王宇星 卜宪群 西汉刺史制度是一大创举

西汉是我国古代监察制度发展完善的重要时期。西汉统治者在继承秦制的基础上根据现实情况的变化,不断对地方监察制度进行调整,最终创立并发展了刺史制度。刺史制度大大强化了中央对地方的控制,有力维护了中央集权,对后世影响深远。

急性ST段抬高型心肌梗死后新发心房颤动与长期心血管不良事件的关系

目的术后心房颤动的发生被认为与心血管不良事件相关。文中探讨急性心肌梗死后心房颤动的发生与长期心血管不良事件的相关性。方法回顾性分析2014年1月至2017年5月在北京朝阳医院行急诊经皮冠状动脉介入治疗的483名急性ST段抬高型心肌梗死合并多支血管病变患者,并根据急性梗死后是否发生房颤分为房颤组(n=52)和非房颤组(n=431)。临床主要终点事件为长期心血管不良复合事件,包括心血管死亡和急性心衰发作或缺血性脑卒中入院;次要终点事件定义为30 d内心血管死亡。采用多因素logistic回归分析以及COX回归分析模型分析新发房颤与心血管死亡及不良事件的关系。结果相比于非房颤组,房颤组患者年龄更高[(62.2±12.6)岁vs(69.8±10.5)岁],总胆固醇[(4.6±1.1)mmol/L vs(4.0±0.9)mmol/L]、低密度脂蛋白胆固醇[(2.9±0.9)mmol/L vs(2.4±0.9)mmol/L]、射血分数更低[(59.2±11.3)vs(49.9±9.3)%],超敏C反应蛋白[5.2(2.2,11.0)mg/L vs 10.0(3.2,12.8)mg/L]、红细胞沉降率[7(4,15)mm/h vs 12(5.5,23.5)mm/h]、肌酐[75.8(64.5,88.0)μmol/L vs 96.5(69.3,143.1)μmol/L]、肌钙蛋白I[27.7(8.6,71.3)ng/mL vs 74.2(21.1,168.1)ng/mL]、SYNTAX积分以及GRACE积分均较高(P<0.05)。多因素logistic回归分析发现,新发房颤、年龄、超敏C反应蛋白、红细胞沉降率、入院肌酐水平、空腹血糖以及冠状动脉SYNTAX评分均为30 d心血管死亡的独立危险因素(P<0.05);而COX回归分析中发现新发房颤与长期心血管死亡、急性心衰发作和缺血性脑卒中发生的复合不良终点有关(HR=3.709,P<0.05)。新发心房颤动可提高GRACE评分预测临床预后效能,但差异无统计学意义(0.788 vs 0.767,P=0.08)。结论急性ST段抬高型心肌梗死合并多支血管病变患者急诊PCI术后新发心房颤动与30 d心血管死亡以及长期临床心血管不良事件有关。但新发房颤并不能增加GRACE评分预测价值。

磁控溅射制备CrN和CrMoN涂层的微观结构和性能研究

采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀(CFUMSIP)技术在M2工具钢和Si片表面沉积CrN和CrMoN梯度涂层,利用SEM、EDS、XRD、纳米压痕仪和摩擦磨损试验仪研究了薄膜组织、成分、相结构、硬度和摩擦磨损性能。结果表明,CrMoN涂层和CrN涂层呈现出fcc结构,CrMoN涂层的表面比CrN涂层更为紧凑致密。CrMoN涂层的纳米硬度和弹性模量高于CrN涂层,CrMoN涂层的摩擦系数和磨损率均小于CrN涂层。

