镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响

由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。

砷与农药草甘膦、敌敌畏对秀丽隐杆线虫的联合毒性

农田常遭受砷和农药污染,这2种污染会产生联合毒性,影响生物体健康。利用野生型秀丽隐杆线虫进行砷、草甘膦和敌敌畏的24h单一毒性和联合毒性实验。结果表明,砷、草甘膦和敌敌畏对秀丽隐杆线虫24h-LC50分别为130.5mg·L-1、18.5mg·L-1、3.3μL·L-1;通过等效毒性相加法实验,发现砷与草甘膦对秀丽隐杆线虫的联合毒性为协同作用,砷与敌敌畏对秀丽隐杆线虫的联合毒性为拮抗作用。

LED用GaAs抛光片清洗技术研究

伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大。研究了一种有效的直径5.08cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声湿法清洗工艺,使晶片表面达到了低表面颗粒度、极低表面金属离子浓度,并形成了较薄的富As氧化层表面。表面颗粒度通过Tencor6220测试大于0.3μm的颗粒少于10个,通过TXRF测试表面金属离子个数均控制在9×1010/cm2以内;通过台阶仪测量表面粗糙度为0.8nm,通过偏振光椭圆率测量仪测得均一的2nm厚表面氧化层。

PM_(2.5)对秀丽隐杆线虫的毒性效应

大气颗粒物PM2.5受到人们广泛关注,利用模式生物对PM2.5健康风险进行系统环境医学角度和生物监测实践的研究尚少。本文以秀丽隐杆线虫(Caenorhabditis elegans)为材料,于2012年4月初在长春市典型生活区采集PM2.5进行毒理学试验。结果表明,热休克蛋白基因hsp70缺失型突变体线虫受PM2.5影响较大,头摆、咽动和繁殖率等指标与胁迫强度存在较好的线性关系,PM2.5的毒性效应具有遗传特征,可影响子代幼体的发育。hsp70在机体对PM2.5的胁迫响应中作用明显,秀丽隐杆线虫突变体可作为PM2.5的指示生物,对PM2.5进行有效的快速风险评价。通过模式生物应激响应,发现PM2.5可能对人体行为、免疫以及生殖等方面都有不同程度的影响,本研究对大气污染区的环境风险预警与人体健康评价研究提供了理论视角和实践可能。

超薄锗单晶抛光片质量稳定性研究

P型超薄锗抛光片是制作空间太阳能电池的衬底材料,表面质量状态的稳定性控制对于后续外延及器件质量有着重要的影响。通过分析抛光工艺过程、清洗工艺过程、包装质量对稳定性的影响,首次提出了采用表面微观平坦度和表面雾值来衡量锗抛光片表面质量优劣和稳定性,对于提高锗抛光片加工水平和统一控制标准,具有重要的意义。

清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响

锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。

协同创新与地方新建本科院校的价值选择——评《地方新建本科院校协同创新与协同育人模式研究》

实施高等学校创新能力提升计划（简称“2011计划”）是我国为提升高等教育整体水平和高等教育质量,继“211工程”“985工程”之后实施的又一重大战略部署,对于促进我国高等教育持续健康发展具有重大意义。不仅知名高校要在加强协同创新、建设创新型国家中发挥主要作用,而且新建本科院校也要积极参与,主动作为。

河南省教育资源配置均衡化问题探析

教育资源均衡化配置是一个关乎全局的重要问题。以河南省为代表的中部传统农区教育资源配置的状况具有一定的典型意义。河南省教育资源配置不均衡,城乡间差异十分明显,主要原因在于社会上对教育与经济社会发展的重要关系认识不足、城乡经济发展不平衡、教育监管体系不健全等。只有通过转变发展观念、增加教育投入、鼓励教育投资多元化和完善教育资源配置的制度保障等措施才能从根本上实现教育资源均衡化发展,并推动教育事业的公平发展。

超薄硅片贴膜抛光技术研究

伴随着集成电路芯片的不断轻薄化,各种高质量的超薄抛光片衬底需求日益增加。介绍了一种简捷、方便的手动贴膜方法,并将其应用在200μm厚7.6cm硅单晶免清洗单面抛光片加工过程中,通过与粘蜡抛光相比较,发现贴膜抛光实用性更强、成品率更高且成本更低。

欧盟教育政策及对我国教育事业发展的启示

在全球化的趋势下,欧盟重视教育事业,制定了一系列保障教育事业发展的合理政策。当前欧盟教育政策执行方案中康美纽斯计划、伊拉斯谟斯计划和横向计划,分别从基础教育、高等教育和教育合作等方面对欧盟国家教育政策的制定、执行给予明确指导和规划,确保了欧盟教育政策的整体性和高效率。借鉴欧盟教育政策,我国教育事业要更好地适应经济社会的发展,应提升基础教育、职业教育以及高等教育质量和水平,优化教育资源配置,增强教育国际合作,最终实现我国教育事业的发展。

