 对聚合物发光二极管 I- V特性的测量发现 ,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性 .模拟分析表明 ,一种反向势垒的存在及其击穿 ,应是引起负阻现象的原因 .缺陷态的存在及其电荷填充的变化 ,是导致 I- V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因 .而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质 :若为非欧姆接触 ,则 I- V曲线可用 F- N隧穿模型来描述 ;若为欧姆接触 ,则应用陷阱电荷限制电流 (TCL) 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 陷阱电荷限制电流模型 输运特性 发光器件
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PM-OLED驱动中的分场显示问题研究 被引量:12
14
作者 郭斌 吴春亚 +1 位作者 熊绍珍 张丽珠 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期182-188,共7页
提出了一种比率电流 +分场的概念 ,结合电流比率加分场的方法 ,设计了一种电流移位 (复用 )的驱动方法。这种电流比率 +电流移位的方法比现有的脉宽调制 (PWM )法结构简单、时序简化 ,容易电路集成。既保留PM OLED低成本的优点又达到较... 提出了一种比率电流 +分场的概念 ,结合电流比率加分场的方法 ,设计了一种电流移位 (复用 )的驱动方法。这种电流比率 +电流移位的方法比现有的脉宽调制 (PWM )法结构简单、时序简化 ,容易电路集成。既保留PM OLED低成本的优点又达到较高的灰度级显示 ,避免使用大的电流驱动。用较少的分级电流 (4个成比例电流 )实现较高的灰度级 (1 6级 ) ,实现了数字化显示 ,电流信号还可以避免串扰的影响。 展开更多
关键词 OLED 分场显示 被动矩阵 数字化驱动 电流比率 电流移位 有机发光二极管
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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析 被引量:6
15
作者 张晓丹 高艳涛 +9 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期56-59,64,共5页
本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。 展开更多
关键词 硅材料 硅薄膜 VHF-PECVD 有源层 微晶 晶向 电学特性 度条件 因子 不稳定性
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125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板 被引量:6
16
作者 孟志国 郭海成 +2 位作者 吴春亚 王文 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1514-1518,共5页
用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mmQVGA... 用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mmQVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板. 展开更多
关键词 大晶粒 碟型多晶硅 薄膜晶体管 有机发光像素电路 有源选址矩阵
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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量:5
17
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页
本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多
关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果
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纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响 被引量:5
18
作者 张晓丹 赵颖 +9 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期892-897,共6页
本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出 展开更多
关键词 纯化器 制备 光敏性 降低 硅薄膜 晶化 氧含量 VHF-PECVD 有源层 纳米硅
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池 被引量:7
19
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙健 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期952-957,共6页
采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料... 采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池
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复合绒面透明导电薄膜研究 被引量:5
20
作者 朱锋 周祯华 +5 位作者 熊绍珍 吴春亚 李洪波 麦耀华 薛俊明 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期344-347,共4页
在常规非晶硅电池绒面SnO2 衬底上 ,采用Zn∶Al重量比为 5 %的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO ,构成复合绒面SnO2 /ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度 ,既能保持SnO2 绒面效果 ,又可阻挡H离子对SnO2 的还原作用 ,可作为微晶硅电池的前电... 在常规非晶硅电池绒面SnO2 衬底上 ,采用Zn∶Al重量比为 5 %的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO ,构成复合绒面SnO2 /ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度 ,既能保持SnO2 绒面效果 ,又可阻挡H离子对SnO2 的还原作用 ,可作为微晶硅电池的前电极。文中对ZnO沉积条件以及复合膜的形貌、电光性能进行了讨论。 展开更多
关键词 SNO2 复合绒面膜 直流反应磁控溅射 透明导电薄膜 非晶硅电池
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