经颅多普勒超声声学造影与经胸超声心动图造影对卵圆孔未闭右向左分流诊断的比较

目的比较经颅多普勒超声声学造影(c-TCD)和经胸超声心动图声学造影(c-TTE)对卵圆孔未闭(PFO)右向左分流(RLS)的诊断。方法选取PFO伴反常栓塞患者195例,均接受c-TTE和c-TCD检查。经肘前静脉注射激活盐水对比剂,观察记录PFO-RLS微泡数量并进行半定量分级。对上述2种检查至少1种结果为阴性的58例患者进一步行经食管超声心动图声学造影(c-TEE),以c-TEE的结果作为标准,分别对2种检查结果进行对照分析。结果 195例患者c-TCD和c-TTE对PFO-RLS的检出率分别为75.9%(148/195)、88.2%(172/195),差异有统计学意义(P<0.05)。对2种检查PFO-RLS半定量分级的χ2检验显示,Ⅰ级c-TCD阳性检出率高于c-TTE,差异有统计学意义(P<0.01);Ⅱ级c-TCD阳性率稍高于c-TTE,但差异未达到显著水平;Ⅲ级和Ⅳ级c-TTE阳性率高于c-TCD,差异有统计学意义(P<0.05)。195例患者中,有58例c-TCD或c-TTE结果为阴性并进行了c-TEE检查。以c-TEE结果作为标准,对比上述2种检查的准确性,结果显示c-TCD与c-TEE结果有显着差异,差异有统计学意义(P<0.01),c-TTE与c-TEE结果较为接近,差异无统计学意义。结论 c-TTE对PFO-RLS的检出阳性率优于c-TCD,可以作为临床筛查PFO的首选方法。

CrTiAlN薄膜的微观结构及其高温摩擦磨损性能

采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术,在M2高速钢表面制备CrTiAlN多层薄膜。利用XRD、SEM、EDS和球-盘式摩擦磨损试验机研究薄膜微观结构和高温摩擦磨损性能。结果表明:CrTiAlN薄膜均匀致密,呈FCC结构。高温摩擦磨损试验表明:从室温到600℃,随着温度升高,薄膜摩擦系数先增大后减小,磨损量和磨损率随着温度升高而增加,CrTiAlN薄膜在600℃环境下的磨损形式主要是氧化磨损和磨粒磨损。

磁控溅射制备CrMoAlN梯度薄膜的抗高温氧化性能

采用非平衡磁控溅射离子镀技术在M2工具钢和单晶Si表面沉积CrMoAlN梯度薄膜,并在静态空气中进行600、700、800、900℃的高温氧化实验。采用XRD、SEM、XPS、纳米压痕和划痕实验等研究,结果表明:CrMoAlN薄膜呈现与CrN相似的面心立方结构,主要以CrN、AlN和γ-Mo_2N形态存在。经800℃氧化2 h后,CrMoAlN薄膜基本保持常温时的晶体结构与力学性能。随着氧化温度继续升高,薄膜表层的MoO3加速挥发,破坏由Cr_2O_3和Al_2O_3组成的致密氧化层,薄膜表面出现细小孔隙,薄膜氧化程度加剧。经900℃氧化2 h后,CrMoAlN薄膜的力学性能和膜/基结合强度均出现明显下降。

薄板声辐射特性的数值模拟与分析

基于MATLAB工程软件,研究了薄板结构在简谐激振力下的表面声压分布状况,分析了激振频率、激振位置、薄板尺寸以及薄板阻尼等因素对薄板表面声压级的影响以及规律。研究表明,激振位置对于薄板的表面声压级响应影响较小,而阻尼对于响应的影响较大,且这种影响在激振频率较高时比较明显。

一种用于PWM控制Buck型DC-DC变换器的带隙基准源

在DC-DC转换器芯片设计中,用于产生参考电压的带隙基准精度直接影响芯片的控制精度,设计了一种用于低压型DC-DC转换器芯片内的基准电路。电路基于BJT的Widler型电压基准基本原理,经过理论分析和仿真模拟,采用东部BD0.35μm BCD工艺流片成功。在-40℃～160℃温度范围条件下进行仿真,当VIN=4.75 V,-25℃～160℃的温度系数是22×10-6/℃,低频下PSRR为-57.37 dB。电源电压从7.5 V～18 V的变化范围内,基准输出变化了0.03 mV/V。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。