硅单晶抛光片边缘亮线研究

随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展，国内10～15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈，外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷，对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析，揭示了“边缘亮线”产生的机理，分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响，通过优化抛光工艺条件，消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。

大学生网络政治参与现状分析

大学生通过网络参与政治的行为多且涉及社会事务、政治、民生等方面,其网络政治参与呈现"关注"大于"参与"等特征,整体参与水平有待提高;应通过提升大学生的法律意识和道德意识,提升其自我约束能力,规范其网络政治参与行为来提升大学生的网络政治参与水平。

磷化铟单晶片抛光工艺研究

磷化铟是制作高速器件和电路、光电集成电路的重要衬底材料,其抛光片的表面质量对后续的外延及器件性能有着重要的影响。表面粗糙度作为表征表面质量的重要参数指标,需要在抛光过程中严格控制。分析了磷化铟单晶片的抛光机理,通过对比不同抛光工艺条件下的表面粗糙度状况,分析了抛光布表面结构对晶片表面粗糙度的影响,通过改进精抛布表面结构,加工出了表面粗糙度小于0.3 nm的磷化铟双面抛光片。

氮化镓外延用硅衬底问题研究

随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显。分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标,为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明了一定的方向。

浅析网络时代高校思想政治工作面临的挑战及对策

互联网具有数字化、信息化,开放性、全球性、虚拟性等文化特性,代表着时代的潮流,对青年学生产生了空前的吸引力,但同时也衍生出很多负面的影响。可以说,互联网的发展给高校思想政治工作既带来了新机遇,也带来了新挑战。面对这种现状,我们要积极采取对策,营造优良的网络文化,因势利导,努力开创思想政治教育的新局面。

传统平原农区推进城乡发展一体化的思考

在转变经济发展方式的要求下,传统平原农区面临着加快城乡一体化建设的任务。国内外一些地区在城乡发展过程中提供了许多有益的参考,在城乡规划、产业结构、社会保障、人口流动等方面都具有积极的借鉴意义。对于传统平原农区来说,在城乡一体化建设中,应注意因地制宜,发挥地域优势,在交通信息、教育卫生、就业保障、劳动力转移等方面进行突破,推动城乡一体化建设。

超薄锗片粘蜡工艺研究

超薄锗片是制作多结空间太阳能电池的主要衬底材料,随着空间卫星技术的不断发展,对高质量超薄锗抛光片的需求量正在逐年增加。粘蜡抛光是获得高平整度抛光片的主要手段,也是未来超薄大尺寸锗单晶片加工的必然选择。从涂蜡参数、烘烤条件、翻转吸头和压头参数影响等方面,研究蜡层厚度及均匀性和粘蜡后表面形变问题,通过调整参数,重新设计翻转吸头,确定了适合超薄锗片的粘蜡工艺,获得了高平整度的锗抛光片。

硅单晶片损伤层对抛光去除量的影响研究

硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料,随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展,对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出了更高的要求。研究表面损伤层与抛光去除量的关系,能够有效控制抛光去除量的大小,对于提高抛光片表面质量、控制生产成本、优化工艺条件具有重要的意义。通过恒定腐蚀法与化学机械抛光法相结合的方式分析了损伤层深度与去除量的关系,研究发现研磨片、碱腐蚀片和酸腐蚀片的表面损伤层深度依次降低,但均小于抛光去除量,依据损伤层模型,提出了抛光去除量取决于腐蚀后表面晶胞状况的观点。

重掺<100>硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究

重掺<100>硅单晶片抛光后经微分干涉显微镜观测,抛光片边缘区域存在条纹状起伏缺陷。通过分析条纹状起伏缺陷与重掺硅单晶中杂质的分布状况和<100>晶面本身腐蚀特性的关系,阐述了条纹状起伏缺陷形成的机理。通过工艺试验,对比了不同工艺条件下抛光片表面微观形貌状况,分析了抛光过程中各工艺条件对表面条纹起伏缺陷的影响,采用3步抛光工艺,得到了表面平整和一致性好的抛光片表面,抛光片边缘无条纹起伏缺陷。

吉林西部构建人工湿地处理污水的可行性与效益分析

本文分析了人工湿地处理污水的特点及其在吉林省西部应用的可行性,同时进行了效益分析:根据吉林西部生态环境特点,在城市及近郊地区构建人工湿地,不仅可取得废水处理的环保效益,而且取得改良盐碱地、遏制湿地退化的生态、社会效益,以及废水资源化用于灌溉、种植芦苇等经济作物的经济效益等。