不同碳氮源对香菇液体菌种生长的影响

以香菇‘沪香F2’为试验材料,探究了9种碳源配方和10种氮源配方对菌丝在固体培养基上生长速度、在液体培养基中菌丝生物量和发酵固形物体积比以及发酵完成时接种后菌丝在木屑试管中生长速度的影响。结果表明:在固体培养基上,以糖蜜为碳源时,菌丝生长速度最快,达6.10 mm∕d,以木糖为碳源时,菌丝生长速度最慢,仅3.84 mm∕d;以麸皮为氮源时,菌丝生长速度为4.01 mm∕d,以尿素为氮源时,菌丝生长速度最慢,仅3.19 mm∕d。在液体培养基中,以糖蜜为主要碳源时,菌丝生物量达8.04 g∕L,发酵固形物体积比达98.69%;以麸皮为主要氮源时,菌丝生物量达7.90 g∕L,发酵固形物体积比达96.57%。相关性分析发现,在不同碳源的固体培养基上,菌丝生长速度与菌丝生物量呈显著正相关;在不同氮源的液体培养基中,菌丝生物量与发酵固形物体积比呈显著正相关;不同碳氮源的菌丝生物量与菌丝接种后在木屑试管中的生长速度呈显著正相关。综上,糖蜜和麸皮是香菇液体菌种最佳的碳氮源组合。该研究结果可为工厂化香菇液体菌种原材料的选择提供参考。

汽车用铝合金5182-O态的工艺研究

通过试验研究出铝合金5182-O态生产工艺为:均匀化退火温度470℃,再结晶终了温度280℃。在试验条件下,产品力学性能和成形性能达到国标要求。

一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计

基于线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,提出了一种结构简单、适应不同开口方向的高阶补偿方法。并设计了一种基于电流镜结构的低温漂、高精度的电压基准电路。CSMC 0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,经高阶补偿的电压模基准,在-40～125℃温区范围内温度系数为2.84×10-6/℃,低频100 Hz时的PSRR达到-70.6 dB,10 kHz为-63.36 dB。当电源电压在2～3 V范围内变化时,其电压值波动为3 mV/V。整个带隙基准电压源具有较好的综合性能。

高精度低噪声的低压差线性稳压器设计

为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流片。仿真结果显示,LDO线性稳压器输出线性调整率为0.05%/V,负载调整率为5.5%,温度系数为1.8×10^-5/℃;10 GHz带宽以内的电源抑制比在低频下能达到98 dB,静态电流最高仅为32μA。测试结果表明,芯片可以在3.3~40 V电源电压下正常工作,输出电压为3.3或5 V,最大负载电流为150 mA,可应用于USB和便携电子产品等多种设备。

连铸连轧5052 H32板材的工艺研究

研究了冷轧变形程度、退火温度等因素对连铸连轧5052铝合金力学性能的影响,确定了连铸连轧5052铝合金H32状态板材的生产工艺参数,即冷变形加工率20%,稳定化退火温度160℃,保温时间2 h。通过连铸连轧5052坯料生产的H32状态产品能够满足国标的要求。

上呼吸道感染患儿咽后壁分泌物细菌培养及化脓性链球菌药敏试验结果分析

目的分析上呼吸道感染患儿咽后壁分泌物细菌培养及化脓性链球菌药敏试验结果。方法以2018年1—12月于平顶山市第一人民医院就诊的2880例上呼吸道感染患儿为研究对象。采用咽拭子刮取患儿咽后壁分泌物进行细菌培养及药敏试验,分析上呼吸道感染患儿病原菌分布情况及化脓性链球菌耐药性。结果2880例上呼吸道感染患儿咽后壁分泌物细菌培养结果显示,561例(19.48%)为阳性,共检出病原菌561株,其中革兰阳性菌155株(27.63%),排名前3位依次为金黄色葡萄球菌(14.80%)、化脓性链球菌(7.66%)、溶血葡萄球菌(3.39%)。43株化脓性链球菌药敏试验结果显示,其对青霉素、阿奇霉素、红霉素耐药性较高,均在81%以上,对头孢硫脒、万古霉素、亚胺培南敏感性较高,均在81%以上。结论上呼吸道感染患儿病原菌以革兰阴性菌为主,针对化脓性链球菌感染,应首选头孢硫脒、万古霉素、亚胺培南等敏感性较高的抗菌药物。

血培养联合血清PCT、CRP水平检测对产科重症感染产妇诊断效能的价值

目的观察血培养联合血清降钙素原(PCT)、C反应蛋白(CRP)水平检测对产科重症感染产妇诊断效能的价值。方法选取产科疑似重症感染产妇117例,经临床证实产科重症感染产妇59例,非产科重症感染产妇58例,均行血培养、血清CRP、PCT水平检测。比较产科重症感染产妇与非产科重症感染产妇血清CRP、PCT表达水平,统计血培养、血清CRP、PCT水平检测产科重症感染产妇结果,以临床综合诊断结果作为"金标准",比较血培养和血清CRP、PCT水平单一检测及联合检测对产科重症感染产妇诊断效能。结果产科重症感染产妇血清CRP、PCT表达水平较非产科重症感染产妇高(P<0.05);经血培养检测产科重症感染产妇34例,经血清CRP水平检测产科重症感染产妇31例,经血清PCT水平检测产科重症感染产妇38例,经联合检测产科重症感染产妇53例;血培养和血清CRP、PCT水平联合检测产科重症感染产妇诊断特异度、敏感度、准确率较单一检测高(P<0.05)。结论产科重症感染产妇血清CRP、PCT水平呈异常高表达,血培养和血清CRP、PCT水平联合检测产科重症感染产妇,能显著提升诊断特异度、敏感度、准确率,有利于疾病早期确诊及临床控制。

香精油对反刍动物瘤胃发酵的影响

香精油具有广泛的抗菌活性,对调节反刍动物氨氮浓度、提高挥发性脂肪酸浓度、抑制甲烷产生等方面具有积极的作用,文章综述了香精油对反刍动物瘤胃调控的影响。

矿井提升机的自动化控制

通过一个工程实例，分析了矿井提升机自动化控制系统的构成，并对其工作原理、实现方法进行了论述。

中段尿细菌培养联合耐药性分析对复发性尿路感染抗菌药物合理使用的影响

目的探究中段尿细菌培养联合耐药性分析对复发性尿路感染抗菌药物合理使用的影响。方法选取平顶山市第一人民医院2016年3月—2018年12月复发性尿路感染患者62例,进行中段尿培养分离,分离病原菌,进行耐药性分析。结果分离病原菌62株,其中革兰阴性菌43株,占69.35%;革兰阳性菌19株,占30.65%;前四位的病原菌为大肠埃希菌(29.03%)、肺炎克雷伯菌(16.13%)、粪肠球菌(14.52%)、屎肠球菌(9.68%);产超广谱β-内酰胺酶的肺炎克雷伯菌检出率为50.00%(5/10),大肠埃希菌检出率为61.11%(11/18),肺炎克雷伯菌对碳青霉烯类抗菌药物耐药率约10%,大肠埃希菌对碳青霉烯类抗菌药物耐药率<6%,肠杆菌科细菌对碳青霉烯类抗菌药物较敏感;鲍氏不动杆菌对碳青霉烯类抗菌药物的耐药率约50%,铜绿假单胞菌对碳青霉烯类抗菌药物的耐药率较低;屎肠球菌对氨苄西林、磺胺甲噁唑/甲氧苄啶、利福平、高浓度链霉素、环丙沙星、高浓度庆大霉素的耐药率较高;粪肠球菌对呋喃妥因、利奈唑胺、万古霉素、替加环素耐药率较低。结论复发性尿路感染患者中段尿细菌培养分离病原菌以革兰阴性菌为主,对病原菌分布特点、耐药性进行分析,对抗菌药物合理使用具有重要意义。

基于反馈控制的高阶温度补偿带隙基准电路

提出了一种温度系数可配置的高阶非线性带隙基准补偿技术。利用偏置支路实现闭环负反馈,在提高PSRR的同时,控制电路内部管子的直流工作点对基准电路进行非线性高阶温度补偿。通过优化电路参数设计,进一步改善了温度系数并且提高了整个电路的工艺稳定性。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺的仿真结果表明,在-55~125℃温度范围内两种模式基准电压温度系数为1.24×10^(-6)/℃和2.841×10^(-6)/℃,并具有非常好的工艺稳定性。在低频范围内平均电源抑制比达到46.3 d B和70.6 d B以上。

煤粉制备工段电气防爆设计探究

有色金属冶炼企业的煤粉制备生产,依据生产技术的要求,在生产、储存、运送等环节,由于具有爆炸性粉尘,导致整个工段或生产车间处在爆炸危险范围内。因此在完成具有爆炸性粉尘的煤粉制备项目电气设计时,一定要将防爆方案当做设计的主要内容,科学的电气防爆措施,是减小因为电气因素产生爆炸事件可能性的根源性举措。本文具体论述了在有色金属冶炼企业生产过程中的煤粉制备工段电气防爆为核心的设计问题,且针对电气设计期间产生的不足提出了具有可行性的应对举措。